電子發燒友網報道（文/梁浩斌）近日業界傳出三星電子功率GaN晶圓代工產線即將投產，其8英寸GaN產線已進入量產前準備階段，預計最早將在今年第二季度實現全面投產。

三星的GaN代工業務布局最早是從2023年開始，在其舉辦的晶圓代工論壇活動上宣布將在2025年起為消費級、數據中心和汽車應用提供8英寸GaN晶圓代工服務。而在三年后，盡管相比計劃略微延后，但三星終于正式進入功率半導體代工市場。

GaN、SiC同步推進，已有首批客戶

三星將自己GaN代工業務定位為“交鑰匙”的服務，不涉及芯片設計環節。同時三星在外延片上也選擇了自研，目前已經研發出適合大規模量產的Si基GaN外延片，將用于后續的量產。

業界消息稱，目前三星已經獲得首批客戶，但由于客戶規模有限，三星預計其功率GaN晶圓代工業務的年營收將低于1000億韓元（約合4.6億元人民幣）。而業內人士推測，三星GaN晶圓代工業務計劃的推遲也是受到客戶群規模的影響。

另外，除了GaN之外，三星還同步推進SiC代工的業務，并同樣預計在2026年內推出。但與GaN代工不同的是，三星SiC代工業務將涵蓋從設計到晶圓制造到封裝的垂直整合模式，SiC器件產品電壓范圍覆蓋從1200V到1700V，能夠滿足當前電動汽車以及數據中心高壓系統的需求。

在實際應用中，功率GaN器件主要用于1200V以下的場景，1200V及以上則更多采用SiC器件，三星通過GaN和SiC的布局，可以覆蓋未來功率半導體的大部分需求，并有望接棒臺積電退出GaN留下的市場空缺。同時配合其HBM4內存、以及GPU、AI芯片代工等業務，形成完整的電源管理方案。

GaN代工格局再生變，Fabless模式崛起？

去年7月，臺積電發表聲明表示，經過長期業務的完整評估后，公司決定在未來兩年內，也就是2027年7月之前逐步退出氮化鎵業務。臺積電稱：“我們正與客戶密切合作，確保順利過渡，并在此期間繼續致力于滿足他們的需求。”

一鯨落萬物生，就在臺積電正式宣布退出GaN代工業務后，納微半導體作為臺積電最大的GaN客戶，宣布將與力積電合作，共同推進業內領先的8英寸硅基氮化鎵技術生產。納微半導體在公告中指出，力積電有著先進的180nm CMOS工藝能力，運用更小、更先進的工藝節點，從而在性能、能效、集成度以及成本方面實現全面優化。

納微半導體表示將通過力積電生產其100V至650V的氮化鎵產品組合，以應對超大規模AI數據中心和電動汽車等48V基礎設施對氮化鎵技術日益增長的需求。根據公告，首批由力積電制造的器件預計在2025年第四季度完成認證。其中，100V系列計劃于2026年上半年開始在力積電投產，而650V的器件則將在未來12到24個月內從現有的供應商臺積電逐步轉移至力積電進行代工生產。

而臺積電GaN業務的另一大客戶羅姆半導體，在今年3月與臺積電簽署技術授權協議，將臺積電成熟的650V及相關GaN工藝技術授權并轉移至羅姆位于日本的濱松工廠，羅姆計劃于2027年在內部工廠建立完整的端到端生產體系，也就是將門級驅動 (Gate Driver)、控制IC與GaN功率器件進行更緊密的單片集成或系統封裝。

另外，臺積電的650V和80V 功率GaN工藝還授權給世界先進和格芯，通過授權費回收早期研發成本，并維持了行業標準的間接影響力。

值得一提的是，近年來不只是三星，韓國本土產業對于GaN代工似乎較為熱衷，比如DB HiTek、SK Keyfoundry等都紛紛入局GaN代工領域。

DB HiTek在今年2月宣布650V GaN HEMT工藝進入量產最后階段，并已開啟 MPW（多項目晶圓） 服務供全球客戶流片。公司計劃在2026年底前推出 200V 低壓 GaN 以及針對集成電路優化的GaN BCD工藝，試圖在單片集成驅動領域挑戰歐美的IDM廠商。

SK Keyfoundry則傾向于汽車應用，今年三月明確了其復合功率半導體路線圖，同步推進 SiC MOSFET 與 650V GaN，目前正與韓國本土汽車供應鏈深度合作，驗證其 GaN 工藝在 800V 系統中的 DC-DC 轉換可靠性。

目前GaN代工呈現多點開發的格局，新玩家的入局給市場帶來了非常大的轉變。在臺積電退出后，Fabless廠商最擔心的是失去高良率、穩定的代工源，而新玩家入局給GaN代工帶來更多競爭，未來Fabless廠商可能會獲得更大的價格優勢，且標準化的工藝平臺讓Fabless廠商能夠專注于電路設計層面的創新。

不過，另一邊GaN IDM廠商同樣在加快產能布局。全球功率GaN市場份額最高的英諾賽科在去年計劃從24年年末的1.3萬片/月，提升至2025年年末的2萬片/月；英飛凌在2025年7月宣布開始量產全球首批12英寸功率硅基氮化鎵晶圓；羅姆則通過技術授權獲得了650V GaN工藝，并將其濱松工廠產線從6英寸往8英寸升級。

小結：

功率GaN作為在數據中心800V架構中的重要器件，未來幾年的需求增速將進入加速階段。代工廠的遍地開花，其實也意味著GaN正在加速普及，在更多場景替代硅基功率器件。從時間節點來看，27年將會是功率GaN市場格局出現巨變的節點，更多GaN晶圓代工產能的落地，將會帶動GaN市場規模的新一輪增長。