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環(huán)旭電子探尋玻璃核心基板上的系統(tǒng)模組技術(shù)

環(huán)旭電子 USI ? 來源:環(huán)旭電子 USI ? 2025-12-23 13:39 ? 次閱讀
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講者: 沈里正博士 (Dr. Li-Cheng Shen),環(huán)電微小化創(chuàng)新研發(fā)中心 (MCC) 副總

今年(2025),環(huán)電的沈里正博士受邀擔(dān)任IMPACT 2025 研討會主題講者,在會議期間,沈博士亦代表 Hi-CHIP 聯(lián)盟(該聯(lián)盟包含欣興電子 Unimicron 及工研院 ITRI 等產(chǎn)業(yè)關(guān)鍵角色),發(fā)表了題為「玻璃核心基板上的系統(tǒng)模組 (SoMoG)」的主題演講,直指汽車產(chǎn)業(yè)的關(guān)鍵轉(zhuǎn)折點(diǎn)。

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隨著車用電子架構(gòu)從分散式系統(tǒng)轉(zhuǎn)向集中化的「區(qū)域」(Zonal) 運(yùn)算,汽車正演變?yōu)橐苿淤Y料中心,這對 HPC 模組的尺寸、功耗和散熱管理帶來了巨大壓力。同時,沈博士也表示,透過嚴(yán)謹(jǐn)?shù)摹富鶞?zhǔn)一致」比較,證明玻璃核心基板正是解答。這項(xiàng)技術(shù)不僅是替代材料,更是實(shí)現(xiàn)「設(shè)計(jì)自由度」的催化劑,讓工程師得以打破電氣性能與機(jī)械穩(wěn)定性之間的傳統(tǒng)妥協(xié),為下一代車用電子樹立了新標(biāo)竿。

典范轉(zhuǎn)移:汽車產(chǎn)業(yè)從云端到邊緣的演進(jìn)

沈博士將本研究置于汽車產(chǎn)業(yè)從分散式架構(gòu)轉(zhuǎn)向集中式「區(qū)域化」(Zonal) 運(yùn)算的巨大變革中。隨著車輛演變?yōu)椤高吘壻Y料中心」與「移動云端」,對強(qiáng)大且具成本效益 CPU 的需求,驅(qū)使 HPC 模組朝向更大尺寸與更高耗能發(fā)展。這種集中化帶來了嚴(yán)峻的電性效能、散熱、機(jī)械應(yīng)力翹曲、可靠度等挑戰(zhàn),促使環(huán)電探討一個關(guān)鍵問題:「我們能利用玻璃核心基板做得更好嗎?」

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Fig 3. 車輛電子架構(gòu)的典范轉(zhuǎn)移

為何選擇玻璃?材料優(yōu)勢分析

環(huán)電對玻璃材料的興趣,源于其能解決 HPC 時代有機(jī)基板局限性的特定材料特性。沈博士強(qiáng)調(diào)了玻璃的幾項(xiàng)關(guān)鍵優(yōu)勢:

卓越的電氣性能: 玻璃具有極低的介電損耗 (Dielectric loss) 和高絕緣電阻,這對于高速訊號完整性至關(guān)重要。

物理穩(wěn)定度: 玻璃的超平滑表面允許更精細(xì)的線寬和線距 (Fine-pitch interconnects),而其優(yōu)異的尺寸安定性則支援大尺寸面板的制程。

可調(diào)控的熱膨脹系數(shù) (Tunable CTE): 這或許是本次演講強(qiáng)調(diào)最關(guān)鍵的特性。與有機(jī)材料不同,玻璃的 CTE 可以被調(diào)整以與硅晶片 (Silicon die) 及 PCB 主機(jī)板相匹配,這種靈活性成為后續(xù)機(jī)械模擬結(jié)果的焦點(diǎn)。

