12月3日，武漢新芯對外宣布稱，基于其三維集成技術平臺的三片晶圓堆疊技術研發(fā)成功。

武漢新芯的晶圓級集成技術可將三片不同功能的晶圓（如邏輯、存儲和傳感器等）垂直鍵合，在不同晶圓金屬層之間實現(xiàn)電性互連。與傳統(tǒng)的2.5D芯片堆疊相比，晶圓級的三維集成技術能同時增加帶寬，降低延時，提高性能，降低功耗。

武漢新芯技術副總裁孫鵬表示，三維集成技術是武漢新芯繼NOR Flash、MCU之外的第三大技術平臺。武漢新芯的三維集成技術居于國際先進、國內(nèi)領先水平，已積累了6年的大規(guī)模量產(chǎn)經(jīng)驗，可為客戶提供工藝先進、設計靈活的晶圓級集成代工方案。”

武漢新芯成立于2006年，由省市區(qū)三級政府集體決策投資107億，建設中部地區(qū)第一條12英寸集成電路生產(chǎn)線，2008年建成投產(chǎn)。2016年，在武漢新芯基礎上，紫光集團、國家集成電路產(chǎn)業(yè)投資基金、湖北集成電路產(chǎn)業(yè)投資基金、湖北省科技投資集團共同出資組建長江存儲科技有限責任公司，武漢新芯整體并入長江存儲，成為長江存儲全資子公司。

武漢新芯自2012年開始布局三維集成技術，并于2013年成功將三維集成技術應用于背照式影像傳感器，良率高達99%，隨后陸續(xù)推出硅通孔（TSV）堆疊技術、混合鍵合（Hybrid Bonding）技術和多片晶圓堆疊技術。

晶圓級的三維集成技術為后摩爾時代芯片的設計和制造提供了新的解決方案，在對帶寬、性能、多功能集成等方面有重要需求的人工智能和物聯(lián)網(wǎng)領域擁有頗為廣泛的應用前景。