三菱電機集團近日宣布，將于12月26日開始提供兩款新的S1系列高壓絕緣柵雙極型晶體管（HVIGBT）模塊樣品，這兩款模塊額定電壓均為1.7kV，適用于鐵路車輛和直流輸電等大型工業設備。得益于三菱電機專有的絕緣柵雙極型晶體管（IGBT）芯片和絕緣結構，新模塊實現了出色的可靠性、低功率損耗和低熱阻，有望提高大型工業設備中逆變器的可靠性和效率。

憑借高效的電能轉換能力，功率半導體正越來越多地被用于助力實現更加低碳的社會。功率半導體模塊可用于大型工業設備的電力轉換裝置，如鐵路牽引系統、電源和直流輸電中的逆變器。為進一步提高電力裝置轉換效率，市場對高功率、高效率功率半導體的需求日益增長。此外，功率半導體模塊還必須具有高絕緣電壓能力以確保可靠性，降低逆變器內部發生短路和泄漏電流的風險，從而提高安全性。

三菱電機的1.7kV HVIGBT模塊自1997年發布以來，憑借其卓越的性能和高可靠性而廣受好評，并已廣泛應用于電力系統的逆變器中。

新的S1系列模塊采用了三菱電機專有的RFC（Relaxed Field of Cathode）二極管，與之前的型號*相比，反向恢復安全工作區（RRSOA）擴大了2.2倍，從而提高了逆變器的可靠性。此外，該模塊還使用了具有載流子存儲式溝槽柵雙極型晶體管（CSTBT**）結構的IGBT芯片，有助于降低功率損耗和熱阻，使逆變器更加高效。而且，三菱電機專有的絕緣結構將模塊的絕緣電壓提高到了6.0kVrms，是之前產品*的1.5倍，使模塊的絕緣能力可以靈活的兼容多種類型的逆變器。

產 品 特 點

專有RFC二極管和IGBT元件，以及CSTBT結構，實現可靠高效的逆變器

采用專有RFC二極管，與現有型號*相比，反向恢復安全工作區（RRSOA）提高了2.2倍，從而提升了逆變器的可靠性，擴大了在開關過程中反向恢復電流和反向電壓的安全工作保證范圍。

采用RFC二極管與CSTBT結構IGBT芯片，可降低功率損耗和熱阻，進而提高逆變器的效率。

1.5倍更高的絕緣電壓，兼容多種逆變器

三菱電機專有的絕緣結構將絕緣電壓提高到6.0kVrms，是現有產品*的1.5倍，從而提高了絕緣設計的靈活性，以兼容多種類型的逆變器。

與現有產品*尺寸兼容，簡化逆變器設計

通過保持與現有產品*相同的外部尺寸，功率模塊可以輕松替換，從而簡化和縮短新逆變器設計的過程。

主要規格

* 與CM1200DC-34N、CM1200E4C-34N和CM1200DC-34S相比較

** 三菱電機專有的具有載流子存儲效應的IGBT芯片結構

*** CSTBT是三菱電機株式會社的商標

關于三菱電機

三菱電機創立于1921年，是全球知名的綜合性企業。截至2024年3月31日的財年，集團營收52579億日元（約合美元348億）。作為一家技術主導型企業，三菱電機擁有多項專利技術，并憑借強大的技術實力和良好的企業信譽在全球的電力設備、通信設備、工業自動化、電子元器件、家電等市場占據重要地位。尤其在電子元器件市場，三菱電機從事開發和生產半導體已有68年。其半導體產品更是在變頻家電、軌道牽引、工業與新能源、電動汽車、模擬/數字通訊以及有線/無線通訊等領域得到了廣泛的應用。