SNEC 第十八屆（2025）光伏展

派恩杰半導體 6.1H A155

近日，全球最具影響力的國際化、專業化、規?；夥癝NEC第十八屆國際太陽能光伏與智慧能源大會暨展覽會”圓滿閉幕。派恩杰半導體在【6.1H館 A155展位】重磅開展了新品發布、技術沙龍以及光伏客戶方案的系統分享會，持續掀動展位熱度，獲得眾多光伏行業專家以及專業觀眾的高度認可。

PART 01新品發布會 & 技術沙龍

展會第一天，派恩杰隆重舉行了“新品發布”分享會，并由派恩杰創始人黃興博士親自揭幕，就“3.5μm原胞尺寸”、“3300V晶圓”、“2000V Easy 3B功率模塊”做出了正式的公布及革新性分析，吸引了無數碳化硅行業團隊專家駐足，就碳化硅的應用市場及挑戰與黃博士進行了深度對話。

同時，會上每天定時開展“技術沙龍”分享活動，為用戶答疑解惑的同時更是進一步拉近了與產品終端用戶的距離，會上，大家的提問讓我們倍感榮幸，也讓我們深刻意識到碳化硅的未來還有很長遠的路需要與行業伙伴們共同深耕。

PART 02光伏客戶方案

此次派恩杰更是設置了針對性的“光伏客戶方案”區域，展示了我們的芯片在光伏電源應用的前瞻性，聚焦智能運維、高效發電、降本增收三大核心價值。

PART 032000V高壓平臺應用

派恩杰新推出的2000V Easy 3B高壓功率模塊，廣泛應用于光伏儲能行業的電源轉換和各種逆變器系統中可發揮其高效率和可靠性，以最大限度提高發電和儲能效率。

應用優勢：

逆變器：將直流電轉為交流電，支持光伏陣列的輸出，提升能量轉換效率。

儲能系統：控制能量流動，優化充放電過程，確保系統穩定性。

效率提升：2000V設計滿足大規模光伏場景下的高壓需求，減小電氣損耗，提高系統整體效率。

PART 04更大尺寸晶圓

晶圓是芯片的載體，其尺寸直接影響芯片的生產效率和成本，晶圓尺寸的增加使得生產效率和成本效益都有了顯著提升。本次光伏展上派恩杰展出的更大尺寸晶圓，正是通過增大物理尺寸來達到降本增效的目的。在芯片結構尺寸相同的情況下，當晶圓直徑增加時，邊緣曲率變小，可以有效減少邊緣損耗，提高材料利用率；其次晶圓尺寸增大后，制造工藝的一些基本步驟不隨晶圓尺寸的變化而變化，這樣就可以在不增加工藝步驟的情況下提高生產效率。

PART 05SiC 功率器件

派恩杰半導體自創立以來一直專注于第三代半導體的設計與推廣，碳化硅MOSFET的設計水平處于行業前列，關鍵性技術指標HDFM全球領先，擁有深厚的技術積累和全面的產業鏈優勢。在650V、1200V、1700V、2000V四個電壓平臺已發布100余款不同型號的碳化硅二極管、碳化硅MOSFET、碳化硅功率模塊和GaN HEMT產品，能夠為客戶提供全方位的選擇和技術支持。

天盛會已圓滿落幕，但派恩杰的步伐從未停歇。感謝本次會上蒞臨派恩杰展區的所有嘉賓、客戶以及合作伙伴，您的信任與支持是我們的動力。感謝所有的認可與建議，我們會不斷優化產品性能、持續創新，加強與全球伙伴的交流與協作，共同推動光伏行業發展、構建綠色能源未來貢獻更多的力量、創造綠色能源新篇章。

【派恩杰半導體】

成立于2018年9月的第三代半導體功率器件設計和方案商，國際標準委員會JC-70會議的主要成員之一，參與制定寬禁帶半導體功率器件國際標準。發布了100余款650V/1200V/1700V SiC SBD、SiC MOSFET、GaN HEMT功率器件，其中SiC MOSFET芯片已大規模導入國產新能源整車廠和Tier 1，其余產品廣泛用于大數據中心、超級計算與區塊鏈、5G通信基站、儲能/充電樁、微型光伏、城際高速鐵路和城際軌道交通、家用電器以及特高壓、航空航天、工業特種電源、UPS、電機驅動等領域。