三菱電機株式會社作為為降低太陽能發電和EV用充電器等電源系統的耗電量、縮小其體積做出貢獻的功率半導體新產品，對于采用了SiC※1耐壓1200V的“1200V SiC-SBD※2”5型將于2019年6月開始提供樣本，從2020年1月起依次發售。本產品將在“TECHNO-FRONTIER 2019 -MOTORTECH JAPAN-”（4月17日～19日于日本幕張舉行），“PCIM Europe2019展”（5月7～9日于德國紐倫堡舉行），“PCIM※1 Asia2019展”（6月26～28日于中華人民共和國上海舉行）上展出。

※1Silicon Carbide：碳化硅

※2Schottky Barrier Diode：肖特基勢壘二極管

新產品的特點

1．通過采用SiC，為降低耗電量、縮小體積做出貢獻

?通過使用SiC大幅降低開關損耗，降低約21％的電力損耗※3

?實現高速開關，為縮小電抗器等配套零部件的體積做出貢獻

※3 與內置PFC電路的三菱電機產品功率半導體模塊“DIPPFCTM”上搭載的Si（硅）二極管相比

2．通過采用JBS結構，提高可靠性

?采用pn結與肖特基結相結合的JBS※4結構

?通過JBS結構提高浪涌電流耐量，從而提高可靠性

※4 Junction Barrier Schottky

3．由5個產品構成的產品陣容可對應各種各樣的用途

?除了通常的TO-247封裝外，還采用了擴大絕緣距離的TO-247-2封裝

除民用品外還可對應工業等各種各樣的用途

?產品陣容中還包括符合AEC-Q101※5的產品（BD20120SJ），也可對應車載用途

※5 Automotive Electronics Council：車載電子零部件質量規格

發售概要

產品名

型號

封裝

規格

開始提供

樣品月份

發售日期

1200V

SiC-SBD

BD10120P

TO-247-2

1200V/10A

2019年

6月

2020年

1月

BD20120P

1200V/20A

BD10120S

TO-247

1200V/10A

BD20120S

1200V/20A

BD20120SJ

1200V/20A

AEC-Q101

2020年

4月

銷售目標

近年來，出于節能環保的考慮，人們對能夠大幅降低電力損耗或利用SiC實現高速開關的功率半導體的期待逐漸高漲。三菱電機自2010年起陸續推出了搭載SiC-SBD、SiC-MOSFET※6的SiC功率半導體模塊，廣泛應用于空調以及工業機械、鐵路車輛的逆變器系統等，為降低家電及工業機械的耗電量，縮小其體積和重量做出了貢獻。

在這一背景下，此次將發售采用了SiC的功率半導體“SiC-SBD”。在電源系統中應用“SiC-SBD”，將為降低客戶的系統耗電量，縮小體積做出貢獻。

本產品的開發得到了日本“New Energy and Industrial Technology Development Organization （NEDO）”的支持。

※6Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor：金屬酸化膜半導體制の電界効果トランジスタ

主要規格

型號

BD10120S

BD10120P

BD20120S（J）

BD20120P

規格

1200V／10A

1200V／20A

耐浪涌電流

（絕對最大額定值）※7

95A

155A

正向電壓（標準）Tj=25℃

1.35V

封裝

TO-247

TO-247-2

TO-247

TO-247-2

封裝尺寸

15.9 × 41.0 × 5.0mm

※78.3msec， sine wave

SiC-SBD系列的產品陣容

粗框內為本次的新產品。

產品名

型號

規格

封裝

供應狀況

電壓［V］

電流［A］

SiC-SBD

BD10120S

1200

10

TO-247

自2019年6月起

開始提供樣品

BD10120P

TO-247-2

BD20120S

20

TO-247

BD20120SJ

TO-247

BD20120P

TO-247-2

BD20060S

600

TO-247

正在提供樣品

BD20060A

TO-263S

BD20060T

TO-220FP-2

已批量生產