內存瘋狂漲價背后的原因,擴產后漲勢繼續

　我們看過很多關于存儲器價格暴漲的新聞，三家DRAM供應商也都曾明確表示自己的態度。三星表示2018年DRAM產能增長不會超過20%，需求量卻要增長25%。關于NAND，三星表示：“供應方面，雖說64層產量在擴大，因為技術難度增加，與需求增長相比，供應增長預計將受到限制，”

2017-11-20 標簽：dramnand三星電子sk海力士 2441

東芝計劃明年3月底完成芯片業務出售,并稱不接受貝恩財團單一成...

東芝的閃存產品品質和穩定性高于海力士、美光等同類產品，但由于日本企業經營保守，市場反應的速度和彈性都不如海力士，美光等韓美企業，企業經營的策略調整較慢。由于東芝公司陷入財報問題及收購核能廠所衍生出財務泥沼，讓其未來財務運作及籌資能力上出現疑慮，也讓其半導體業務面臨考驗。

2017-11-17 標簽：東芝sk海力士貝恩資本 1014

SSD出貨量大幅度下滑,PCI-E SSD卻增長15.6％

總體而言，企業級SSD市場出貨量環比下跌7％，其中只有PCI-E SSD大幅增長了15.6％，顯示行業正在迅速告別SATA時代，但目前SATA SSD仍然是企業市場主力，出貨量略高于400萬塊。

2017-11-17 標簽：東芝nand三星電子ssd西數 1348

UFS發力,二代UFS 2.1閃存重磅來襲,安卓蘋果差距不再

據媒體Benchlife報道，知名主控廠商群聯電子已經研制出了第二代UFS2.1主控，并且已經通過了華為和高通的認證測試，這意味著這款閃存距離上市不遠了，而搭載麒麟處理器和高通處理器的產品，都能夠用上這塊閃存，會為手機帶來更好的系統流暢性，特別是在應用安裝、游戲讀寫等方面。

2017-11-17 標簽：閃存蘋果安卓驍龍ufs麒麟 3644

三星2017年半導體行業巨額開支,欲打擊中國存儲器競技資格

2017-11-17 標簽：dram三星電子存儲器半導體行業 1559

受內存需求,第三季度三星季增28.4%,SK海力士增30.1...

根據集邦咨詢半導體研究中心（DRAMeXchange）調查顯示，在北美數據中心的需求持續強勁，以及DRAM供給端產能與制程受限制下，并不能滿足整體服務器內存市場需求，Server DRAM供不應求的情形在第三季度更為顯著。受到平均零售價（Average Selling Price）墊高帶動，三大DRAM原廠第三季營收成長約25.2%。

2017-11-17 標簽：dram三星電子美光sk海力士 960

新型存儲器材料“鈧銻碲”,低功耗,循環壽命大于1000萬次

存儲器是集成電路最重要的技術之一，能否開發自主知識產權的存儲器芯片事關國家信息安全。目前，國際上通用的存儲器材料是“鍺銻碲”。近年來，消費電子產品的普及對存儲器芯片的功耗、壽命、尺寸、持久力等各項性能指標均提出了更高要求，世界各國科學家都在加緊攻關存儲器芯片的制造材料。

2017-11-16 標簽：集成電路存儲器 3326

存儲器競技場,DRAM、NAND量產大PK

中國半導體發展風起云涌，購并、建廠消息不斷，在市場、國安等考量下，存儲器更是中國重點發展項目，成為多方人馬競逐的主戰場。中國存儲器后進廠商 2018 年開始產能逐步開出，目前狀況到底如何？有相關研究機構做了圖表簡單解析。

2017-11-16 標簽：dramnand存儲器 1074

美光科技32GB NVDIMM離久性存儲更進一步

通過以超快的 DRAM 速度處理關鍵數據，持久存儲器在延遲、帶寬、容量和成本之間實現了獨有的平衡。而讓其在普通服務器 DRAM 中獨樹一幟的原因在于，它能夠在斷電的情況下保存信息。美光科技的先進技術為近端存儲數據分析提供了獨到的解決方案，解決了金融、醫藥、零售以及石油和天燃氣勘探等市場中承載海量數據的應用不斷攀升的帶寬需求。

2017-11-15 標簽：nand美光科技 1247

三星巨額投資3D NAND閃存,占據整個半導體行業的33%

三星的開支計劃到底有多么兇猛？IC Insights預計，三星2017年第四季度的半導體資本支出為86億美元，將占到整個半導體行業的33%（整個行業第四季度支出預計達到262億美元）。同時，三星在第四季度的半導體銷售額占整個行業的16%左右。

2017-11-15 標簽：英特爾三星電子臺積電nand閃存 1333

DRAM開啟殺戮戰,存儲廠商調漲DRAM合約價

調研機構研究報告顯示，三星、SK海力士及福建晉華、合肥睿力等公司的增產計劃，都為未來DRAM市場投下新變數，明年DRAM產值雖仍可成長11.8%，但成長已低于今年的67.8%，到2019年，在新產能增加，重陷價格戰下，年產值將衰選25.9%，且預估有2年的殺戮戰。

2017-11-15 標簽：dram三星電子sk海力士 738

英特爾聯合美光宣布晶圓廠擴建完成,3D XPoint被推上產...

