電子發燒友網報道（文/黃晶晶）在人工智能、數據中心、新能源汽車、智能終端等應用的帶動下，存儲新技術新產品加速到來。例如數據中心市場，不僅是高帶寬HBM持續進階，HBM3E到HBM4的演進，企業級SSD也因AI訓練和推理所需數據量的增加而不斷擴大容量，以至于122TB甚至更高的SSD推出。智能手機市場，UFS4.0 QLC的發布將進一步滿足智能終端對于高容量存儲的需求等等。諸多存儲產品的到來將為明年存儲市場的發展注入新的動能。

400層3D TLC NAND

三星即將在2025年國際固態電路會議（ISSCC）上展示其最新的第10代超過400層3D NAND Flash，接口速度可達5.6 GT/s。三星成功研發出400層堆疊的NAND Flash技術，并有望在下半年正式投入量產。不過，有業內人士指出，如果加快生產速度，可能在第二季度末就開始量產。

據悉，三星為400層NAND引入了“三層堆疊”技術。三星的新一代V-NAND保持了TLC架構，每個芯片的容量為1Tb（128GB）。三星表示，其新的超400層3D TLC NAND Flash的存儲密度達到了28 Gb/mm2，略低于其1Tb 3D QLC V-NAND的28.5 Gb/mm2，后者是目前世界上存儲密度最高的NAND Flash。

此外，SK海力士正在開發400層堆疊的NAND閃存，將于2025年投入大規模量產。為此，SK海力士使用了4D NAND閃存、混合鍵合技術，即W2W(wafer-to-wafer)將兩塊晶圓鍵合在一起。

QLC UFS4.0閃存

鎧俠宣布量產業界首款采用四層單元技術的QLC UFS 4.0閃存。相比于傳統的TLC UFS有著更高的位密度，使其適用于需要更高存儲容量的移動應用程序。可在智能手機、平板電腦PC、網絡設備、增強現實/虛擬現實（AR/VR）以及人工智能（AI）設備等高科技領域中廣泛應用，為這些領域帶來更高的存儲容量和卓越的性能提升。

512GB容量的QLC UFS 4.0閃存充分發揮了UFS 4.0接口的高速潛力，實現了驚人的4200MB/s順序讀取速度和3200MB/s的順序寫入速度，為用戶帶來前所未有的數據傳輸體驗。鎧俠巧妙地將先進的BiCS FLASH 3D NAND閃存與高效的主控芯片集成于JEDEC標準封裝之內，不僅支持M-PHY 5.0和UniPro 2.0的最新規范，還確保了每通道高達23.2 Gb/s（或每設備46.4 Gbps）的理論接口速度，同時保持了與UFS 3.1標準的向下兼容性。

此外，QLC UFS 4.0閃存還引入了多項前沿特性，如HS-LSS（高速鏈路啟動序列），該特性相比傳統方法能顯著縮短鏈路啟動時間，提升效率約70%。同時，通過采用高級RPMB技術，實現了對安全數據的快速讀寫訪問，進一步增強了數據保護能力。而擴展啟動器ID（Ext-IID）功能的加入，則旨在與UFS 4.0主控的多循環隊列（MCQ）協同工作，共同提升系統的隨機性能，確保流暢的用戶體驗。

122TB數據中心SSD

2024年11月，Solidigm推出超大容量PCIeSSD，即122TB的Solidigm D5-P5336數據中心SSD。隨著AI應用領域的不斷拓展，數據存儲在功耗、散熱和空間限制等方面都迎來新的挑戰。Solidigm全新122TB D5-P5336 SSD能夠大幅提升能效和空間利用率，為核心數據中心到邊緣的各種使用場景提供行業領先的存儲效率。

Solidigm 122TB D5-P5336硬盤在降低功耗和提升空間利用率方面的具體表現包括：和傳統HDD+TLC（三層單元）混合存儲解決方案相比，網絡附加存儲（NAS）的存儲功耗降低多達84%；和30TB TLC相比，提高邊緣部署場景下的功耗密度，每瓦可存儲多達3.4倍的數據量；每機架單元可存儲高達4PB容量的數據；

全新Solidigm硬盤能夠在更小的空間內存儲更多的數據，實現更高效、更具可擴展性的數據中心和邊緣設計：與傳統 HDD + TLC混合存儲解決方案相比，可在網絡附加存儲方面減少4倍的空間占用；和30TB TLC相比，可在空間有限的邊緣存儲多達4倍的數據。

在應對內容分發網絡、通用存儲應用和對象存儲應用等數據密集型工作負載方面，這一現代高密度QLC硬盤相較于其他廠商的入門級高密度數據中心TLC產品，能夠展現出高達15%的性能提升。在持續寫入工作負載方面，D5-P5336的讀取響應率高出最多40%。

Solidigm 122TB D5-P5336支持多種不同外形規格，輕松兼容行業標準存儲服務器。隨著此次超大容量SSD產品的推出，Solidigm繼續踐行了為客戶提供具備行業領先質量和可靠性產品的堅定承諾。

