年后開(kāi)工開(kāi)學(xué)，新一波的手機(jī)充電器需求也逐漸興起。特別是在國(guó)補(bǔ)政策優(yōu)惠力度極大的當(dāng)下，消費(fèi)者的購(gòu)買(mǎi)熱情更甚年前。今天我們就基于小伙伴充電器項(xiàng)目的常規(guī)需求，給大家推薦一款市場(chǎng)口碑不錯(cuò)且極具性價(jià)比的充電器芯片——U2281TMB。

充電器芯片U2281TMB啟動(dòng)電流很低，小于10uA。因此，開(kāi)關(guān)電源的啟動(dòng)電路可以使用大電阻，這將盡量減少待機(jī)損耗。啟動(dòng)電阻的典型電阻為4M歐姆。U2281TMB開(kāi)關(guān)頻率內(nèi)部固定在65 kHz，在PCB設(shè)計(jì)中不需要外部頻率設(shè)置組件。

充電器芯片U2281TMB主要特性：

1.數(shù)字洗頻技術(shù)，以提高EMI性能。

2.固定的65 kHz PWM開(kāi)關(guān)頻率。

3.內(nèi)置前沿消隱

4.內(nèi)置同步斜率補(bǔ)償，逐周期電流限制

5.低備用功耗（<75mW@AC 230V）

6.內(nèi)置軟啟動(dòng)，管腳浮空保護(hù)

7.集成自恢復(fù)模式的保護(hù)功能：

VDD欠壓保護(hù)（UVLO）

VDD過(guò)壓保護(hù) （OVP）

過(guò)熱保護(hù)（OTP）

逐周期電流限制

過(guò)載保護(hù)（OLP）

短路保護(hù)（SCP）

前沿消隱（LEB）

CS管腳開(kāi)路保護(hù)

8.低啟動(dòng)電流（<10uA@VDD=12V）

充電器芯片U2281TMB封裝形式SOT23-6，可做OB2263的替代，管腳如下：

1腳是VDD IC電源引腳。

2腳是 GND IC的接地。

3腳是FB反饋引腳。通過(guò)將光電耦合器連接到該引腳來(lái)實(shí)現(xiàn)環(huán)路調(diào)節(jié)。PWM占空比由該引腳電壓和引腳4上的電流檢測(cè)信號(hào)決定。

4 CS電流檢測(cè)輸入引腳。

5、6、7、8 腳是Darin功率MOSFET漏極。

充電器芯片U2281TMB GATE引腳具有300mA的吸收電流和150mA的源電流能力，MOSFET將緩慢導(dǎo)通并快速關(guān)斷，從而使U2281TMB具有高效率和低輻射EMI。驅(qū)動(dòng)電壓的最高電壓被箝位在12V。通過(guò)在電流檢測(cè)輸入電壓上增加電壓斜坡來(lái)集成斜率補(bǔ)償電路，從而產(chǎn)生PWM。這大大提高了CCM的閉環(huán)穩(wěn)定性，防止了次諧波振蕩，從而降低了輸出紋波電壓。

深圳銀聯(lián)寶科技推出的充電器芯片方案，可以輕松滿足六級(jí)節(jié)能標(biāo)準(zhǔn)和EMC的要求，具有全面的保護(hù)功能，保證了系統(tǒng)的可靠性，不管是價(jià)格還是品質(zhì)都稱得上是“真香系列”。具體信息可直接搜索深圳銀聯(lián)寶科技，專人解答您的各種難題！