電子發(fā)燒友網(wǎng)報(bào)道英諾賽科公布，公司旗下相關(guān)產(chǎn)品已完成了在谷歌公司相關(guān)AI硬件平臺(tái)的重要設(shè)計(jì)導(dǎo)入，并簽訂了合規(guī)的供貨協(xié)議。這再次彰顯了公司在技術(shù)先進(jìn)性、產(chǎn)品性能和質(zhì)量等方面在氮化鎵行業(yè)的領(lǐng)先地位。

基于當(dāng)前的項(xiàng)目開發(fā)與客戶對(duì)接進(jìn)展，公司將聚焦于AI服務(wù)器、數(shù)據(jù)中心等高增長(zhǎng)潛力領(lǐng)域，積極與產(chǎn)業(yè)鏈合作伙伴協(xié)作，合規(guī)地開展相關(guān)產(chǎn)品的商業(yè)化落地，滿足市場(chǎng)及客戶需求。

作為英偉達(dá)800VHVDC芯片端唯一的中國(guó)供應(yīng)商，英諾賽科表示公司是唯一實(shí)現(xiàn)1200V至15V氮化鎵量產(chǎn)的公司，可提供從800V到1V的全鏈路解決方案。這使英諾賽科成為唯一有能力為所有轉(zhuǎn)換階段提供全GaN功率解決方案的供應(yīng)商，從容應(yīng)對(duì)未來架構(gòu)為滿足更高功率需求的演變。

在800V輸入側(cè)，英諾賽科氮化鎵（GaN）與碳化硅（SiC）相比在每個(gè)開關(guān)半周期內(nèi)可降低80%的驅(qū)動(dòng)損耗和50%的開關(guān)損耗，從而實(shí)現(xiàn)整體功耗降低10%。

在54V輸出端，僅需16顆英諾賽科氮化鎵器件即可實(shí)現(xiàn)與32顆硅MOSFET相同的導(dǎo)通損耗，不僅將功率密度提升一倍，還使驅(qū)動(dòng)損耗降低90%。

與現(xiàn)有機(jī)架架構(gòu)中的硅MOSFET相比，800VDC的低壓電源轉(zhuǎn)換階段采用氮化鎵材料可將開關(guān)損耗降低70%，并在相同體積內(nèi)實(shí)現(xiàn)功率輸出提升40%，大幅提升功率密度。

基于氮化鎵的低壓功率級(jí)可擴(kuò)展以支持更高功率的GPU型號(hào)，其動(dòng)態(tài)響應(yīng)得到提升，同時(shí)降低了電路板上的電容成本。