onsemi N溝道MOSFET FQP9N90C與FQPF9N90CT深度剖析

作為電子工程師，在設計電路時，MOSFET的選擇至關重要。今天，我們就來深入了解一下onsemi推出的兩款N溝道增強型功率MOSFET——FQP9N90C和FQPF9N90CT。

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產品概述

這兩款MOSFET采用了onsemi專有的平面條紋和DMOS技術。這種先進的MOSFET技術經過特別設計，旨在降低導通電阻，同時提供卓越的開關性能和高雪崩能量強度。它們適用于開關模式電源、有源功率因數校正（PFC）以及電子燈鎮流器等應用場景。

產品特性

電氣性能

• 高耐壓大電流：能夠承受900V的漏源電壓，連續漏極電流在(T{C}=25^{circ}C)時可達8.0A，即使在(T{C}=100^{circ}C)時也有2.8A。脈沖漏極電流更是高達32A，足以應對各種高功率需求。
• 低導通電阻：在(V{GS}=10V)，(I{D}=4A)的條件下，(R_{DS(on)})最大僅為1.4Ω，有效降低了功率損耗。
• 低柵極電荷：典型值為45nC，這意味著在開關過程中能夠更快地完成充電和放電，從而提高開關速度，減少開關損耗。
• 低反饋電容：(C_{rss})典型值為14pF，有助于降低開關過程中的干擾和振蕩，提高電路的穩定性。
• 雪崩測試：經過100%雪崩測試，保證了在雪崩情況下的可靠性，能夠承受一定的過電壓和過電流沖擊。

環保特性

這兩款器件符合無鉛、無鹵化物和RoHS標準，滿足環保要求，為綠色電子設計提供了支持。

產品參數

最大額定值

熱特性

電氣特性

關斷特性

• (B_{V DSS})（漏源擊穿電壓）：在(V{GS}=0V)，(I{D}=250mu A)時，最小值為900V。
• (I_{DSS})（零柵壓漏極電流）：在(V{DS}=900V)，(V{GS}=0V)時，最大值為10(mu A)；在(V{DS}=720V)，(T{C}=125^{circ}C)時，最大值為10(mu A)。
• (I_{GSSF})（正向柵體泄漏電流）：在(V{GS}=30V)，(V{DS}=0V)時，最大值為100nA。
• (I_{GSSR})（反向柵體泄漏電流）：在(V{GS}=-30V)，(V{DS}=0V)時，最大值為 -100nA。

導通特性

• (V_{GS(th)})（柵源閾值電壓）：在(V{DS}=V{GS})，(I_{D}=250mu A)時，范圍為3.0 - 5.0V。
• (R_{DS(on)})（靜態漏源導通電阻）：在(V{GS}=10V)，(I{D}=4A)時，典型值為1.12Ω，最大值為1.4Ω。
• (g_{FS})（正向跨導）：在(V{DS}=40V)，(I{D}=4A)時，典型值為9.2S。

動態特性

• (C_{iss})（輸入電容）：在(V{DS}=25V)，(V{GS}=0V)，(f = 1.0MHz)時，范圍為2100 - 2730pF。
• (C_{oss})（輸出電容）：范圍為175 - 230pF。
• (C_{rss})（反向傳輸電容）：范圍為14 - 18pF。

開關特性

• (t_{d(on)})（導通延遲時間）：在(V{DD}=450V)，(I{D}=9.0A)，(R_{G}=25Omega)時，典型值為50ns，最大值為110ns。
• (t_{d(off)})（關斷延遲時間）：典型值為100ns，最大值為210ns。
• (t_{r})（導通上升時間）：典型值為75ns，最大值為160ns。
• (t_{f})（關斷下降時間）：典型值為18ns。

漏源二極管特性

• (I_{SM})（最大脈沖漏源二極管正向電流）：8.0A。
• (V_{SP})（正向壓降）：在(V{GS}=0V)，(I{S}=100A)時，為1.4V。
• (t_{rr})（反向恢復時間）：550ns。
• (Q_{m})（反向恢復電荷）：6.5(mu C)。

典型特性曲線

文檔中給出了一系列典型特性曲線，包括導通區域特性、傳輸特性、導通電阻隨漏極電流和柵極電壓的變化、體二極管正向電壓隨源極電流和溫度的變化、電容特性、柵極電荷特性、擊穿電壓隨溫度的變化、導通電阻隨溫度的變化、最大安全工作區以及瞬態熱響應曲線等。這些曲線為工程師在實際應用中提供了重要的參考依據，幫助我們更好地理解器件的性能和特性。

封裝信息

封裝類型

• FQP9N90C采用TO - 220（無鉛）封裝。
• FQPF9N90CT采用TO - 220 - 3F（無鉛）封裝。

包裝規格

兩款器件均以1000個/管的規格進行包裝。如果需要了解卷帶包裝規格，可參考BRD8011/D手冊。

測試電路與波形

文檔中還給出了柵極電荷測試電路與波形、電阻性開關測試電路與波形、無鉗位電感開關測試電路與波形以及峰值二極管恢復(dv/dt)測試電路與波形等。這些測試電路和波形有助于工程師在實際測試和驗證過程中準確測量器件的各項性能指標。

總結

onsemi的FQP9N90C和FQPF9N90CT N溝道MOSFET憑借其出色的電氣性能、環保特性以及豐富的參數和特性曲線，為電子工程師在開關模式電源、PFC和電子燈鎮流器等應用中提供了可靠的選擇。在實際設計中，我們可以根據具體的應用需求，結合這些特性和參數，合理選擇和使用這兩款器件，以實現電路的優化設計。大家在使用過程中有沒有遇到過什么問題呢？歡迎在評論區分享交流。