英特爾（INTC. US）、美光科技（MU. US）13日宣布，IM Flash B60晶圓廠已完成擴建工程。 新聞稿指出，規模擴大后的晶圓廠將生產3D XPoint內存媒體。 成立于2006年的IM Flash合資企業替英特爾與美光生產非揮發性內存，初期生產用于SSD、手機、平板的NAND。

2017-11-15 標簽：英特爾晶圓美光nand閃存 1493

DRAM產業屢創新高,擴產計劃指日可待

觀察各廠技術與產能布局，三星今年的目標除了專注于18nm制程的持續轉進外，近幾季DRAM同業的高獲利，亦刺激三星開始思索可能的DRAM擴產計劃，一方面應對供給吃緊狀況，另一方面則期望提高DRAM產出量，壓抑DRAM價格上漲幅度。三星此舉將可鞏固領先地位，維持與其他DRAM大廠1-2年以上的技術差距。

2017-11-14 標簽：dram三星電子sk海力士 773

數據中心存儲結構的未來也許會是RDMA

英特爾公司將RDMA技術直接應用在至強服務器的主板上。DataON公司正在使用新型Lightning Trac System Windows Server2016超融合系統，這些系統包括Optane固態硬盤，用于快速緩存層的NVMe，以及SMB3RDMA結構。現在，HPE公司在其新的Store FabricM系列存儲優化交換機中使用了Mellanox基于RDMA的以太網存儲結構，為客戶提供了用于光纖通道的存儲管理工具。

2017-11-10 標簽：英特爾以太網數據中心 2650

DNA存儲延續千年的承載介質，可將數據壓縮至方糖大小

微軟與華盛頓大學的研究員們指出，他們開發出了“一種新型方案”，能夠將長字符串轉換為DNA序列的四種基本組成部分——腺嘌呤、鳥嘌呤、胞嘧啶與胸腺嘧啶，分別簡寫為A、G、C與T。要訪問這些數據，研究員們在DNA序列內編制出類似于郵編及街道地址的符號。聚合酶鏈反應（簡稱PCR）技術——常用于分子生物學當中——幫助他們能夠更為輕松地識別自己正在搜索的郵編。

2017-11-09 標簽：dna存儲 1391

虛擬化環境是否會對閃存造成耗損

關于VMware和微軟閃存工作的方式有一些問題需要討論。閃存被認為是大有前途的技術，很多人認為他們可以在服務器中部署閃存充當緩存的角色。但殊不知閃存適合讀，而并不適合寫。你需要十分注意閃存的耗損，并充分利用其有限的壽命。虛擬存儲廠商經常做的就是寫聚集（write coalescence）。

2017-11-09 標簽：閃存dram虛擬化 1281

臺電發布極光DDR4 A30內存,自帶散熱裝甲

A30的主要亮點一是高頻，二是自主研發的散熱裝甲（御風者）。據悉，極光A30 DDR4內存分為4GB/8GB/16GB可選，頻率達到2400MHz，比常規普條（2133Mhz）更高。

2017-11-09 標簽：arm臺電ddr4內存 1709

昂達瞄準內存市場,DDR3面向低端,面向AMD

這段時間，DDR4內存條價格持續處于高位，于是不少廠商和需求不高的用戶開始將目光轉向老一代的DDR3，畢竟無論是DDR3內存本身還是相應主板，都已經十分廉價，組個入門機還挺合適。

2017-11-07 標簽：amdddr3內存昂達 5033

QNAP首發Ryzen NAS,多核心,可同時運行16個虛擬...

AMD Ryzen今年絕對是PC領域的一股清流，直接帶動了整個行業的前進步伐，也獲得了廣泛認可，產品相當豐富。幾年6月初，QNAP（威聯通）就發布了首款基于AMD Ryzen平臺的NAS網絡存儲設備。

2017-11-02 標簽：處理器amd虛擬機 3726

西數首款14TB硬盤全球發貨,八碟裝,內部讀寫傳輸率233M...

西部數據旗下HGST發布了全球第一款14TB容量的機械硬盤，該硬盤型號UltraStar Hs14，采用第四代HelioSeal充氦封裝技術，內部基于第二代企業級熱管理SMR疊瓦式磁記錄存儲，存儲密度1034Gb每平方英寸。

2017-11-02 標簽：機械硬盤西數 2051