電子發燒友網綜合報道，近日美光（Micron）宣布，正在交付全球首款基于1γ工藝的LPDDR5X內存樣品。該產品采用第六代10nm級別1γ（1-gamma）DRAM，速率達到10.7Gbps，可節省20%的電量，旨在加速旗艦智能手機上包括人工智能（AI）應用在內的執行數據密集型工作負載，帶來更快、更流暢的移動體驗和更長的電池續航時間。

1γ工藝的LPDDR5X是美光首款采用EUV光刻技術打造的移動解決方案，可獲得業界領先的容量密度。美光還利用包括下一代高K金屬柵極技術在內的CMOS技術，提升晶體管性能，實現更高的速率、更優化的設計和更小的特征尺寸，為1γ DRAM節點帶來功耗降低和性能擴展的雙重優勢。

該LPDDR5X提供業界最薄的0.61mm封裝，相比競爭對手的產品薄了6%，高度比上一代產品降低14%。更為小巧的LPDDR5X為智能手機制造商設計超薄或可折疊智能手機提供更多可能性。

美光正在向選定的合作伙伴提供基于1γ工藝的16GB LPDDR5X內存樣品，可選容量8GB至32GB，或將于2026年的旗艦智能手機采用。

去年，三星電子推出12納米級別LPDDR5X DRAM芯片，專為低功耗RAM市場設計，主要面向具備設備端AI能力的智能手機。

三星高管在談到該款LPDDR5X的研發設計時表示，LPDDR5X是一種針對智能手機、平板電腦和筆記本電腦等需要高性能的端側AI優化的內存解決方案。考慮到便攜設備使用電池的特性，在低功耗運行的同時實現最高速度非常重要。從設備厚度、發熱量等方面考慮，讓芯片本身變得更薄也是一項重要任務。

三星LPDDR5X通過從策劃到設計、工藝、PKG技術等與各開發部門的合作，實現了業界最快的10.7Gbps速度和當時業界最薄的0.65mm厚度。

為了實現業界最快的10.7Gbps速度，必須確保高速數據傳輸輸入輸出電路的性能。 此外，它還利用了降低內部運行電壓的設計技術，實現高速運行的同時保持低功耗。

為了實現超薄的厚度，三星將兩個芯片結合為一個單元，形成四個單元的內聚系統，并通過更改保護半導體電路的電路保護材料——EMC（環氧樹脂模塑料）來進行優化。 最后，背面打磨技術的開發至關重要，該技術通過拋光晶圓背面來保持操作特性和可靠性，同時減少晶圓厚度。

市場上除了像HBM這種不計功耗、要求最高性能的產品外，對像LPDDR這種在低功耗下也能達到一定性能水平的產品的需求也日益增長。 對于替代現有DDR模塊的LP模塊產品（LPCAMM、SOCAMM等）來說也是如此。對于海量AI數據的并行處理，提高數據傳輸速度至關重要，而這會導致耗電量的爆炸式增長。LPDDR5X能夠在消耗相對較低的功耗的同時實現高性能，是一種能夠應對計算趨勢變化的、極具吸引力的解決方案。