隨著基于鈮酸鋰 LN 的光源, 光調制, 光探測等重要器件的實現, 鈮酸鋰 LN 光子集成芯片有望像硅基集成電路一樣, 成為高速率, 高容量, 低能耗光學信息處理的重要平臺, LiNbO3 薄膜刻蝕成特定的圖形才能用于芯片, 因 LiNbO3 惰性特性, 使用 ICP 或 RIE 工藝無法完成刻蝕, 上海伯東 IBE 離子束刻蝕機為鈮酸鋰 LiNbO3 薄膜刻蝕提供解決方案

上海伯東 IBE 離子束刻蝕機針對鈮酸鋰 LiNbO3 薄膜刻蝕優勢
1. 滿足刻蝕的線條寬度要求
2. 滿足刻蝕準直度要求
3. 可以實現 ICP 和 RIE 無法進行的刻蝕

上海伯東日本原裝設計制造離子束刻蝕機IBE 提供 4英寸, 6英寸, 8英寸干法, 納米級別材料的表面刻蝕, 刻蝕均勻性 ≤±5% (部分材料 3%). 幾乎滿足所有材料的刻蝕. 例如磁性材料, 黃金 Au, 鉑 Pt, 合金等金屬及復合半導體材料, 廣泛應用于 RF 射頻器件, MEMS 傳感器, 磁性器件 …, 滿足研發和量產需要.

上海伯東離子束刻蝕機 IBE 特點 1. 干法刻蝕, 物理蝕刻, 納米級別的刻蝕精度 2. 離子束角度可以±90°任意調整, 蝕刻可以根據需要做垂直, 斜面等等加工形狀 3. 行星旋轉載臺, 優異的刻蝕均勻性, 刻蝕均勻性 ≤±5% (部分材料 3%), 4. 直接冷卻載臺, 循環水冷, 晶圓載臺冷卻性能優異 5. 間接冷卻載臺, 間接冷卻設計的干式吸盤載臺易于設計載臺尺寸和數量 6. 設計靈活, 系統設計上盡可能滿足客戶的具體要求, 提供定制的離子束刻蝕機 7. 真空系統可選德國 Pfeiffer 分子泵和旋片泵 8. 干式載臺設計, 摻入金屬粉末的干式橡膠卡盤確保了良好的導熱性和晶圓附著穩定性

自 1970年至今, Hakuto 伯東已累計交付約 500套離子刻蝕機. 刻蝕機配置德國Pfeiffer渦輪分子泵. 伯東公司超過 50年的離子束刻蝕市場經驗, 擁有龐大的安裝基礎和經過市場驗證的刻蝕技術!


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