能源是經濟社會發展的重要物質基礎和動力源泉。近些年，“雙碳”戰略引領能源轉型革命，發展綠色低碳新質生產力既是解決全球環境問題的重要保障，更是國家經濟與民生福祉的必然要求。

IGBT（Insulated Gate Bipolar Transistor）全稱是“絕緣柵雙極型晶體管”，在新能源大功率電力電子設備中發揮著關鍵作用，兼具有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導通壓降兩方面的優點。

在相關政策的帶動下，我國特高壓直流輸電、高壓變頻、交流傳動機車/動車組、城市軌道交通等領域得到了飛速發展，光伏及風能發電、新能源汽車、儲能、數據中心等新的應用也日益成熟，此類應用對IGBT產品具有旺盛的需求，并在產品性能、技術參數、可靠性等方面提出了較高要求。

芯導科技現已推出，采用第7代工藝技術的IGBT產品系列，具有如下優勢：

采用精細溝槽結構，窄pitch和發射極載流子存儲IGBT技術

國內最先進12吋IGBT晶圓加工工藝，具有良好的參數一致性

低導通壓降，正溫度系數，易于并聯使用

高短路耐量

低開關損耗

650V/1200V 小電流產品系列采用TO-247/TO-247PLUS單管封裝形式，適用工業控制、電動汽車PTC等領域應用：

芯導科技SiC SBD混封IGBT產品系列，具有開關頻率快、反向恢復損耗極低的特點，應用于光伏和不間斷電源領域。

1200V 100A以上大電流產品系列，主要采用Econodual3/62mm等模塊封裝形式，適用于儲能等領域：