電子發燒友網綜合報道，日前，受到存儲芯片結構性調整帶來的部分產品缺貨漲價的影響，以及出于優化能耗的考慮等，一些芯片廠商已經開始轉向新的存儲產品例如LPDDR5/5X的遷移。包括英偉達、瑞芯微等廠商都發布了相關切換舉措。

瑞芯微RK3588適配長鑫存儲LPDDR5系列芯片

由于DDR4、LPDDR4 等前代產品的供應鏈緊張態勢難以緩解，瑞芯微自 2021 年起便啟動 LPDDR5/5X 顆粒適配工作，歷經近五年技術沉淀與實踐驗證，已積累豐富的產品化經驗。瑞芯微表示，在當前的存儲市場背景下，RK3588和RK3576依然是客戶面向未來的最優SoC 選擇。

長鑫存儲作為國內DRAM產業的領軍企業，其技術迭代進度與產能釋放節奏對下游應用生態構建具有關鍵支撐作用。其LPDDR5系列芯片的推出，為國內AIoT產業核心部件的自主化供應提供了強有力保障。

近年來，瑞芯微已完成對長鑫存儲DDR4/LPDDR4/LPDDR4X/LPDDR5/LPDDR5X 顆粒的全面兼容性驗證與適配優化，實現技術協同落地。相關LPDDR5顆粒型號如下：
瑞芯微已經正式開放RK3588與RK3576系列的LPDDR5/5X方案模板，助力客戶加速產品設計轉型，從容應對市場供應鏈變化。
方案模板中包含的245球（12.5x8.3mm）LPDDR5/5X封裝為新增行業標準。相較于傳統315球（12.4x15mm）封裝，其面積縮減近50%。智能手機市場轉向分離式存儲設計過程中，該封裝方案已呈現明顯選型偏好。為應對后續存儲市場波動、拓寬供應渠道，瑞芯微已提前完成該封裝類型的適配開發工作。

未來，瑞芯微將持續跟蹤全球存儲市場動態，深化與長鑫存儲等國產存儲廠商的技術協同與生態融合，為AIoT終端客戶提供性能、供應鏈穩定性與成本控制三者兼顧的優質解決方案。

英偉達AI服務器DDR5轉LPPDR5X

近日，市場研究機構Counterpoint Research發布報告稱，英偉達近期決定將AI服務器的內存芯片從傳統服務器使用的DDR5轉向通常用于手機和平板電腦的低功耗LPDDR芯片，以降低服務器能耗成本。

報告中指出，英偉達此次技術路線調整將對內存供應鏈造成"地震式"沖擊。該公司原本采用DDR5內存芯片用于AI服務器，但近期決定轉向LPDDR低功耗內存芯片。

分析指出，服務器內存價格上漲將提高云服務提供商和AI開發商的成本，進一步加大數據中心預算壓力。目前這些企業已因圖形處理器和電力升級的創紀錄支出而面臨財務緊張。Counterpoint預計，2025年第一季度至2026年底，服務器內存芯片DDR5 64GB RDIMM DRAM模塊價格將上漲一倍。這一價格上漲將直接推高云服務提供商和AI開發商的運營成本。

不過，Counterpoint表示，目前的供應鏈尚未做好應對這一規模需求的準備。低端市場的供應緊張存在向上傳導的風險。芯片制造商目前正權衡是否將更多工廠產能轉向LPDDR生產以滿足英偉達的需求，這可能進一步加劇其他內存產品的供應緊張。

閃存市場指出，英偉達在其AI服務器中搭載LPDDR5X的SOCAMM2模塊應用中將引入更多供應商，而高頻率高容量的LPDDR5X/D5同樣需要采用1bnm等先進DRAM制程。因此，2026年存儲原廠將繼續縮減1znm制程供應，加速轉向1b/1cnm、1γ等先進DRAM制程，以滿足AI服務器市場的新增存儲需求。

SOCAMM技術定位為面向AI服務器的新型高帶寬、低功耗內存解決方案，其設計目標是在提供與HBM（高帶寬內存）相近性能的同時，有效降低成本。通過將LPDRAM與壓縮連接內存模塊 (CAMM) 搭配使用，以革命性的全新外形尺寸提供卓越的性能和能效，相比傳統的DDR5 RDIMM 配置更節省空間，且功耗低三分之一。

美光對 LPDDR5X 內存（通過 NVLink 與 NVIDIA GH200 Grace Hopper Superchip 連接）和傳統 DDR5 內存（在 x86 系統上通過 PCIe 與 Hopper GPU 連接）進行了對比測試，結果表明，LPDDR5X 內存可實現至關重要的性能提升。在使用 Meta Llama3 70B 測試推理性能時，低功耗內存系統相比傳統內存的表現，推理吞吐量提高 4 倍，延遲降低近 80%，能耗降低 73%。

隨著 AI 的發展，對數據中心內部計算和內存的需求越來越高，類似 LPDDR5X 之類的先進內存技術正在助力數據中心實現可持續計算，使數據中心的運營更有效率。低功耗內存可加速推理等 AI 任務的性能，同時減少用電量，使數據中心能以更低成本完成更多工作。低功耗內存的使用實踐表明，未來的 AI 應用可以是節能型應用。

Q4 LPDDR預估

閃存市場發布2025年Q4存儲市場展望報告指出，預計四季度，服務器eSSD漲幅將達到10%以上，DDR5 RDIMM價格漲幅約10%~15%；Mobile嵌入式NAND漲幅約5%~10%，LPDDR4X/5X漲幅約10%~15%；PC端LPDDR5X/D5價格漲幅預計將落在10%~15%，cSSD價格漲幅達5%~10%。

閃存市場表示，由于原廠產能持續向服務器市場傾斜，持續削減舊制程的LPDDR4X供應，同時部分9600MHz LPDDR5X供應與服務器DRAM產能沖突，嵌入式DRAM供應呈現明顯短缺的市況，LPDDR4X缺貨對部分手機品牌出貨造成實際影響。另外，消費端對12GB LPDDR5X機型的實際需求有所增加，近期手機廠商陸續加單12GB LPDDR5X，而原廠面向Mobile市場的LPDDR5X供應滿足率偏低，令LPDDR4X/5X價格保持漲價的趨勢，Tier1手機客戶LPDDR4X/5X ASP將超過$0.35/Gb，不排除部分DRAM原廠的LPDDR4X價格將超過LPDDR5X。

AI PC搭載的LPDDR5X與部分服務器DRAM形成產能擠占效應，原廠優先保障服務器DDR5/LPDDR5X供應，推動DRAM資本支出和產能供應向高利潤的服務器 DRAM傾斜。PC DRAM整體供應有限下，預計四季度原廠對PC DDR5/LPDDR5X產品的價格漲幅將達到10%~15%。