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電子發燒友網 > 存儲技術 > 業界新聞

存儲技術

長鑫存儲LPDDR5正式進軍移動終端市場

資料顯示,LPDDR是低功耗的DRAM存儲器,由DDR內存演化而來。LPDDR的架構和接口針對低功耗應用進行了專門優化,提供更窄的通道寬度、尺寸更小、工作電壓更低和支持多種低功耗運行狀態。

2023-12-01 標簽:DRAMDDRLPDDR長鑫存儲LPDDR5 1438

長鑫存儲推出自主研發的LPDDR5 DRAM存儲芯片

長鑫12GB LPDDR5芯片由8個12Gb顆粒封裝,這是長鑫存儲首款采用層疊封裝(Package on Package)的芯片產品。

2023-11-29 標簽:DRAM存儲芯片長鑫存儲LPDDR5 2747

基于玻璃的歸檔存儲新方法

寫入驅動器為全機架大小,可同時對多張盤片進行寫入;包含多個驅動器的讀取驅動器機架也采用相同設計。讀寫驅動器機架都需要配備冷卻、電源和網絡連接。

2023-11-29 標簽:微軟驅動器機器人LDPC 968

佰維高效穩定、高可靠存儲,賦能安全監控

佰維高效穩定、高可靠存儲,賦能安全監控...

2023-11-28 標簽:佰維 859

淺談DRAM的常用封裝技術

目前,AI服務器對HBM(高帶寬內存)的需求量越來越大,因為HBM大大縮短了走線距離,從而大幅提升了AI處理器運算速度。HBM經歷了幾代產品,包括HBM、HBM2、HBM2e和HMB3,最新的HBM3e剛出樣品。

2023-11-28 標簽:DRAM封裝技術存儲芯片AI處理器AI服務器 3249

英偉達HBM3e 驗證計劃2024 Q1完成

HBM4 預計將于 2026 年推出,具有針對英偉達和其他 CSP 未來產品量身定制的增強規格和性能。在更高速度的推動下,HBM4 將標志著其最底部邏輯芯片(基礎芯片)首次使用 12 納米工藝晶圓,由代工廠提供。

2023-11-28 標簽:存儲芯片Nand flash英偉達emmcHBMHBM3HBM3E 1052

江波龍FORESEE兩款存儲卡通過樹莓派AVL認證,兼容性再...

江波龍FORESEE兩款存儲卡通過樹莓派AVL認證,兼容性再上新高度...

2023-11-24 標簽:江波龍 901

世界上首次商用D1Beta一代DRAM的誕生

Micron的D1B DRAM打破了0.4 Gb/mm2的密度壁壘,對提升電子設備性能至關重要,包括移動電話和其他邊緣設備。

2023-11-24 標簽:DRAM電子設備EUVLPDDR5 1245

中國大陸主要存儲廠商2023Q3及前三季度業績情況

三星電子在2023Q3實現營收為504.58億美元,環比增長12.32%,同比下降12.22%。凈利潤為41.17億美元,環比增長255.52%,同比下滑39.85%。三星電子表示,伴隨存儲全行業的減產,行業觸底意識不斷增強,公司收到了大量采購咨詢。

2023-11-22 標簽:DRAM三星電子cpuHBMDDR5 1496

DDR3芯片價格短線急漲近一成?

法人指出,標準型DRAM與NAND芯片目前都由三星、SK海力士、美光等國際大廠主導,臺廠在芯片制造端無法與其抗衡,僅模組廠有望以低價庫存優勢搭上DRAM與NAND芯片市況反彈列車

2023-11-22 標簽:DDR3AI芯片制造Nand flashMCP 858

RAM和NAND再遇強敵, MRAM被大廠看好的未來之星

目前三星仍然是全球專利第一,2002年三星宣布研發MRAM,2005年三星率先研究STT-MRAM,但是此后的十年間,三星對MRAM的研發一直不溫不火,成本和工藝的限制,讓三星的MRAM研發逐漸走向低調。

2023-11-22 標簽:NANDRAM人工智能機器學習MRAM 1183

平頭哥SSD主控芯片鎮岳510性能分析

鎮岳510芯片還針對云計算場景進行了深度優化,芯片與云存儲軟件系統緊密融合協作,有效降低數據讀寫的延時,為系統帶來了更高的性能。例如,鎮岳510在支持NVMe的隊列級調度機制的同時,額外實現了更精細、更靈活的IO級調度機制,結合云存儲系統,能更好地滿足延遲敏感型IO場景的需求。

