由美國蓄意發動的貿易戰歷時已經數月，對于中國半導體業發展的影響不可低估，顯然也不值得驚慌。

要充分認識這場貿易戰的不可避免性、兩重性以及它的艱巨性。

所謂不可避免性是指中國一定會崛起，而美國試圖阻撓，雙方之間哪方也不可能妥協，非常有意思的是至此聽到的是雙方都說自己會”贏”，因此注定此戰具長期性及復雜性。

這場貿易戰有兩重性，可謂“我中有你，你中有我”，因此不太可能會走向極端，雙方都會保持一定的理性與克制。

艱巨性體現在矛盾是很難輕易解決，只有利益的暫時平衡。中方把此場貿易戰看成是中國半導體業前進成長道路上的必修課之一。由于產業處在獨特的地位，面臨的困難可能更多。相信依賴于政府補貼，暫時是可以的，也有必要，但是長久是長不大的，只有從競爭中勝出。相信經過此戰后可能會加速產業向市場化的進程。

產業穩中有進

近期從產業一線傳來的消息尚令人可喜：

中芯國際Q2的法說會上梁孟松指出，14納米第一代FinFET目前PDK1.0版本已經釋出給客戶，預計提前至2019年上半年開始風險量產；同時，正規劃第二代FinFET工藝，預計芯片能耗將會減少40%，速度提升30%，邏輯芯片密度增加50%左右。之后會基于客戶的需求、同時跟緊行業技術標準，最重要的是保證技術的競爭力提升。

華虹半導體8月7日發布2018年Q2及中期業績報告。2018年上半年，公司實現銷售收入約4.4億美元，同比增長15.4%，再創歷史新高；母公司擁有人應占利潤8588.8萬美元，同比增加25.5%。每股盈利0.08美元。

2018年第二季度，公司實現銷售收入約2.3億美元，同比增長16.1%；母公司擁有人應占利潤4579.1萬美元，同比增長33.3%。每股盈利0.04美元。

它的無錫工廠建造正按計劃順利進行，目前正在著手準備月產12英寸40，000片產能首階段的相關設備計劃。

三家存儲器廠都進入設備的安裝階段，其中合肥長鑫作為三大存儲芯片廠商中第一家正式投片的DRAM大廠，它作通用型19nm DRAM，每個12英寸硅片有8Gb DRAM的管芯800-1，000個，目前的產能約為10，000片，而福建晉華做利基型25nm DRAM，及長江存儲做 3D NAND。

值得慶賀的是長江存儲推出了自己的Xtacking架構，其將外圍電路置于存儲單元之上，從而實現比傳統3D NAND更高的存儲密度；其最大的特點是高速I/O，高存儲密度，以及更短的產品上市周期。特別是在I/O速度方面，目前，世界上最快的3D NAND I/O速度的目標值是1.4Gbps，而大多數供應商僅能供應1.0 Gbps或更低的速度。利用Xtacking技術有望大幅提升NAND的I/O速度至3.0Gbps，幾乎與DRAM DDR4的I/O速度相當。長江存儲將把Xtacking技術用在它的64層3D NAND中，計劃2019年實現量產。

當長江存儲提出新的Xtacking架構之后，注意到韓國方面并沒有暴跳如雷，僅看到的報道是認為此種架構的成品率難提升，這也是對于長江存儲的考驗。

三家存儲器廠真正的量產考驗尚在2019-2020年之后。

另一家上海的中微半導體是國內技術最領先的集成電路設備廠之一，主要深耕刻蝕機領域的介質刻蝕設備、硅通孔刻蝕設備、MOCVD設備等，它的產品是全球化的，已成功進入海內外重要客戶供應體系，如其介質刻蝕設備已打入臺積電的7nm、10nm量產線，成功地打破了國際巨頭的壟斷。

目前中微半導體刻蝕設備零部件國產化率已超過35%，并已開發了20多個國內的客戶，它的刻蝕，硅通孔設備及MOCVD的質量達到了國際先進水平，截至2017年底，已有620多個中微半導體生產的刻蝕反應腔體運行在全球的39條先進生產線上。

貿易戰中要建自信

特朗普的”出牌”尚不可測，據最新的清單，160億美元出口美國的清單中，加稅25%已包含LED芯片等，所以出口受阻是首當其沖，同時人民幣匯率己下降約10%，對于眾多芯片制造廠購買設備及原材料等的影響也不可小視。

現階段美方針對中國半導體業的策略是竭力阻止兼并，先進制程技術的流出，以及人材的流失等，未來它們的出牌機會尚很多，必須密切關注。

然而一切之中，中國半導體業必須保持清醒，不能先亂了自身的方寸。只要扎實地把目前的工作做好就是最好的應對。要相信上世紀60-70年代的全面“禁運”時代，中國半導體業也能挺過來，現在的態勢已大不同。

近日見到一文說，“俄羅斯沒有先進的芯片制造業（據說落后于中國），照樣能生產出足以與美對抗的許多先進的武器裝備”，中國還有什么可擔心的。

“人無遠慮，必有近憂”，要作好最壞時刻的預案準備，中國半導體業一定會由危機轉為契機。

今天來看貿易戰可能有些“緊張”，但是相信再過幾年之后，隨著中國的國力繼續提升，雙方的貿易戰也逐漸成為”常態”，中國一定會更加自信與有力量。