DRV8305器件是用于三相電機驅動應用的柵極驅動器IC。該器件提供三個高精度和溫度補償的半橋驅動器,每個驅動器都能夠驅動高側和低側N溝道MOSFET。電荷泵驅動器支持100%占空比和低壓工作。該器件可承受高達 45V 的負載突降電壓。
DRV8305 器件包括三個雙向電流分流放大器,用于精確的低側電流測量,支持可變增益設置和可調節失調基準電壓源。
*附件:drv8305.pdf
DRV8305器件具有集成穩壓器(3.3V 或 5V),可支持 MCU 或其他系統電源要求。穩壓器可直接與標準LIN物理接口連接,以實現低系統待機和睡眠電流。
柵極驅動器在切換時使用自動握手以防止電流擊穿。V 型DS對高側和低側MOSFET進行精確檢測,以保護外部MOSFET免受過流情況的影響。SPI提供詳細的故障報告、診斷和器件配置,例如電流分流放大器的增益選項、單個MOSFET過流檢測和柵極驅動壓擺率控制。
特性
- 4.4V 至 45V 工作電壓
- 1.25A 和 1A 峰值柵極驅動電流
- 可編程高側和低側壓擺率控制
- 電荷泵柵極驅動器,占空比為100%
- 三個集成電流分流放大器
- 集成50 mA LDO(3.3 V和5 V選項)
- 3-PWM 或 6-PWM 輸入控制,最高可達 200 kHz
- 單PWM模式換向能力
- 支持 3.3V 和 5V 數字接口
- 用于設備設置和故障報告的串行外設接口 (SPI)
- 熱增強型 48 引腳 HTQFP
- 保護特點:
- 故障診斷和 MCU 看門狗
- 可編程死區時間控制
- MOSFET 擊穿預防
- MOSFET V
DS過流監視器 - 柵極驅動器故障檢測
- 反向電池保護支持
- 跛行家庭模式支持
- 過熱警告和關機
參數
方框圖

?1. 核心特性?
- ?驅動架構?:集成三相半橋柵極驅動器,支持BLDC/PMSM電機驅動,內置電荷泵(支持100%占空比)和低邊電流檢測放大器。
- ?關鍵參數?:
- ?電壓范圍?:4.4V至45V寬輸入,耐受負載突降電壓。
- ?柵極驅動電流?:可編程高/低邊峰值電流(高邊1.25A/低邊1A),支持斜率控制。
- ?集成功能?:3個雙向電流檢測放大器(增益10/20/40/80 V/V可選)、50mA LDO(3.3V/5V可選)。
- ?保護機制?:
- MOSFET VDS過流監測、柵極驅動故障檢測、欠壓/過壓保護(PVDD/VCPH)。
- 熱關斷(OTSD)、反向電池保護支持、故障診斷SPI報告。
?2. 控制與接口?
- ?輸入模式?:
- ?6-PWM?:獨立控制每相高低邊MOSFET。
- ?3-PWM?:高邊PWM輸入,低邊自動互補輸出(可調死區時間)。
- ?1-PWM?:單PWM+3 GPIO實現六步換相,支持主動/二極管續流模式。
- ?SPI配置?:可編程參數包括柵極驅動電流、死區時間、VDS保護閾值、放大器增益等。
?3. 典型應用?
?4. 保護功能?
- ?實時監測?:
- ?VDS過流?:通過MOSFET導通電阻檢測,閾值可調(0.06V至2.13V)。
- ?溫度保護?:多級預警(105°C/125°C/135°C標志)及150°C關斷。
- ?電源故障?:PVDD欠壓鎖定(UVLO)、VCPH電荷泵電壓監控。
- ?故障響應?:支持鎖存關斷或僅報告模式,通過nFAULT引腳和SPI寄存器反饋。
?5. 設計要點?
- ?布局建議?:
- 高頻路徑(如GHx/SHx)需最小化環路面積。
- 電源去耦:PVDD需4.7μF陶瓷電容+VCPH 2.2μF電容。
- ?功率計算?:
- 柵極驅動RMS電流 ≈ MOSFET Qg × 開關頻率 × 相數。
- VDS保護閾值 = MOSFET RDS(on) × 目標限流值。
?6. 封裝與版本?
- ?封裝?:48引腳HTQFP(7mm×7mm),帶PowerPAD散熱焊盤。
- ?型號選項?:
- DRV83053:集成3.3V LDO。
- DRV83055:集成5V LDO。
- DRV8305N:無LDO,僅參考電壓輸出。
?總結?:DRV8305是一款高集成度電機驅動器,適用于需寬電壓、高精度電流檢測及靈活保護的場景,其可編程特性顯著簡化系統設計。
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