一般而言，暗室的電性能主要由靜區的特性來表證，靜區的特性又以靜區的大小、靜區內的反射率電平、交叉極化度、場均勻性、路經損耗、工作頻率范圍及固有雷達截面參數來表述。
所謂靜區是指暗室內受各種雜散波干擾最小的區域。它的大小除了與暗室幾何形狀、工作頻率、吸收材料的電性能有關外，還與所要求的反射率電平、靜區的形狀及暗室的結構有關。對于小圓柱形暗箱，由于其結構對稱、內壁鋪設相同的吸收材料，靜區呈柱狀，軸線與暗箱的軸線一致，它的直徑滿足下式：

式中：λ--波長，R--收發天線的距離。在靜區內的反射率電平，可以用下式描述：

其中：ED為小圓柱形暗箱軸線方向的入射場；
ER為由反射、繞射和散射在測量點合成的等效反射場。
? ? ? ? 小圓柱形暗箱內任意一點反射率電平的大小是隨著工作頻率變化而變化，為了準確地檢測出反射率電平，必須先明確以下幾點：
（1） 把接收天線縱向移動（沿圓柱軸線），如果接收信號強度隨著1/R 變化［2］（R為收發天線間的距離），表明圓柱形暗箱測試滿足遠場區測量條件。如果接收信號以半波長為周期振蕩變化，表明天線之間耦合較強。如果振蕩周期大于λ/2，表明存在多路經反射信號。
（2） 在待測點端面處，上下左右移動，或沿軸線縱向移動以探測場強是否均勻，如果接收電平起伏優于0.25dB，且上下基本對稱，表明滿足入射場錐削幅度要求。

4 利用空間駐波法檢驗小圓柱形微波暗箱的反射率電平

從物理上講，沿暗箱軸線橫向或上下移動無方向性探頭天線，測量空間駐波曲線，根據駐波曲線的極大值和極小值Emax（dB）、Emin（dB），確定反射率電平［3］，如圖（3）、圖（4）所示：

但是實際的天線具有方向性，為此必須對公式（6）進行修正，即天線位于φ角接收到的入射場比φ=0°時的入射場低AdB，在φ方向，駐波曲線極大值與極小值dB數之差為：

則在φ方向上的反射率電平為：

圖（3）、圖（4）分別表示了自由空間的入射、反射波構成的駐波和駐波曲線。顯然該方法的實際物理意義是：在理想狀態下，暗箱內只存在直射波，而投射到吸收材料上的電磁波能量絕大部分被吸收掉了，但當有一定的雜散波存在（如反射波、繞射波、散射波等），這些相干波束在極化相同的條件下，當兩波間相位相差2nπ（n=1，2，3）時，就形成波峰，而相位差為2（n+1）π的地方，兩波相抵消或部分相抵消形成波節，在圓柱形暗箱內出現許多波峰、波節而形成場結構相當復雜的空間駐波分布。因此，在靜區范圍內反射率電平要比其它空間內的反射率電平小很多。

5 確定小圓柱形微波暗箱反射率電平的主要方法

（1） 測量接收天線的方向圖，在所需要的方位角φ上標出相應的方向圖電平A1（dB）。
（2） 將天線最大輻射方向指向φ角，橫向移動天線并記錄此時的空間干涉波曲線，如圖（5）所示：

（3） 描繪駐波曲線的包絡，由包絡線的極大極小值求出Δab，并求出它的平均電平A1（dB），若ED＞ER，A1（dB）就是接收天線的方向圖電平。如圖（6）：

（4） 在不同的角上，重復（2）、（3）步驟，就能求出一系列空間駐波曲線，再由駐波曲線的包絡來求出Δab值，在ED＞ER的情況下，由式（8）就能求出不同方向上的反射率電平。如果ED＞ER，則需按下式計算反射率電平：

由于ED隨天線的移動有規律的變化，ER無規律的變化，在某取向角，如果實測空間駐波曲線的平均值出現無規律變化時，就能判定ER＞ED，或者在這個取向角上，假定駐波曲線的平均電平比在這個取向角上方向圖的電平高，也能判定ER＞ED。

6 建立小圓柱型微波暗箱的測試系統與測試步驟

（1）測試裝置的建立
微波暗箱反射率電平的測試系

統主要由發射信號源（69347B）、接收機（MS2667C頻譜分析儀）、計算機及接收天線和測試支架組成，見框圖（7）。其中信號源為發射天線輸出一個微波直射信號，由頻譜分析儀接收來自各方向的反射及直射信號，并由計算機讀出后描繪出一個空間駐波曲線，并計算出反射率電平。天線支架用來控制測試天線的上下、左右直線移動及轉角姿態的變化動作。為了能比較準確地描繪出空間行程駐波曲線，天線移動的行程距離必須大于等于兩個波長。最后通過改變接收天線取向角以獲得若干條駐波曲線，從而達到測試小圓柱型微波暗箱反射率電平的目的。
（2）測試過程
依據"VSWR"法的特點，我們將接收天線安裝在測試支架上，使天線處于暗箱中心軸線上，并距離后壁尖劈為15cm處，分別改變天線與中心軸的夾角來進行反射率電平的測試。
（3）天線測試狀態的確定
這里我們僅選擇垂直極化狀態進行測試，其次考慮到被測箱體的限制，在測試位置上僅選取一點，即接收天線距離后壁尖劈為15cm處，俯仰角為±20°，±35°時，接收天線上下移動2-4個波長。由于暗箱為圓柱體，因此可通過轉動暗箱來實現對暗箱內壁任意一點反射性能的測試，而暗箱后壁的反射性能受測試條件的局限而無法進行測量，故暫不考慮。
（4）Z向（垂直向）的測試
Z向的測試是接收天線離后壁尖劈15cm處，以箱體軸線作垂直向的上下移動，其上下移動的高度為±3λ（±9cm），天線的取向角為±20°，±35°，在這些點上測出若干條干涉曲線。垂直向的測試主要是測量暗箱上下尖劈對電磁波的反射情況。
在0°時，接收天線所獲取的曲線（數值）為Z向場幅度的均勻性。通過由頻譜儀測得的曲線，求出其最大電平變化值（Δab），及曲線的平均值（Ai）以得到天線在該取向角θ時的方向圖電平值。
（5）將微波暗箱旋轉至所需要的角度φi，重復（3）、（4）步驟，測出暗箱其余內壁的反射率電平。以下是我們對802所編號為6CH-6W2的暗箱采用以上方法進行測試，測試數據如下：
表（1）：接收天線作上下移動時電平的變化值測試頻率：10.125GHz，接收天線距離暗箱中心軸5cm處定義為移動的起始位置，接收天線分別取俯仰角+20°、-20°。

方位角+20°-20°方向圖電平值A(dB)1010最大電平變化值Δ（dB）0.640.62總的反射率電平值R（dB）-38.7-39.0
從以上測試數據中可以看出，被測小圓柱型微波暗箱在所選頻率上用以上方法測量其反射率電平均優于設計所要求的-30dB的技術指標。