4月9日，韓國媒體Businesskorea傳來了振奮人心的消息，全球內存領域的兩大巨頭SK海力士和三星電子均有望在年內率先將1c納米DRAM內存推向大規模生產階段。

隨著制程技術的飛速發展，內存行業已昂首闊步邁入20~10nm制程的新紀元。在這個嶄新的技術時代，業界以一種新穎的方式——1+字母的形式，為內存的世代命名。1c nm，即業界所指的1-gamma nm，它標志著內存技術邁入了第六個10+nm制程世代。在此之前，三星方面對前一代技術——1b nm制程的稱呼是“12nm級”。

在近期舉辦的行業盛會Memcon 2024上，三星公司透露了其宏偉的量產計劃，預計在今年年底前，他們將成功實現1c nm制程的批量生產。與此同時，據行業內部知情人士透露，SK海力士也早已制定了詳盡的路線圖，并計劃在今年三季度正式啟動1c nm DRAM內存的量產。

為了迅速捕捉市場機遇，SK海力士正積極籌備，一旦1c nm內存通過行業的嚴格驗證，他們便將迅速向微軟、亞馬遜等重量級客戶供貨。這一戰略舉措無疑將大大增強SK海力士在全球內存市場的競爭地位。

對于三星電子和SK海力士而言，下一代內存產品的量產有望進一步提升EUV光刻技術的使用頻率。這種先進的技術在減小線寬、提升速率的同時，還能帶來顯著的能效提升。此前，美光公司已率先宣布，將在1-gamma納米節點首次引入EUV技術，并預計于2025年實現量產，目前該公司已順利完成試產。

與此同時，臺灣的南亞科技也在內存技術的研發道路上奮力前行，他們正在積極研發首代DDR5內存產品，并有望在年內推向市場。這一系列的技術進步與創新，無疑將引領全球內存市場邁向一個全新的發展高峰。

審核編輯：黃飛