SemiQ公司在其QSiC?系列SiC功率模塊中新增了一種S7封裝，該系列模塊包括1200V的半橋MOSFET和肖特基二極管模塊。這些組件為電力工程師提供了更大的設計靈活性，能夠為新設計提供緊湊、高效和高性能的選擇。同時，它們也便于無縫替換那些需要提升效率的舊系統。

此次公告包括四個新電子模塊的發布：一個529A MOSFET模塊(GCMX003A120S7B1)，一個348A MOSFET模塊(GCMX005A120S7B1)，以及兩個低噪聲的SiC肖特基二極管半橋模塊(GHXS300A120S7D5和GHXS400A120S7D5)。這些模塊采用S7封裝，具有行業標準的62.0毫米底座面積和17.0毫米高度。

新封裝滿足了各種苛刻應用在尺寸、重量和功率方面的特定需求，包括感應加熱器、焊接設備、不間斷電源(UPS)、光伏和風能逆變器、能源存儲系統、高壓DC-DC轉換器以及電動汽車(EV)充電系統。除了模塊體積小巧外，其高效率和低損耗的運行也有效地減少了系統中的熱量散發，從而使得使用更小的散熱器成為可能。

SemiQ的目標是提供廣泛的SiC技術，使設計人員能夠提升當前苛刻應用的效率、性能和尺寸。新增的1200V QSiC MOSFET和SiC二極管模塊系列的封裝選項拓寬了設計人員在開發新應用或提升現有系統時的選擇，而無需進行大規模重新設計。

SemiQ的模塊采用高性能陶瓷制造，使其能夠達到卓越的性能水平。這些模塊還提供了更高的功率密度，并在高頻和高功率環境下實現更緊湊的設計。

為了確保每個模塊具備一致的柵極閾值電壓和高質量的柵氧化層，SemiQ在晶圓級進行柵極燒灼測試。除了燒灼測試以降低外部故障率外，還進行了多項壓力測試，以達到汽車和工業應用所需的質量標準。這些壓力測試包括柵極壓力測試、高溫反向偏置(HTRB)漏極壓力測試，以及高濕、高電壓、高溫(H3TRB)測試。所有組件的測試電壓均超過1400伏特。