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?TPS65296 完整 LPDDR4/LPDDR4X 內存電源解決方案技術文檔總結

科技綠洲 ? 2025-09-09 14:11 ? 次閱讀
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TPS65296器件以最低的總成本和最小的空間為 LPDDR4/LPDDR4X 存儲器系統提供完整的電源解決方案。它符合 LPDDR4/LPDDR4X 上電和斷電序列要求的 JEDEC 標準。該TPS65296集成了兩個同步降壓轉換器(VDD1和VDD2)和一個1.5A LDO(VDDQ)。

該TPS65296采用開關頻率為600kHz的D-CAP3?模式,可實現快速瞬態、良好的負載/線路調節,并支持無需外部補償電路的陶瓷輸出電容器
*附件:tps65296.pdf

該TPS65296通過內部低 Rdson 功率 MOSFET 提供豐富的功能和良好的效率。它支持靈活的電源狀態控制,在S3中將VDDQ置于高阻值,在S4/S5狀態下放電VDD1、VDD2和VDDQ。完整的保護功能包括 OVP、UVP、OCP、UVLO 和熱關斷保護。該器件采用耐熱增強型 18 引腳 HotRod? VQFN 封裝,設計用于在 –40°C 至 125°C 結溫范圍內工作。

特性

  • 同步降壓轉換器 (VDD2)
    • 輸入電壓范圍:4.5 V 至 18 V
    • 輸出電壓固定在 1.1 V
    • D-CAP3? 模式控制,實現快速瞬態響應
    • 連續輸出電流:8 A
    • 高級 Eco 模式?脈沖跳躍
    • 集成 22mΩ / 8.6mΩ R DS(開) 內部電源開關
    • 600 kHz 開關頻率
    • 內部軟啟動:1.6 ms
    • 逐周期過流保護
    • 鎖存輸出 OV/UV 保護
  • 同步降壓轉換器 (VDD1)
    • 輸入電壓范圍:3 V 至 5.5 V
    • 輸出電壓固定為 1.8 V
    • D-CAP3? 模式控制,實現快速瞬態響應
    • 連續輸出電流:1 A
    • 高級 Eco 模式?脈沖跳躍
    • 集成 150mΩ /120mΩ R DS(開) 內部電源開關
    • 580kHz 開關頻率
    • 內部軟啟動:1 ms
    • 逐周期過流保護
    • 鎖存輸出 OV/UV 保護
  • 1.5A LDO(VDDQ)
    • 1.5A 連續輸出電流
    • 僅需要 10 μF 的陶瓷輸出電容
    • 在 S3 中支持高阻
    • ±30mV VDDQ輸出精度(DC+AC
  • 低靜態電流:150 μA
  • 電源良好指示燈
  • 輸出放電功能
  • 上電和斷電排序控制
  • 用于 OT 和 UVLO 保護的非鎖存
  • 18引腳3.0mm×3.0mm HotRod? VQFN封裝

參數
image.png

方框圖
image.png

?1. 核心特性?

  • ?集成電源管理?:包含兩路同步降壓轉換器(VDD1: 1.8V/1A,VDD2: 1.1V/8A)和一路1.5A LDO(VDDQ),滿足JEDEC LPDDR4/LPDDR4X標準的上電/斷電時序要求。
  • ?高效控制技術?:
    • ?D-CAP3?模式?:支持快速瞬態響應,無需外部補償電路,兼容陶瓷輸出電容。
    • ? Advanced Eco-mode? ?:輕載時自動切換至脈沖跳躍模式,提升效率。
  • ?保護功能?:過壓(OVP)、欠壓(UVP)、過流(OCP)、熱關斷(TSD)及電源正常(PGOOD)指示。

?2. 關鍵參數?

  • ?輸入范圍?:
    • VDD2:4.5V-18V(PVIN),VDD1:3V-5.5V(PVIN_VDD1)。
  • ?開關頻率?:VDD2為600kHz,VDD1為580kHz。
  • ?封裝?:18引腳3mm×3mm HotRod? VQFN,工作溫度-40°C至125°C。

?3. 應用場景?

  • 筆記本電腦、平板電腦、工業PC及服務器內存供電。
  • 支持LPDDR4(需禁用VDDQ)和LPDDR4X(啟用VDDQ)兩種配置。

?4. 設計要點?

  • ?布局建議?:優先四層PCB,縮短高頻路徑(如SW節點),確保輸入/輸出電容貼近引腳。
  • ?典型電路?:需配置電感(VDD2: 0.68μH,VDD1: 4.7μH)、輸出電容(VDD2: 88-142μF)及自舉電容(0.1μF串聯5.1Ω)。

?5. 功能模式?

  • ?狀態控制?:通過VDD_EN/VDDQ_EN引腳實現S0(全開)、S3(VDDQ高阻)、S4/S5(全關放電)模式切換。
  • ?時序要求?:VDD1需始終高于VDD2電壓,VDDQ上電需在35μs內穩定。
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