為滿足越來越多的對穩健、高效和具有成本效益的電源解決方案日益旺盛的需求，Nexperia IGBT采用先進的載流子儲存溝柵場截止(FS)工藝，為工業應用帶來高可靠性的同時，提高功率密度。

安世半導體的IGBT功率半導體產品總監史威為廣大工程師帶來了《高可靠性IGBT的新選擇——安世半導體650V IGBT介紹及其優勢》的網絡研討會，深入解析了安世半導體TO247 - 3封裝的650V IGBT以及其大幅優化的關斷損耗與關斷過壓尖峰，如何達成較低溫升與卓越效率，并探討其在系統功率轉換及電機驅動方面的應用優勢。

答疑回顧

在直播中，我們收到了大家的熱情回應。在此我們精選了一些比較有代表性的提問在這里與大家分享。

1安世的優勢有哪些？

我們的 650 V系列涵蓋Nexperia的多款中速(M3)和高速(H3) 分立式 IGBT，采用TO-247-3L封裝，可供設計人員自由選擇。20 kHz以下的M3系列經過優化，進一步降低了導通損耗，保持了出色的開關損耗性能，并具備5 μs短路能力。H3系列（20 kHz至50 kHz）重點優化了開關損耗，同時其導通損耗非常低。Nexperia一直重點關注不斷優化器件導通性能和開關性能之間的權衡，以提高器件可靠性（通過了高壓高濕高溫反偏HV-H3TRB測試），并在高達175℃的環境中提高逆變器功率密度。

2能否分享一些安世半導體650V IGBT在特定行業應用中的成功案例？

比較多，主要集中在家電、工業以及汽車，比如家用空調PFC，EV汽車空調壓縮機，光伏儲能，商業感應加熱等等。

3如何解決散熱問題？

安世650V IGBT 損耗小，熱阻低，可以輕松替換。

4電流最大能做到多少？

目前最大電流是75A。

5和其他家方案比, 效率能提升多少?

以10KW電驅為例，使用安世NGW40T60M3DFP的逆變器，峰值效率可達98.6%，相較競品提高0.5-1。

6安世的650V FS2 IGBT的開關頻率最高能達到多少？

中速管在10Khz-30hz，高速管一般在25Khz-50khz。

7給個spec鏈接。

您好，請長按識別二維碼，或訪問我們官網www.nexperia.com查看更多數據手冊。

8如何消除或是減弱開關時電流的不平衡？

選用參數分布把控較嚴的功率器件，驅動回路的寄生參數對稱、功率回路的寄生參數對稱。

9安世650V IGBT相比同類產品，在溫升控制方面有哪些顯著優勢？

由于我們損耗小，熱阻小（芯片面積略大），所以溫升上邊我們相比競品要小。

Nexperia (安世半導體)

Nexperia（安世半導體）總部位于荷蘭，是一家在歐洲擁有豐富悠久發展歷史的全球性半導體公司，目前在歐洲、亞洲和美國共有14,000多名員工。作為基礎半導體器件開發和生產的領跑者，Nexperia（安世半導體）的器件被廣泛應用于汽車、工業、移動和消費等多個應用領域，幾乎為世界上所有電子設計的基本功能提供支持。

Nexperia（安世半導體）為全球客戶提供服務，每年的產品出貨量超過1,000億件。這些產品在效率（如工藝、尺寸、功率及性能）方面成為行業基準，獲得廣泛認可。Nexperia（安世半導體）擁有豐富的IP產品組合和持續擴充的產品范圍，并獲得了IATF 16949、ISO 9001、ISO 14001和ISO 45001標準認證，充分體現了公司對于創新、高效、可持續發展和滿足行業嚴苛要求的堅定承諾。

Nexperia：效率致勝。