據(jù)悉，英特爾日前舉行了一次關(guān)于其代工業(yè)務(wù)的網(wǎng)絡(luò)研討會(huì)，其中以為何展現(xiàn)數(shù)據(jù)中心部門從財(cái)務(wù)角度看獨(dú)立性，以及展示英特爾未來(lái)代工技術(shù)的發(fā)展路徑為主題。

根據(jù)制程工藝規(guī)劃，英特爾計(jì)劃在未來(lái)重新成為頂尖代工廠，并在18A節(jié)點(diǎn)擁有主導(dǎo)地位，同時(shí)在已經(jīng)到來(lái)的14A節(jié)點(diǎn)取得領(lǐng)先優(yōu)勢(shì)。

在功耗方面，現(xiàn)有的Intel 7節(jié)點(diǎn)處于劣勢(shì)，然而英特爾預(yù)計(jì)在即將到來(lái)的Intel 3節(jié)點(diǎn)追平行業(yè)領(lǐng)跑者（臺(tái)積電），并在18A節(jié)點(diǎn)超越其他競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手，且在14A節(jié)點(diǎn)保住優(yōu)勢(shì)。

Density方面，現(xiàn)行的Intel 7節(jié)點(diǎn)相比同行表現(xiàn)不佳，但英特爾正在通過(guò)Intel 3節(jié)點(diǎn)縮小這個(gè)差距，并計(jì)劃在18A節(jié)點(diǎn)趕超其他對(duì)手，最后在14A節(jié)點(diǎn)實(shí)現(xiàn)較小優(yōu)勢(shì)。

英特爾也坦承，Intel 7節(jié)點(diǎn)的制造成本現(xiàn)在相對(duì)較高，不過(guò)他們期待通過(guò)跨越Intel 3至14A這些節(jié)點(diǎn)，來(lái)降低晶圓成本。

基于AI處理的市場(chǎng)需求，未來(lái)幾年英特爾計(jì)劃進(jìn)軍更大的代工蛋糕，包括能夠在14A節(jié)點(diǎn)進(jìn)行移動(dòng)設(shè)備的代工生產(chǎn)。

英特爾還強(qiáng)調(diào)他們將逐步彌補(bǔ)傳統(tǒng)IDM模式下設(shè)計(jì)支持的短板，使其向業(yè)內(nèi)平均水平靠近。

另外，未來(lái)幾年內(nèi)，我們將看到英特爾在包括2.5D/3D在內(nèi)的先進(jìn)封裝技術(shù)方面的顯著進(jìn)展。

英特爾指出，他們作為迎接人工智能時(shí)代的系統(tǒng)代工廠，將會(huì)通過(guò)全面的技術(shù)創(chuàng)新，持續(xù)推進(jìn)摩爾定律的發(fā)展。

在實(shí)現(xiàn)技術(shù)目標(biāo)的過(guò)程中，英特爾不僅投入了大量資源加強(qiáng)硅光子學(xué)的研究，而且還在PCIe和SerDes領(lǐng)域不斷豐富自己的技術(shù)儲(chǔ)備。

同樣重要的是，英特爾正在探索內(nèi)核功率達(dá)到驚人的1000瓦的芯片散熱方案，并計(jì)劃在2030年前實(shí)現(xiàn)對(duì)2000瓦的芯片進(jìn)行有效冷卻。

在極端情況下，英特爾甚至做好了同時(shí)連接8個(gè)HBM堆棧的準(zhǔn)備，并表示未來(lái)可能會(huì)將這一能力提升至12個(gè)或以上；此外，他們還在研究探索全新的存儲(chǔ)技術(shù)。

關(guān)于Foveros 3D Direct高級(jí)封裝技術(shù)，英特爾的目標(biāo)是在約2027年實(shí)現(xiàn)4微米的連接精度。

此外，英特爾還透露了其玻璃基板應(yīng)用的具體時(shí)間表，預(yù)計(jì)這項(xiàng)技術(shù)會(huì)在2027年得到廣泛應(yīng)用，比業(yè)界普遍預(yù)期的2026年稍晚一些。