2023-11-22 標簽:芯片云計算SSD主控芯片平頭哥 2026

簡單介紹全球前五大存儲廠商

主流存儲芯片海外廠商高度壟斷。與邏輯芯片不同,DRAM 和 NAND Flash 等半導體存儲器的核心功能為數據存儲,存儲晶圓的設計及制造標準化程度較高,各晶圓廠同代產品在容量、帶寬、穩定性等方面,技術規格趨同。因此頭部廠商要通過產能擴大規模化優勢及技術持續升級迭代保持競爭力。

2023-11-21 標簽:DRAM存儲器存儲芯片西部數據3d nand 7373

佰維工規級eMMC嵌入式存儲 為電力行業提供可靠解決方案

在數字化浪潮的推動下,智能電力設備的應用愈發普及。其中,電力監測網關作為現代電力系統中的核心環節,通過數據采集、傳輸與分析,實時監控供電系統的運行狀況,為電力系統的穩定運行與優化調度提供重要保障。 ? ? 存儲器作為電力網關中數據的承載者,其品質、性能穩定性對于電力監測系統的表現具有決定性作用,進而對整個電力系統的運作產生深刻影響。 ? 那么,當前電力行業在數據存儲方向面臨著哪些挑戰呢?對于電力企業來說,又

2023-11-20 標簽:佰維存儲 1099

新型先進移動芯片LPDDR5T開始供貨

“LPDDR5T是最大限度發揮智能手機性能的最佳內存。我們將繼續擴大該產品的應用范圍,引領移動DRAM領域的換代。”SK海力士在一份聲明中表示。隨著JEDEC標準化進程進入最后

2023-11-20 標簽:DRAM服務器芯片制造人工智能SK海力士 1660

三星和SK海力士差距在哪里?

238 層 NAND 閃存作為世界上最小體積的芯片,生產效率比上一代的 176 層提升了 34%。此產品的數據傳輸速度為每秒 2.4Gb,號稱比上一代的速度快 50%,并且改善了約 20% 的讀寫性能。

2023-11-20 標簽:閃存NAND存儲芯片SK海力士三星 1604

江波龍首次亮相上海電力展,展示工規級電力存儲解決方案

11月15日,江波龍首次亮相上海電力展,展示了其創新的工規級電力存儲解決方案。此次展覽會吸引了來自世界各地的頂級電力設備制造商和行業專家,共同探討電力行業的未來發展趨勢。 ? ? 經過二十余年在消費電子、工控、汽車市場的積累,江波龍已具備一定的規模實力和研發優勢。該公司推出了多款工規級Flash與DRAM產品,以匹配規模大、技術要求高的電力市場。 ? 在展會上,江波龍展示了其行業類存儲品牌FORESEE旗下的工業寬溫級/工規級eMMC、工規

2023-11-16 標簽:江波龍 889

芯片設計中DRAM類型如何選擇

DRAM有多種類型可供選擇。有些速度非常快,如HBM,但也很昂貴。其他類型速度較慢,但價格便宜,如基本的DDR DIMM。然而,變化的是,在異構架構中,兩者都可以發揮重要作用,以及多種其他DRAM類型和更狹義的存儲器,如MRAM或ReRAM。

2023-11-15 標簽:DRAMsram芯片設計多路復用器DDR4 1569

三星計劃全面提高DDR5產量,過去一個月上漲5-10%

英特爾新一代消費型筆電平臺 Meteor Lake 預計第四季度問世,搭載的 DRAM 便是由 DDR4 升級為 DDR5。

2023-11-10 標簽:芯片內存條RCD3d nandDDR5 1295

干貨 | MTS2024集邦咨詢存儲產業趨勢研討會演講精華匯...

2023年11月8日,由全球高科技產業研究機構TrendForce集邦咨詢以及旗下全球半導體觀察主辦的“MTS2024存儲產業趨勢研討會”在深圳成功舉辦。 ? ? 全球存儲產業重量級嘉賓、集邦咨詢資深分析師團隊,以及來自產業鏈企業的千余名嘉賓齊聚深圳,現場氣氛熱烈,座無虛席。同時,當天會議還吸引了超萬名業內人士線上觀看。 ? 會議伊始,集邦咨詢顧問(深圳)有限公司董事長董昀昶致辭,他首先對與會嘉賓的出席表達了歡迎,并表示希望當天的演講能幫助業

2023-11-09 標簽:存儲 1000

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