性能分析:設(shè)計(jì)的三位一體

沈博士的演講核心聚焦于性能的三大支柱:電氣、機(jī)械與散熱。

1. 電氣性能:釋放高頻潛力

電氣性能的模擬結(jié)果極具潛力。研究重點(diǎn)在于玻璃通孔 (Through Glass Vias, TGV),即玻璃核心內(nèi)部的垂直互連技術(shù)。沈博士展示的數(shù)據(jù)顯示,隨著 TGV 間距 (Pitch) 的縮小(從 800μm 降至 400μm 甚至 200μm),回波損耗 (Return Loss) 獲得了顯著改善。具體而言,細(xì)間距 TGV 提供了更短的訊號回流路徑,從而提升了訊號完整性。

一項(xiàng)有趣的發(fā)現(xiàn)與核心厚度有關(guān)。通常情況下,較厚的有機(jī)核心層會降低電氣傳輸性能。然而,環(huán)電發(fā)現(xiàn),在玻璃材質(zhì)下,將核心厚度從 500μm 增加到 1mm(同時配合細(xì)間距 TGV)實(shí)際上改善了頻寬表現(xiàn),如以 -15dB 回波損耗為基準(zhǔn),頻寬可以從 43 GHz 提升至接近 60 GHz。這為工程師提供了一個新的設(shè)計(jì)杠桿:他們可以使用更厚的玻璃來增強(qiáng)機(jī)械剛性,而不必犧牲電氣性能。

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Fig 4. 1mm 核心中的 TGV 電氣性能

2. 機(jī)械性能:翹曲帶來的驚喜

機(jī)械模擬部分為供應(yīng)鏈提供了最關(guān)鍵的見解。業(yè)界最初的假設(shè)通常是:因?yàn)椴AЬ哂械?CTE(類似于硅),它理應(yīng)能自然地減少翹曲 (Warpage)。然而,沈博士揭示,若僅將有機(jī)材料替換為低 CTE (3.25 ppm) 的玻璃,實(shí)際上在模擬中會使翹曲惡化。這是因?yàn)橄到y(tǒng)模組 (SoM) 是一個復(fù)合結(jié)構(gòu),不僅包含硅晶片 (CTE ~3 ppm),還包含模塑化合物 (Molding compound)、銅和其他具有不同膨脹率的元件。

透過虛擬實(shí)驗(yàn)設(shè)計(jì) (DOE),環(huán)電模擬了從 3.25 ppm 到 13 ppm 的各種玻璃 CTE 數(shù)值。他們發(fā)現(xiàn)了一個「最佳甜蜜點(diǎn)」,大約在 12 ppm 左右附近。在這個范圍內(nèi),與有機(jī)基準(zhǔn)相比,翹曲得到了顯著降低。這項(xiàng)發(fā)現(xiàn)對材料選擇影響深遠(yuǎn):環(huán)電指出,對于模組級整合而言,理想的玻璃核心不一定是CTE越小越好,而是要能平衡整個封裝應(yīng)力的 CTE。

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Fig 5. 機(jī)械性能:翹曲與 CTE 優(yōu)化

3. 散熱管理:積少成多的增益

散熱在 HPC 中始終是一大挑戰(zhàn)。模擬比較了有機(jī)核心 (熱導(dǎo)率約 0.58 W/mK) 與玻璃核心 (1.2 W/mK) 的差異。結(jié)果顯示,玻璃核心展現(xiàn)了一致的散熱改善,將熱點(diǎn)溫度降低了約 3°C。雖然這不是「巨大」的差異,但在高效能運(yùn)算的世界里,每一度都至關(guān)重要。此外,研究探討了「側(cè)壁鍍銅 (Conformal)」(僅通孔孔壁鍍銅) 與「實(shí)心填銅 (Solid/Full filled)」(完全填滿通孔) 之間的差異。實(shí)心銅 TGV 提供了進(jìn)一步的散熱優(yōu)勢。

