英特爾這些年來能叱咤CPU領(lǐng)域，一方面在于他們有強(qiáng)悍的芯片設(shè)計(jì)能力；另一方面，在制程上的領(lǐng)先，是他們能持續(xù)保持領(lǐng)先的根本。在過往，他們自有的晶圓廠在制造能力上領(lǐng)先于所有競爭對手，包括專注于晶圓代工的臺積電。但最近他們在10nm上面陷入泥潭，這就給其競爭對手AMD帶來了機(jī)遇。

據(jù)Solidot透露，AMD 下一代的 Rome 服務(wù)器處理器相比英特爾的 Ice Lake Xeon 服務(wù)器處理器，可能將其歷史首次在制造工藝上具有優(yōu)勢。Rome 基于 Zen 2 架構(gòu)，相比第一代的 EPYC 處理器，Rome 的 IPC 性能改進(jìn)了 10-15%，將最高有 64 個核心。

預(yù)計(jì)從下半年開始試制樣品，明年全面投產(chǎn)。處理器由臺積電或 GlobalFoundries 制造，或兩家都參與生產(chǎn)，采用 7 納米制造工藝。而這兩家代工廠的7nm工藝都進(jìn)展非常順利。

臺積電方面，今年六月，該公司的CEO魏哲家在其舉辦的技術(shù)研討會上表示，臺積電7nm制程的芯片已經(jīng)開始量產(chǎn)。根據(jù)臺積電官方介紹，與其10nm FinFET工藝相比，臺積電的7nm FinFET具有1.6倍邏輯密度，約20％的速度提升和約40％的功耗降低。臺積電通過推出兩個獨(dú)立的7nm FinFET路徑（一個針對移動應(yīng)用進(jìn)行了優(yōu)化，另一個針對高性能計(jì)算應(yīng)用進(jìn)行了優(yōu)化）創(chuàng)造了又一個行業(yè)記錄。這也將成為他們下半年的一個營收重點(diǎn)。

在日前舉辦的Q2法說會，臺積電表示，其7納米正按計(jì)劃推進(jìn)，預(yù)計(jì)下半年將開始貢獻(xiàn)收入。同時，臺積電對7納米制程發(fā)展深具信心，預(yù)期第3季7納米制程比重將達(dá)10%，第4季7納米制程單季比重可望進(jìn)一步達(dá)20%水準(zhǔn)。

到明年，他們又將領(lǐng)先群雄，率先導(dǎo)入EUV量產(chǎn)，意味再次棒打英特爾、三星等勁敵，晶圓代工龍頭地位屹立不搖。臺積電執(zhí)行長魏哲家證實(shí)，臺積電導(dǎo)入EUV的7nm強(qiáng)化版（7+）將于明年第2季量產(chǎn)，是全球首家采用EUV為客戶量產(chǎn)芯片的晶圓代工廠。屆時7nm將貢獻(xiàn)超過20%業(yè)績，即明年7納米制程業(yè)績將較今年激增1倍以上。

而AMD的緊密合作伙伴格芯在7nm方面也進(jìn)展順利。根據(jù)外媒透露，身為 AMD 專用晶圓廠，格芯技術(shù)長 Gary Patton 在年初層指出，目前格芯即將投入生產(chǎn)的 7 納米制程可讓芯片面積大幅減少。 根據(jù)格芯計(jì)算，在同等晶體管數(shù)量下，7 納米制程的芯片將是 14 納米制程芯片的 1/2.7，芯片發(fā)熱量減少、更高的頻率都將可期待。

在五月的時候，為了應(yīng)對臺積電的競爭，他們調(diào)整了 7 納米制程的閘極距以及 SRAM 單元，使之與臺積電的 7 納米制程更加相近，這就能讓 AMD 能同時使用兩家的 7 納米制程。格芯還進(jìn)一步指出，對于 AMD 另外采用臺積電作為代工廠也表示理解。原因是 AMD 的訂單需求超過了格芯的產(chǎn)能，因此尋求臺積電加入代工，這對格芯來說是完全沒有問題的。

至于英特?zé)岬腎ce Lake 方面， 細(xì)節(jié)所知不多，但正如前面所說，英特爾的 10 納米技術(shù)遭遇了多次延期，目前大規(guī)模量產(chǎn)已推遲到 2019 年的某個時間。根據(jù) Scotten Jones 的分析，英特爾的 10 納米節(jié)點(diǎn)與臺積電和 GlobalFoundries 的 7 納米節(jié)點(diǎn)幾乎相差不大，而 7 納米節(jié)點(diǎn)在晶體管密度上略有優(yōu)勢。這將是 AMD 的服務(wù)器芯片首次在晶體管密度領(lǐng)先于英特爾。