電子發燒友網綜合報道，JEDEC固態技術協會近日宣布發布最新一代低功耗內存LPDDR6標JESD209-6，旨在顯著提高包括移動設備和人工智能在內的各種用途的內存速度和效率。新的JESD209-6LPDDR6標準代表了內存技術的重大進步，提供了增強的性能、能效和安全性。

高性能

為了實現AI應用程序和其他高性能工作負載，LPDDR6采用了雙子通道架構，允許靈活操作，同時保持32字節的精細訪問粒度。此外，LPDDR6的主要功能包括：

每個管芯配置2個子通道，每個子通道有12條數據信號線（DQ），以優化通道性能
每個子通道包括4個命令/地址（CA）信號，經過優化以減少焊球數并提高數據訪問速度
靜態效率模式旨在支持高容量內存配置并最大限度地利用存儲資源
靈活的數據訪問，動態突發長度控制，支持32B和64B訪問
動態寫入NT-ODT（非目標管芯端接）使存儲器能夠根據工作負載需求調整ODT，提高信號完整性

電源效率

為了滿足日益增長的能效需求，與LPDDR5相比，LPDDR6使用電壓更低、功耗更低的VDD2電源運行，并要求為VDD2提供雙路電源供電。其他節能功能包括：

交替的時鐘命令輸入用于提高性能和效率
低功耗動態電壓頻率縮放（DVFSL）在低頻操作期間降低VDD2電源，以降低功耗
動態效率模式利用單個子信道接口實現低功耗、低帶寬用例
支持部分自刷新和主動刷新，以減少刷新功耗

安全可靠

與之前版本的標準相比，安全性和可靠性方面的改進包括：
支持DRAM數據完整性的每行激活計數（PRAC）
定義元數據分區模式，通過為關鍵任務分配特定內存區域來增強系統整體可靠性
支持可編程鏈路保護方案和片上糾錯碼（ECC）
能夠支持命令/地址（CA）奇偶校驗、錯誤清除和內存內置自檢（MBIST），以增強錯誤檢測和系統可靠性

JEDEC董事會主席Mian Quddus表示：“通過提供能效、強大的安全選項和高性能的平衡，LPDDR6是下一代移動設備、人工智能和相關應用在注重功耗、高性能的時代的理想選擇。”

據外媒報道，三星將于今年下半年通過第六代“1c DRAM”工藝量產下一代LPDDR6內存，并計劃向高通等科技巨頭供貨。而高通下一代旗艦芯片“驍龍8 Elite Gen2”將首發支持LPDDR6內存，并計劃于今年9月23日的驍龍峰會上亮相。