近日，全球人工智能領域最具影響力的年度盛會 NVIDIA GTC 2026 在美國加州圣何塞舉行。本屆大會以AI工業化與規模化應用為核心主題，重點聚焦加速計算、AI Factory建設以及數據中心能效升級等關鍵技術方向，成為全球AI產業發展的重要風向標。

在大會主題演講中，NVIDIA創始人兼CEO 黃仁勛表示，人工智能正進入由智能體(Agents)、物理AI(Physical AI)以及工業級部署驅動的新階段。隨著AI算力需求持續爆發，未來將形成萬億級算力基礎設施市場，推動AI產業從模型創新邁向大規模基礎設施建設。

在這一背景下，AI數據中心電力架構升級成為產業關注的重要方向。大會現場，多家電源與半導體企業集中展示了 800V HVDC(高壓直流)數據中心電源架構 的相關技術方案，覆蓋從服務器電源到多級DC-DC轉換模塊的完整電力系統生態。

作為 NVIDIA AI Factory MGX Ecosystem 的合作伙伴，英諾賽科(Innoscience)在大會上重點展示了 800V-to-50V 全氮化鎵電源模塊方案。該模塊位于AI服務器電源系統的關鍵前級轉換環節，采用英諾賽科最新的第三代氮化鎵器件(8顆650V GaN 和 32顆100V GaN),可將 800V高壓直流母線電壓直接轉換為50V服務器標準電壓，為后端GPU服務器提供穩定、高效的輸入電源。

同時，在NVIDIA本次現場展示的全套800V HVDC AI數據中心電源解決方案生態中，除了英諾賽科自己展示的方案以外，超過半數NVIDIA合作伙伴的電源系統方案，均以英諾賽科氮化鎵器件為核心構建，英諾賽科GaN已成為AI高壓直流供電架構的主流選擇。

相較于傳統硅基功率器件，英諾賽科的氮化鎵技術在800V架構應用中展現出顯著優勢：

高密度集成：依托氮化鎵器件的高頻特性，可顯著提升電源轉換頻率，實現模塊體積小型化與功率密度提升，更好適配AI服務器小型化、集約化的發展趨勢。

極致能效表現：氮化鎵器件具備更低的開關損耗與驅動損耗，可有效提升電源轉換效率，降低AI數據中心整體能耗水平。

顯著降低系統成本：在GW級AI數據中心部署中，800V HVDC架構能夠顯著降低電力傳輸電流，從而減少銅材使用量，并簡化配電系統結構，降低整體建設與運維成本。

根據產業測算，在理想情況下，單個MW級AI機柜的GaN潛在價值可超過17萬美元，而單一GW級AI數據中心的GaN潛在價值規模可達到約1.8億美元，顯示出氮化鎵在AI基礎設施中的巨大應用潛力。

作為全球最大的氮化鎵功率半導體供應商之一，英諾賽科持續推動氮化鎵技術在數據中心、電動汽車、消費電子及工業電源等領域的規模化應用。隨著AI算力需求持續增長，800V HVDC電源架構正逐步成為下一代AI數據中心的重要技術方向。

英諾賽科憑借在氮化鎵功率器件領域的技術積累，以高效率、高功率密度和高可靠性的電力解決方案，為AI基礎設施建設提供關鍵支撐，助力推動全球AI產業邁向規模化落地的新階段。

英諾賽科(香港聯合交易所股票代碼:02577.HK)是全球氮化鎵工藝創新與功率器件制造領導者。英諾賽科的器件設計與性能樹立了全球氮化鎵技術標桿，持續迭代創新的企業文化將加速氮化鎵性能提升與市場普及。公司的氮化鎵產品廣泛應用于低壓、中壓和高壓產品領域，涵蓋了從 15V至1200V的氮化鎵工藝節點。公司的晶圓、分立器件、集成功率集成電路(IC)以及模組產品為客戶提供了強勁可靠的氮化鎵(GaN)解決方案。憑借已授權及申請中的專利布局，英諾賽科產品以高可靠性、性能與功能優勢，服務于消費電子、汽車電子、數據中心、可再生能源及工業電源領域，開創氮化鎵技術的光明未來。