據悉，臺灣半導體制造公司臺積電近期公布了其正在研發的新版CoWoS封裝技術，此項技術將助力All-in-One的系統級封裝（SiP）尺寸擴大至原有的兩倍以上，形成面積達120 x 120 mm的超大型封裝模塊，且功耗可達千瓦級別。

據臺積電官方介紹，新版CoWoS封裝技術的硅中介層尺寸約為光掩模（Photomask，又稱Reticle，約858平方毫米）的3.3倍。

該技術能夠容納邏輯電路、8個HBM3/HBM3E內存堆棧、I/O及其他芯粒（Chiplets），最大封裝面積可達2831平方毫米，基板尺寸則為80 x 80 mm。據了解，AMD的Instinct MI300X以及Nvidia的B200均采用了這一技術。

臺積電預計將于2026年推出下一代CoWoS_L，屆時硅中介層尺寸將進一步擴大到光掩模的5.5倍，可容納邏輯電路、12個HBM3/HBM3E內存堆棧、I/O及其他芯粒（Chiplets），最大封裝面積可達4719平方毫米。

此外，臺積電還計劃于2027年進一步提升CoWoS封裝技術，使硅中介層尺寸超過光掩模的8倍，提供高達6864平方毫米的封裝空間，以容納4個堆疊式集成系統芯片（SoIC），并搭配12個HBM4內存堆棧和額外的I/O芯片。