深入解析FQP8N80C/FQPF8N80C/FQPF8N80CYDTU N - 通道QFET? MOSFET
深入解析FQP8N80C/FQPF8N80C/FQPF8N80CYDTU N - 通道QFET? MOSFET
一、引言
在電子工程師的日常設計工作中，MOSFET是一種常見且關鍵的電子元件。今天我們要詳細探討的是Fairchild Semiconductor的FQP8N80C、FQPF8N80C和FQPF8N80CYDTU這三款N - 通道QFET? MOSFET。隨著Fairchild Semiconductor被ON Semiconductor整合，我們在使用這些元件時也需要注意一些變化。
文件下載：FQPF8N80C-D.pdf
二、整合相關注意事項
由于Fairchild Semiconductor與ON Semiconductor的整合，部分Fairchild可訂購的零件編號需要更改以符合ON Semiconductor的系統要求。因為ON Semiconductor的產品管理系統無法處理帶有下劃線（）的零件命名，所以Fairchild零件編號中的下劃線（）將更改為破折號（ - ）。在查閱文檔時，若文檔中包含帶有下劃線（_）的設備編號，需到ON Semiconductor網站核實更新后的設備編號。
三、產品概述
（一）基本信息
這三款N - 通道增強型功率MOSFET采用了Fairchild Semiconductor專有的平面條紋和DMOS技術。這種先進的MOSFET技術經過特別設計，旨在降低導通電阻，提供卓越的開關性能和高雪崩能量強度。它們適用于開關模式電源、有源功率因數校正（PFC）和電子燈鎮流器等應用。
（二）主要特性
- 電氣參數：在(V{GS}=10V)、(I{D}=4.0A)的條件下，最大漏源導通電阻(R_{DS(on)} = 1.55Ω)，漏極電流可達8.0A，耐壓為800V。
- 低電荷與電容：典型柵極電荷為35nC，典型反向傳輸電容(C_{rss})為13pF，有助于降低開關損耗。
- 雪崩測試：經過100%雪崩測試，保證了在雪崩情況下的可靠性。
四、產品參數
（一）絕對最大額定值
| Symbol | Parameter | FQP8N80C | FQPF8N80C | Unit |
|---|---|---|---|---|
| (V_{DSS}) | 漏源電壓 | 800 | V | |
| (I{D})（(T{C}=25°C)） | 連續漏極電流 | 8 | 8* | A |
| (I{D})（(T{C}=100°C)） | 連續漏極電流 | 5.1 | 5.1* | A |
| (I_{DM}) | 脈沖漏極電流 | 32 | 32* | A |
| (V_{GSS}) | 柵源電壓 | ±30 | V | |
| (E_{AS}) | 單脈沖雪崩能量 | 850 | mJ | |
| (I_{AR}) | 雪崩電流 | 8 | A | |
| (E_{AR}) | 重復雪崩能量 | 17.8 | mJ | |
| (dv/dt) | 峰值二極管恢復(dv/dt) | 4.5 | V/ns | |
| (P{D})（(T{C}=25°C)） | 功率耗散 | 178 | W | |
| 降額系數 | 1.43 | 0.48 | W/°C | |
| (T{J}, T{STG}) | 工作和存儲溫度范圍 | -55 to +150 | °C | |
| (T_{L}) | 焊接時最大引腳溫度 | 300 | °C |
注：*漏極電流受最大結溫限制。
（二）熱特性
| Symbol | Parameter | FQP8N80C | FQPF8N80C | Unit |
|---|---|---|---|---|
| (R_{θJC}) | 結到殼的熱阻（最大） | 0.89 | 2.66 | °C / W |
| (R_{θCS}) | 殼到散熱器的熱阻（典型，最大） | 0.5 | -- | °C / W |
| (R_{θJA}) | 結到環境的熱阻（最大） | 62.5 | 62.5 | °C / W |
（三）電氣特性
- 關斷特性：包括漏源擊穿電壓(BV{DSS})、擊穿電壓溫度系數(Delta BV{DSS})、零柵壓漏極電流(I{DSS})、柵體正向和反向泄漏電流(I{GSSF})和(I_{GSSR})等參數。
- 導通特性：柵極閾值電壓(V{GS(th)})、靜態漏源導通電阻(R{DS(on)})、正向跨導(g_{fs})等。
- 動態特性：輸入電容(C{iss})、輸出電容(C{oss})、反向傳輸電容(C_{rss})等。
- 開關特性：包括導通延遲時間(t{d(on)})、導通上升時間(t{r})、關斷延遲時間(t{d(off)})、關斷下降時間(t{f})以及柵極總電荷(Q{g})、柵漏電荷(Q{gd})、柵源電荷(Q_{gs})等。
- 漏源二極管特性：最大連續漏源二極管正向電流(I{S})、最大脈沖漏源二極管正向電流(I{SM})、漏源二極管正向電壓(V{SD})、反向恢復時間(t{rr})和反向恢復電荷(Q_{rr})等。
五、典型特性
文檔中給出了多個典型特性圖，如導通區域特性、傳輸特性、導通電阻隨漏極電流和柵極電壓的變化、體二極管正向電壓隨源極電流和溫度的變化、電容特性、柵極電荷特性、擊穿電壓隨溫度的變化、導通電阻隨溫度的變化、最大安全工作區、最大漏極電流隨殼溫的變化、瞬態熱響應曲線等。這些特性圖對于工程師在實際設計中評估器件性能和進行參數優化非常有幫助。
六、封裝與訂購信息
| Part Number | Top Mark | Package | Packing Method | Reel Size | Tape Width | Quantity |
|---|---|---|---|---|---|---|
| FQP8N80C | FQP8N80C | TO - 220 | Tube | N/A | N/A | 50 units |
| FQPF8N80C | FQPF8N80C | TO - 220F | Tube | N/A | N/A | 50 units |
| FQPF8N80CYDTU | FQPF8N80C (Y - formed) | TO - 220F | Tube | N/A | N/A | 50 units |
七、注意事項
（一）使用限制
ON Semiconductor產品不設計、不打算也未獲授權用于生命支持系統、FDA 3類醫療設備或具有相同或類似分類的外國醫療設備，以及任何打算植入人體的設備。若買方將產品用于此類未預期或未授權的應用，需承擔相關責任。
（二）產品狀態定義
不同的數據表標識對應不同的產品狀態，如“Advance Information”表示產品處于設計階段，規格可能隨時更改；“Preliminary”表示首次生產，數據為初步數據；“No Identification Needed”表示全面生產，規格為最終規格，但仍可能更改；“Obsolete”表示產品已停產，數據表僅作參考。
（三）反假冒政策
Fairchild Semiconductor采取了強有力的措施來保護自身和客戶免受假冒零件的侵害。建議客戶直接從Fairchild或其授權經銷商處購買產品，以確保產品的真實性、可追溯性和質量。
八、總結
FQP8N80C、FQPF8N80C和FQPF8N80CYDTU這三款N - 通道QFET? MOSFET具有出色的性能和廣泛的應用前景。在使用過程中，電子工程師需要關注整合帶來的零件編號變化，同時嚴格遵守產品的使用限制和注意事項。通過對產品參數和典型特性的深入了解，工程師可以更好地將這些器件應用到實際設計中，實現更高效、可靠的電路設計。你在使用這些MOSFET時遇到過哪些問題呢？歡迎在評論區分享你的經驗和見解。
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工商網監
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