2021-07-08中國蘇州 —— 全球半導體存儲解決方案領導廠商華邦電子于今日宣布，正式確認華邦HyperRAM? 和 SpiStack? （NOR+NAND） 產品能夠與瑞薩基于Arm? 內核的RZ/A2M 微處理器 （MPU） 搭配使用。華邦長期向瑞薩供應各類外部存儲器，其中包括DRAM、NOR Flash和NAND Flash等嵌入式系統的主流內存產品，RZ/A2M的用戶也因此受益。

?

　　瑞薩RZ/A2M微處理器適用于人機界面（HMI），尤其是帶有攝像頭的HMI應用。RZ/A2M還支持廣泛應用于移動設備的移動產業處理器接口（MIPI），并配備了用于高速圖像處理的動態可配置處理器（DRP）。

　　RZ/A2M具備兩個以太網通道，并且能夠通過加密硬件加速器提升安全性能。因此，RZ/A2M 可實現安全可靠的高速網絡連接，廣泛應用于消費電子產品和工業設備的圖像識別。

　　華邦HyperRAM是嵌入式AI和圖像處理分類的理想選擇。HyperRAM在保證電子電路足夠小的同時可提供高存儲和數據帶寬，以支持圖像識別等計算密集型工作負載。此外，SpiStack使設計人員可以以最微小型的系統設計靈活地將代碼存儲在NOR芯片中，并同時將數據存儲在NAND芯片中。

　　以下是瑞薩RZ/A2M微處理器搭載華邦HyperRAM、SpiStack的嵌入式AI系統配置示例：

　　· 華邦HyperRAM：可作為工作內存使用，更適合AIoT設備的嵌入式AI和圖像處理應用。

　　· 華邦SpiStack （NOR+NAND）：NOR 芯片存儲RZ/A2M 的啟動代碼和應用程序代碼，NAND芯片可存儲嵌入式AI學習數據和相機圖像等多個大型數據。

　　· 瑞薩RZ/A2M：使用移動產業處理器接口（MIPI）攝像頭和動態可配置處理器（DRP）來高速執行嵌入式AI成像應用。

　　華邦產品性能

　　HyperRAM 運行的最大頻率為200MHz，可在3.3V或1.8V的工作電壓下提供400MB/s的最大數據傳輸速率。HyperRAM在運行與混合睡眠模式下，均可提供超低功耗。以華邦的64Mb HyperRAM為例，在室溫下，1.8V 待機功耗為 70uW。值得一提的是，HyperRAM 在1.8V 混合睡眠模式下的功耗只有35uW。此外，HyperRAM 只有13個信號引腳，這大大簡化了PCB設計。當設計師設計成品時，MPU上的更多引腳可用于其他目的，設計師也可使用更少引腳的MPU 以獲得更高經濟效益。

　　華邦SpiStack （NOR+NAND） 將NOR芯片和NAND芯片堆疊到一個封裝中，例如 64Mb Serial NOR和1Gb QspiNAND芯片堆疊，使設計人員可以靈活地將代碼存儲在 NOR 芯片中，并將數據存儲在NAND芯片。此外，雖然是兩個芯片 （NOR+NAND） 的堆棧，但單一封裝的SpiStack，在使用上僅需6個信號引腳。

　　SpiStack通過簡單的軟件芯片選擇命令 （C2h） 和指定的芯片ID實現切換工作芯片。其最高時鐘頻率可達104MHz，在Quad-SPI下，等同于416MHz。此外，SpiStack（NOR+NAND）支持并發操作（concurrent operation），當某顆芯片在執行寫入/擦除時，另一顆芯片可以同時進行寫入/擦除/讀取，反之亦然。

　　瑞薩電子企業基礎設施事業部副總裁加藤茂樹表示：“隨著嵌入式AI系統變得越來越復雜，使用搭載外部存儲器的RZ/A2M可支持應用程序代碼或訓練模型不斷增加的數據量。現在RZ/A2M已經確定搭載華邦的HyperRAM 與SpiStack內存，客戶可以一次性獲得涵蓋RAM與Flash的華邦外部內存，并且可以毫無顧慮地使用我們的產品。”

　　華邦日本產品營銷及應用工程副總三村直己表示：“采用華邦的HyperRAM和SpiStack （NOR+NAND）可以減少PCB上的內存安裝面積、導線數量和BOM成本。 兩種封裝尺寸均僅有8x6mm ， 其中有13個信號引腳用于HyperRAM，6個用于SpiStack （NOR+NAND）。 與傳統的SDRAM和并行NOR/NAND相比，華邦HyperRAM和SpiStack的封裝尺寸和終端數量都減少了80%左右。搭載于瑞薩RZ/A2M，用戶可享受華邦提供的整體內存解決方案。”