在過去的幾年中，有機金屬鹵化物鈣鈦礦基發光二極管（PeLEDs）的效率有了顯著的提高。然而，器件運行穩定性差的問題阻礙了該技術在實際應用中的商業化。盡管人們對鈣鈦礦薄膜的降解機理進行了廣泛的研究，但人們仍然不清楚鈣鈦礦薄膜在什么地方以及如何發生降解。

來自香港中文大學和中山大學的一項最新研究表明，降解可能從鈣鈦礦和空穴輸送層之間的界面開始，空位、反位或間隙缺陷可以進一步加速這種降解。采用苯乙碘化銨鈍化鈣鈦礦表面，在電流密度為100 mA·cm-2的情況下，鈍化后的膜穩定性大大提高，操作壽命由1.5 h提高到11.3 h。相關論文以題為“Degradation Mechanism of Perovskite Light-Emitting Diodes： An In Situ Investigation via Electroabsorption Spectroscopy and Device Modelling”發表在Advanced Functional Materials上。

有機金屬鹵化物鈣鈦礦基發光二極管材料具有制作成本低、可調諧帶隙、色純度高、發光效率高、與柔性基板相容性好等優點，在顯示和照明領域具有巨大的應用潛力。近幾年來，PeLEDs的發光特性取得了許多研究突破，性能最好的近紅外PeLEDs的外量子效率（EQE）和輻射率分別達到了21.6 %和308 W （sr × m2）?1。然而，大多數報道的PeLEDs在操作過程中迅速降解，在數小時內失去發光。穩定性幾乎是所有鈣鈦礦型光電器件的普遍問題，在電流密度高、能量轉換效率低的PeLEDs中，穩定性問題尤為突出。

采用電吸收（EA）光譜技術，對降解過程進行了原位研究。光譜技術可以監測材料在電場調制下的光吸收變化，已被應用于各種材料和生物系統的研究。特別是，EA譜已被證明是一個強大的工具，以表征鈣鈦礦材料的帶隙、激子結合能、偶極矩的變化和電荷極化。考慮到不同的配合物具有不同的吸收特征峰，利用EA光譜技術來區分器件中各功能層的性質變化是可能的。例如，先前的研究已經應用EA來研究與有機發光二極管或太陽能電池的不同功能層。本文利用電子能譜來評估每個功能層的穩定性，通過監測其獨特的光學特征。利用隨時間變化的EA譜分析，清楚地表明降解主要發生在鈣鈦礦層。

圖1 a）PeLEDs器件的結構示意圖。b）（a）所示裝置的能級圖。c）不同工作偏壓下的電致發光光譜。d）本文所監測的典型PeLEDs的電流-電壓曲線和e）電流-輻照度和電流-亮度關系。f）當電流密度為100 mA cm?2時，EQE隨時間衰減曲線。

圖2 在a）碘空位缺陷（VI）低于導帶的能級為0.03 eV，b）高于價帶的能級為0.04 eV的鉛空位缺陷（VPb）存在下，我們的PeLEDs器件的模擬復合速率，注入電流密度為100 mA cm?2，c）間隙缺陷陷阱（Ii）能級高于價帶0.6 eV，d）能級高于價帶1.0 eV的反位錯缺陷陷阱（IPb），e）沿垂直方向的非輻射復合速率分布。

圖3 a）電流電壓特性，b）不同PEAI濃度下的亮度與電流密度的比較。c） EL譜比較，d）有無PEAI層PeLEDs的運行穩定性比較。電流密度為100 mA cm?2時，有e）和無f） PEAI層時隨時間變化的EA譜。

圖4 鈣鈦礦表面晶格結構示意圖（左面板）和PeLEDs的器件模型（右面板）a）有和b）沒有經過PEAI鈍化處理。藍色和紅色箭頭分別表示電子和空穴的輸運方向。