品質(zhì)因數(shù)FOM是半導體性能的量化指標之一。MOSFET的FOM由漏-源導通電阻與器件的一個或多個參數(shù)的乘積得出。FOM值越低，器件性能越好。

如下是對SiC MOSFET具有重要意義的品質(zhì)因數(shù)：

RDS(on)*Area: 這是最常用的FOM，它代表了MOSFET技術的進步

RDS(ON)× Qg: 綜合反映靜態(tài)導通損耗與柵極驅(qū)動損耗，是器件選型與代際對比的基礎指標

RDS(ON)× Coss:軟開關核心指標，決定輕載損耗與諧振頻率，F(xiàn)OM 越小，輕載效率越高、可工作頻率越高

RDS(ON)× Eoss: 評估輕載 / 待機損耗，Eoss越小，輕載下充放電損耗越低

器件數(shù)據(jù)手冊通常不會給出FOM值。英飛凌推出的1200V第二代CoolSiC MOSFET，采用先進的溝槽柵SiC技術，實現(xiàn)了品質(zhì)因數(shù)的全面突破。CoolSiC MOSFET G2能夠?qū)崿F(xiàn)超低導通電阻與低輸出電容的完美結合，助力系統(tǒng)設計更緊湊、更經(jīng)濟。其業(yè)界領先的柵極電荷和輸出電容特性，顯著降低了開關損耗，提升了高頻操作下的能效。此外，高柵-源閾值電壓設計有效防止了寄生導通，確保了系統(tǒng)的穩(wěn)定運行。無論是硬開關還是軟開關應用，CoolSiC MOSFET都能提供靈活的設計空間，助力工程師打造卓越、高性能的解決方案。