5月21日，廈門市人民政府、廈門市海滄區人民政府與杭州士蘭微電子股份有限公司在廈門共同簽署了《戰略合作框架協議》。按照協議約定，各方合作在廈門市海滄區建設一條以SiC-MOSEFET為主要產品的8英寸SiC功率器件芯片制造生產線。該項目分兩期建設，項目一期投資規模70億元，二期投資規模約50億元，兩期建設完成后，將在廈門市海滄區形成8英寸碳化硅功率器件芯片年產72萬片的生產能力。

同日（5月21日），杭州士蘭微電子股份有限公司（以下簡稱“士蘭微”）發布公告稱，擬在廈門投資建設8英寸SiC功率器件芯片制造生產線項目。

資料顯示，杭州士蘭微電子股份有限公司（以下簡稱“士蘭微”）于1997年成立，總部位于杭州，2003年3月在上交所主板上市（證券代碼600460），是全球前20、國內第一的功率芯片設計與制造一體化（IDM）企業。2018年2月，士蘭微在海滄落地12英寸特色工藝芯片制造企業士蘭集科和6英寸化合物半導體芯片制造企業士蘭明鎵，已成為國家大基金在廈門市的重點投資項目，吸引國家大基金投資9.5億元。2024年3月，士蘭微在海滄落地8英寸碳化硅芯片制造企業士蘭集宏。

根據最新公告顯示，士蘭微與廈門半導體投資集團有限公司（以下簡稱“廈門半導體集團”）、廈門新翼科技實業有限公司（以下簡稱“廈門新翼”）共同向子公司廈門士蘭集宏半導體有限公司（以下簡稱“士蘭集宏”）增資41.50億元并簽署《8英寸SiC功率器件芯片制造生產線項目之投資合作協議》。

其中：士蘭微認繳10億元，廈門半導體集團認繳10億元，廈門新翼認繳21.50億元。本次增資前，士蘭集宏由士蘭微出資6000萬元，100%持股，本次增資完成后，士蘭集宏的注冊資本將由0.60億元增加至42.10億元。增資完成后，廈門半導體投資集團、廈門新翼科技和士蘭微三方對士蘭集宏的持股比例分別為23.753%、51.0689%和25.1781%。

與此同時，根據士蘭微與廈門市政府、廈門市海滄區政府簽署的《戰略合作框架協議》，士蘭微與廈門半導體集團、廈門新翼于當日簽署了《8英寸SiC功率器件芯片制造生產線項目之投資合作協議》。

根據協議，士蘭集宏將作為該項目的負責主體建設一條以SiC-MOSEFET為主要產品的8英寸SiC功率器件芯片制造生產線。該項目分兩期建設，一期投資規模約70億元，新增8英寸SiC芯片3.5萬片/月的生產能力，二期投資規模約50億元，新增8英寸SiC芯片2.5萬片/月的生產能力。

兩期建設完成后，將在廈門市海滄區形成8英寸碳化硅功率器件芯片年產72萬片的生產能力，培育一家符合國家集成電路產業發展規劃、開展以第三代半導體功率器件研發、制造和銷售為主要業務、具有國際化經營能力的半導體公司。

本次合作是繼士蘭集科“12英寸特色工藝芯片生產線”和士蘭明鎵“先進化合物半導體器件生產線”兩大重要項目后，士蘭微電子落地廈門的第三個重要項目。

審核編輯：劉清