進(jìn)一步從系統(tǒng)的角度分析,顯示系統(tǒng)級的決策(例如使用高熱導(dǎo)率的 PCB 作為主機(jī)板),具有更大的影響力,能將溫度降低近 20°C。這凸顯了環(huán)電在系統(tǒng)級整合方面的優(yōu)勢,不僅能針對模組,還能針對整個運(yùn)作環(huán)境向客戶提供建議。

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Fig 6. 熱模擬結(jié)果熱圖

發(fā)展藍(lán)圖:從模擬到量產(chǎn)

沈博士在技術(shù)深入探討的最后,概述了 SoMoG 專案的發(fā)展藍(lán)圖。模擬已成功驗(yàn)證了設(shè)計(jì)概念,確認(rèn)玻璃核心基板具備更優(yōu)異的電氣頻寬、更好的散熱能力,且若 CTE 調(diào)整得當(dāng),將擁有更佳的機(jī)械翹曲穩(wěn)定性。在 IMPACT 2025 發(fā)表的「玻璃核心基板上的系統(tǒng)模組」不僅僅是一份研究報(bào)告,更是環(huán)電技術(shù)能力的宣言。透過主導(dǎo)這項(xiàng)研究,環(huán)電向客戶及全球供應(yīng)鏈展示了幾項(xiàng)關(guān)鍵優(yōu)勢:

設(shè)計(jì)自由度與靈活性: 環(huán)電證明了無需在電氣性能與機(jī)械可靠性之間做出妥協(xié)。透過利用玻璃的 可調(diào)控 CTE 和 細(xì)間距 TGV,環(huán)電能設(shè)計(jì)出比現(xiàn)有有機(jī)解決方案在電氣上更快、在機(jī)械結(jié)構(gòu)上更平整的模組。

系統(tǒng)級優(yōu)化能力: 環(huán)電的服務(wù)超越了單純的組裝。其在散熱管理 (建議主機(jī)板 PCB 材料) 和翹曲模擬 (建議玻璃供應(yīng)商最佳 CTE) 方面的洞察力,證明了環(huán)電足以擔(dān)任真正的技術(shù)顧問與解決方案提供者。

先進(jìn)制程能力: 過渡到玻璃技術(shù)需要處理新材料、雷射制程及金屬對金屬 (M2M) 鍵合技術(shù)。環(huán)電在 Hi-CHIP 聯(lián)盟中的積極領(lǐng)導(dǎo)地位,確保了其處于建立這些制造標(biāo)準(zhǔn)的最前線。

從概念到實(shí)現(xiàn):Hi-CHIP 聯(lián)盟的技術(shù)藍(lán)圖

總結(jié)來說,隨著汽車產(chǎn)業(yè)加速邁向集中式高效能運(yùn)算,環(huán)電將自己定位為不僅是制造商,更是能夠駕馭構(gòu)建下一代智慧車輛所需復(fù)雜材料物理的關(guān)鍵開發(fā)合作伙伴。對于希望克服現(xiàn)有有機(jī)基板散熱和訊號完整性瓶頸的汽車 OEM 和晶片制造商,環(huán)電的 SoMoG 平臺提供了一條經(jīng)過驗(yàn)證且有數(shù)據(jù)支持的途徑。我們邀請合作伙伴與我們的微小化技術(shù)中心 (MCC) 接洽,共同探討如何將這些玻璃核心技術(shù)應(yīng)用于您特定的下一代車輛架構(gòu)中。

聲明:本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點(diǎn)僅代表作者本人,不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場。文章及其配圖僅供工程師學(xué)習(xí)之用,如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問題,請聯(lián)系本站處理。 舉報(bào)投訴
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原文標(biāo)題:駕馭車用 HPC:探尋玻璃基板系統(tǒng)模組(SoMoG) 技術(shù)的「最佳甜蜜點(diǎn)」

文章出處:【微信號:環(huán)旭電子 USI,微信公眾號:環(huán)旭電子 USI】歡迎添加關(guān)注!文章轉(zhuǎn)載請注明出處。

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