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存儲技術

富士通電子推出最新4Mbit FRAM 運作溫度最高可達12...

FRAM的讀/寫耐久性、寫入速度和功耗均優于EEPROM和閃存,并已量產20多年,近年來廣泛用于可穿戴設備、工業機器人和無人機。

2020-07-24 標簽:工業機器人fram非易失性內存可穿戴設備富士通 1284

KLA推出全新突破性的電子束缺陷檢測系統

eSL10電子束檢測系統具有多項革命性技術,能夠彌補對關鍵缺陷檢測能力的差距。

2020-07-21 標簽:DRAM電子束3d nandKLA 2465

DDR5時代即將來臨,泰克推出TekExpress DDR5...

快速存取數量龐大的存儲數據,意味著復雜的設計正在挑戰信號完整性極限,要求性能更高的測量技術來完成一致性測試、調試和驗證。

2020-07-21 標簽:泰克發射機信號完整性存儲數據DDR5 1086

FORESEE SPI NAND Flash,加速電子產品小...

目前市面上NAND Flash的常規制程為2X~3Xnm,而江波龍采用的是16nm,更加先進。同時內置ECC(4bit/512Bytes)單元,省去了MCU做硬件或軟件ECC的功能,對Host端硬件糾錯能力要求降低。

2020-07-20 標簽:NANDSPINand flash江波龍 1859

西部數據推出18TB和20TB Ultrastar HDD,...

“西部數據廣泛的數據中心存儲解決方案系列,滿足了客戶的多樣化需求,這使其擁有獨特的早期優勢,能夠利用云計算和OEM客戶向18TB甚至20TB過渡的機遇而增強SMR的優勢。

2020-07-13 標簽:云計算數據存儲西部數據HDD 2279

兆易創新推出國內首款2Gb大容量高性能SPI NOR Fla...

GD25/GD55 B/T/X產品系列容量高達2Gb,為大容量高性能應用提供最佳解決方案。

2020-07-03 標簽:SPIAINOR flash兆易創新 4110

FORESEE G500發布,江波龍國產固態硬盤再發聲

江波龍旗下嵌入式存儲品牌FORESEE推出國產固態硬盤G500系列,從閃存顆粒、主控芯片、Firmware研發到生產制造皆由中國本土企業完成。

2020-06-05 標簽:固態硬盤嵌入式存儲器江波龍 2471

富士通電子推出可在高溫下穩定運行的新款2Mbit FRAM

FRAM的讀/寫耐久性、寫入速度和功耗均優于EEPROM和閃存,已有對傳統非易失性內存性能不滿意的客戶采用我們的FRAM。

2020-05-11 標簽:fram非易失性內存富士通 1438

江波龍電子聯合長江存儲發布全球最小存儲卡

作為江波龍電子的高端消費類存儲品牌Lexar雷克沙,借助江波龍積累的產品及技術優勢,大力投入研發和創新。

2020-04-21 標簽:存儲卡江波龍長江存儲 2760

騰訊云率先測試希捷銀河(Exos)X18企業級硬盤

作為全球領先的云計算提供商,騰訊云對數據存儲方案的性能、穩定性、可靠性一直有著嚴苛的要求。

2020-04-20 標簽:硬盤云計算騰訊云 1627

“鎧俠”品牌的消費產品在推新 包括microSD/SD存儲卡...

憑借其microSD/SD存儲卡、USB閃存盤和SSD的全面組合,鎧俠提供經過專門設計的消費產品,旨在讓終端用戶可以隨時隨地存儲其數字生活。

2020-04-16 標簽:microSDsd存儲卡鎧俠 1407

新華三推出“煥新”存儲升級計劃 構筑更智能的數據平臺

對于有意向從3PAR升級到Primera的用戶,新華三集團所提供的方案則可以在容量相同、價格相當或更低的情況下,提供更優的硬件配置和更智能化的使用體驗。

2020-04-13 標簽:紫光智能存儲系統新華三 1766

長江存儲128層QLC3DNAND閃存研發成功

作為業內首款128層QLC規格的3DNAND閃存,長江存儲X2-6070擁有業內已知型號產品中最高單位面積存儲密度,最高I/O傳輸速度和最高單顆NAND閃存芯片容量。

2020-04-13 標簽:NANDSSD長江存儲3DNAND 1920

Greenliant發布工業級 ArmourDrive M....

ArmourDrive 88PX 系列 NVMe M.2-2280 / PCIe 3.0 x4 SSD和 ArmourDrive 87PX 系列 SATA M.2-2280 SSD 可在 -40°C 至 +85°C 的溫度范圍內長時間工作。

2020-03-28 標簽:NANDSSDdriver固態硬盤 1442

Buffalo推出迷你固態移動硬盤,支持USB-C接口

近日,Buffalo 推出了一款堅固耐用的迷你型移動固態硬盤,外形僅比普通閃存驅動器略大一些。

2020-03-07 標簽:存儲器移動硬盤 1782

三星成功開發新型硅通孔(TSV)8 層技術的DDR5芯片

隨著現代計算機能力的不斷發展,推動著存儲器件朝著更高性能的方向發展。DDR5作為DDR4的后繼者,能支持更快的傳輸速率和更高的容量。近日,三星電子宣布成功開發DDR5芯片,可提供更強大、更可靠的性能,支持現代服務器不斷增長的需求。 三星DDR5芯片采用新型的硅通孔(TSV) 8 層技術,與DDR4相比,該技術使得DDR5的單個芯片能夠包含兩倍的堆棧數量。每個雙列直插式存儲模塊(DIMM)還提供高達512GB的存儲空間。其數據傳輸速度高達4800 MT/s,專門用于

2020-02-16 標簽:三星電子DDR5 2041

憑借BiCS5 3D NAND技術西部數據進一步增強其存儲領...

BiCS5采用了廣泛的新技術和創新的制造工藝,是西部數據迄今為止最高密度、最先進的3D NAND。

2020-02-10 標簽:NAND西部數據 1284

美光宣布已交付全球首款量產的低功耗 DDR5 DRAM 芯片

人工智能在越來越多的應用中被廣泛部署,這需要先進的內存解決方案,以確保更快速、更有效的數據訪問。美光 LPDDR5 能夠為直接構建在移動設備處理器中的人工智能引擎提供所需的速度和容量。

2020-02-07 標簽:美光DRAM芯片DDR5 1535

三星電子推出業界首款符合HBM2E規范的內存——Flashb...

三星電子宣布推出了業界首款符合HBM2E規范的內存。它是第二代Aquabolt的后繼產品,具有16GB的兩倍容量和3.2Gbps的更高穩定傳輸速度。

2020-02-05 標簽:DRAM三星電子內存 1688

英韌科技Rainier固態硬盤控制芯片帶來超7GB/s吞吐量

英韌科技Rainier固態硬盤控制芯片帶來超7GB/s吞吐量...

2020-01-26 標簽:固態硬盤 2541

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