全新122TB硬盤目前已開始向客戶提供樣品，進一步擴展了Solidigm面向AI和其他數據密集型工作負載的大容量SSD產品組合。

HBM4

12月，韓媒消息稱SK海力士應重要客戶的要求，將于2025年下半年以臺積電3nm制程為客戶生產定制化的第六代高頻寬內存HBM4。SK 海力士計劃于 2025 年下半年推出首批 12 層堆疊的 HBM4 產品，16 層堆疊的 HBM4 預計在 2026 年推出。

消息人士透露，SK海力士已決定與臺積電合作，最快明年3月就會發布一款采用臺積電3nm制程生產的基礎裸片（base die）的垂直堆疊HBM4原型，而主要出貨的客戶是英偉達（NVIDIA）。
據悉，SK海力士標準款HBM4將繼續采用N12FFC+基礎裸片，而定制產品則從5nm升級至3nm。此前，SK海力士在定制HBM4上采用5納米，若升級至更先進的3nm工藝，基礎裸片有望提升20%~30%的性能。這種工藝選擇使得SK海力士能夠根據不同客戶的需求提供定制化的解決方案。另外，三星同樣預計在 25H2 提供HBM4 樣品，批量生產計劃在 26 財年。

LPDDR5

前不久，集邦咨詢資深研究副總經理吳雅婷指出，明年LPDDR5將成為主流，其中LPDDR5在智能手機上的占比會提升到55%。通用型Server DRAM 和 Mobile DRAM需求量占比最高，但AI LPDDR 和 AI Server DRAM成長性更好，正在成為市場下一個引領力量。

至于為何AI用LPDDR5越來越多，吳雅婷解釋說，英偉達的Grace CPU制造工藝是用onboard的方式打在板子上，后續英偉達會將LPDDR5X以模組形式出貨。預測算明年LPDDR5X 在 AI Server上的成長率會超過40%。同時，這將排擠 LPDDR5應用于智能手機的出貨量。總體，明年LPDDR5的價格表現會比LPDDR4更有支撐度。

Mobile DRAM方面，LPDDR4X和LPDDR5X市場表現不同，LPDDR4X供應量大，隨著智能手機向 LPDDR5遷移，LPDDR4的價格走勢面臨挑戰。而LPDDR5X在AI上應用越來越廣泛，表現更穩健。

汽車存儲

IDC數據顯示，隨著智能化浪潮的來臨，存儲市場有望高速增長。2023年市場規模為44.1億美元，到2027年平均增速將超過18%，遠高于整體汽車半導體市場的增速。汽車存儲芯片類型包括易失性存儲器和非易失性存儲器，比如DRAM、NAND、SRAM、MRAM、UFS、EEPROM等，其應用范圍十分廣泛，例如控制單元（ECU）、信息娛樂系統、先進駕駛輔助系統（ADAS）和車聯網（V2X）通信等。

從市場格局來看，美光科技以45.8%的市場份額占據領先地位；緊隨其后的是三星電子，以14.5%的市場份額穩步前；SK海力士則以7.2%的市場占比位居第三，展現出強勁的增長潛力；與此同時，英飛凌和鎧俠也各自占據6.7%和6.3%的市場份額，展現出在汽車存儲領域的重要影響力。這些廠商共同推動了汽車存儲技術的發展，滿足了不斷增長的智能汽車存儲市場需求。

今年4月，美光車規級4150AT SSD已開始送樣。作為全球首款四端口 SSD，該產品提供多達四個片上系統（SoC）接口，可實現軟件定義智能汽車的集中存儲。美光4150AT SSD集多項市場領先特性于一身，例如單根輸入/輸出虛擬化（SR-IOV）、PCIe? 4.0 接口和堅固耐用的車規級設計。憑借這些產品特性，美光車規級4150AT SSD將為汽車生態系統提供數據中心級別的靈活性和強大功能。

三星電子也在隨后的9月，宣布成功開發其首款基于第八代V-NAND技術的PCIe 4.0車載SSD。三星新款256GB AM9C1車載SSD相比前代產品AM991，能效提高約50%，順序讀寫速度分別高達4,400MB/s和400MB/s。AM9C1基于三星的5納米控制器，提供單層單元（SLC）空間功能，其優異的性能讓訪問數據密集型文件更為輕松。用戶將初始的三層單元（TLC）狀態切換至SLC模式，即可體驗大幅提升的讀寫速度，其中讀取速度高達4,700MB/s，寫入速度高達1,400MB/s，同時還能享有SLC SSD可靠性增強所帶來的優勢。

三星的新款車載SSD通過了更為嚴苛的板級測試，能夠滿足汽車半導體質量標準AEC-Q100 的2級溫度測試標準，在-40°C至105°C寬幅的溫度范圍內能保持穩定運行。

當前，三星的主要合作伙伴正在進行256GB版本AM9C1的樣品測試，這款產品預計將于今年年底開始量產。該產品容量覆蓋從128GB到2TB等多種規格，其中最大的2TB SSD預計將在明年年初開始量產。

小結：

市場研究機構Yole Group預測，得益于人工智能對于存儲芯片及HBM需求的大漲，預計2025年全球存儲芯片市場銷售額將由2023年960億美元增長到超2340億美元。預計2023年到2029年間的年復合增長率達16%。可以看到，存儲市場增長趨勢不變，而存儲技術和產品力的不斷提升，存儲企業才能享受到人工智能、新能源汽車等帶來的巨大紅利。