在過去的幾年中，AMD在高性能處理器市場(chǎng)一敗涂地，F(xiàn)X桌面版以及皓龍服務(wù)器處理器都多年不更新了，而主要原因就是推土機(jī)等模塊化處理器表現(xiàn)不力，32nm工藝已經(jīng)大大落后于Intel，核心面積大，TDP功耗高。在Zen這一代，AMD不僅實(shí)現(xiàn)了架構(gòu)升級(jí)，還使用了GlobalFoundries的14nm LPP工藝，已經(jīng)跟Intel目前的處理器同代工藝了。從AMD公布的數(shù)據(jù)來看，4核Zen核心面積只有44mm2，這要比Intel 14nm競(jìng)品的49mm2還要低10%。

　　在ISCCC國(guó)際固態(tài)電路會(huì)議上，AMD公布了Zen架構(gòu)的部分細(xì)節(jié)，主要涉及半導(dǎo)體工藝部分，從EETimes的報(bào)道來看，AMD對(duì)比的是Intel 14nm工藝的某款處理器，雖然沒有指出具體是哪款I(lǐng)ntel處理器，不過最可能的還是Skylake處理器，二者的詳細(xì)對(duì)比如下：

　　▲AMD Zen處理器與Intel 14nm競(jìng)品分析

　　AMD對(duì)比的是CPU內(nèi)核部分，Zen雖然是8核的，不過內(nèi)部基本單元依然是4核CPU模塊，核心面積約為44mm2，512KB L2緩存，8MB L3緩存，而Intel 4核CPU核心面積是是49mm2，256KB L2緩存，8MB L3緩存，而且L3緩存19.1mm2的面積也比AMD Zen的16mm2要大一些。

　　除此之外，原文還提到AMD在Zen處理器使用了新技術(shù)，開關(guān)電容減少了15%，而且首次使用金屬-絕緣體-金屬電容，該技術(shù)可以降低運(yùn)行電壓，可提供更廣泛的核心電壓及頻率控制。

　　需要注意的是，這里的對(duì)比并沒有提到晶體管數(shù)量，也不是完整的處理器核心面積，而且不同廠商不同架構(gòu)的處理器單純對(duì)比核心面積意義不大，不過AMD在核心面積上做的比Intel更好總歸是好事。

　　圖表對(duì)比中還有三個(gè)指標(biāo)值得注意——CPP、Fin Pitch及Metal Pitch三個(gè)柵極距才是衡量制程工藝的關(guān)鍵，它們可以量化晶體管大小，數(shù)字越小越好。在這一點(diǎn)上，GlobalFoundries師承三星的14nm工藝其實(shí)是不如Intel的，這一點(diǎn)說起來也不是新聞了，包括TSMC的16nm FinFET工藝也是如此，這兩家的FinFET工藝并不如Intel，只是為了名頭好看才改名而已，下一代的10nm工藝上也是如此。