AGMSEMI 推出的 AGM65N20AT 是一款面向 200V 高壓中功率場景的 N 溝道增強(qiáng)型功率 MOSFET，采用 TO-247 封裝，適配高壓電源管理、同步整流等領(lǐng)域。

一、產(chǎn)品基本信息

• 器件類型：N 溝道增強(qiáng)型功率 MOSFET（溝槽工藝）
• 核心參數(shù)：
  • 漏源極擊穿電壓（VDSS?）：200V，適配高壓供電場景；
  • 導(dǎo)通電阻（RDS(ON)?）：17mΩ（VGS?=10V），高壓場景下傳導(dǎo)損耗可控；
  • 連續(xù)漏極電流（ID?）：TC?=25°C時 75A、TC?=100°C時 52A，承載能力較強(qiáng)；
  • 脈沖漏極電流（IDM?）：300A（TC?=25°C），可應(yīng)對瞬時大電流沖擊。

二、核心特性

• 先進(jìn)溝槽工藝：高集成度設(shè)計，導(dǎo)通損耗與開關(guān)損耗平衡，適配高壓場景；
• 低柵極電荷：開關(guān)速度快，提升電路能效；
• 高可靠性：通過 100% 雪崩測試，單脈沖雪崩能量達(dá) 135mJ，抗沖擊能力強(qiáng)；
• TO-247 封裝：直插封裝散熱性能優(yōu)異，適配大功率電路。

三、關(guān)鍵電氣參數(shù)（TC?=25°C，除非特殊說明）

四、封裝與應(yīng)用場景

• 封裝形式：TO-247 直插封裝，包裝規(guī)格為 450pcs / 卷；
• 典型應(yīng)用：
  • 200V 級高壓 DC/DC 轉(zhuǎn)換器；
  • 同步整流電路；
  • 工業(yè)設(shè)備的高壓負(fù)載開關(guān)；
  • 電機(jī)驅(qū)動系統(tǒng)。

五、信息來源

AGMSEMI 官方數(shù)據(jù)手冊（注：以上參數(shù)基于手冊標(biāo)注整理，實際以最新版資料為準(zhǔn)。）