韓國媒體《NEWSIS》報(bào)道,SK海力士2024年第一季度財(cái)報(bào)電話會議中透露,將在年內(nèi)發(fā)布1bnm 32Gb DDR5內(nèi)存顆粒。
新款32Gb顆粒不僅支持消費(fèi)級UDIMM和SODIMM 64GB單條容量,更能讓企業(yè)級RDIMM在無需硅通孔工藝3D堆疊的條件下,實(shí)現(xiàn)單模組128GB,滿足服務(wù)器對大內(nèi)存的需求。
SK海力士于2023年5月宣布成功研發(fā)出1bnm內(nèi)存,該制程采用HKMG技術(shù),有助于降低漏電,提升電容性能并降低功耗。
據(jù)IT之家先前報(bào)道,三星電子與美光均已公開宣布推出32Gb DDR5內(nèi)存顆粒。其中,三星的32Gb DDR5 DRAM已于去年底開始量產(chǎn),而美光的同類產(chǎn)品預(yù)計(jì)將于今年面世。
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