這款基于瑞薩獨有的SOTB?制程工藝的能量收集嵌入式控制器產品獲得年度微控制器產品獎。

　　2019 年 11 月 14 日，中國深圳訊 – 全球領先的半導體解決方案供應商瑞薩電子株式會社（TSE：6723）今日宣布，基于瑞薩獨有的SOTB?（Silicon on Thin Buried Oxide 薄氧化埋層覆硅）制程工藝的能量收集嵌入式微控制器（MCU）RE榮獲由全球電子技術領域知名媒體集團Aspencore評選出的2019年度MCU產品獎。該獎項此次共收到來自行業內知名半導體供應商的100多款候選產品，通過Aspencore編輯的評估，挑選出10多款產品入圍，最終RE脫穎而出，獲得該產品獎。

　　瑞薩能量收集芯片RE采用了革命性SOTB制程工藝，該技術可幫助用戶同時實現低工作電流和待機電流，以及低壓下高速運行。瑞薩電子于10月31日正式發布的RE家族首個產品組RE01的32位CPU內核使用戶能夠在環境能量場中（例如光、振動或液體流動），為僅需微量能量的設備提供動力，從而實現智能功能。SOTB嵌入式控制器在生物監測器或室外環境傳感應用中，可從信號數據中排除噪聲，使應用程序執行高精度傳感和數據判斷。因為免除了大量應用中對電池維護的需求，為現實生活中實現萬物互聯提供了直接的幫助。如需了解有關瑞薩電子基于SOTB的RE產品家族更多信息，請訪問此處。

　　瑞薩電子株式會社高級副總裁，瑞薩電子中國董事長真岡朋光表示：“RE可以獲得此次年度MCU類產品獎，我們感到非常自豪。基于SOTB制程工藝的超低功耗功能非常適合用于物聯網領域。通過環境能源發電、以及傳感器與無線器件的組合，RE將為多種多樣的面向物聯網領域的應用開發做出貢獻。”

　　全球電子成就獎（WEAA）旨在表彰在全球電子工業創新和發展方面做出杰出貢獻的公司和個人。