導(dǎo)語：CXL是一種開放式全新互聯(lián)技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)，可在主機(jī)處理器與加速器、內(nèi)存緩沖區(qū)、智能I/O設(shè)備等設(shè)備之間提供高帶寬、低延遲連接，從而滿足高性能異構(gòu)計算的要求，并且其維護(hù)CPU/GPU內(nèi)存空間和連接設(shè)備內(nèi)存之間的一致性，突破內(nèi)存墻瓶頸，縮減整體響應(yīng)時間。此外，CXL支持部署新的內(nèi)存層，可以彌合主內(nèi)存和SSD存儲之間的延遲差距。

隨著AI應(yīng)用爆發(fā)，“內(nèi)存墻”成為制約計算系統(tǒng)性能的主要因素之一。CXL建立在PCIe的物理和電氣接口之上，CXL內(nèi)存擴(kuò)展功能可在服務(wù)器中的直連DIMM插槽之外實現(xiàn)額外的內(nèi)存容量和帶寬，支持內(nèi)存池化和共享，滿足高性能CPU/GPU的算力需求。

近日，佰維成功研發(fā)并發(fā)布了支持CXL 2.0規(guī)范的CXL DRAM內(nèi)存擴(kuò)展模塊。佰維CXL 2.0 DRAM采用EDSFF（E3.S）外形規(guī)格，內(nèi)存容量高達(dá)96GB，同時支持PCIe 5.0×8接口，理論帶寬高達(dá)32GB/s，可與支持CXL規(guī)范及E3.S接口的背板和服務(wù)器主板直連，擴(kuò)展服務(wù)器內(nèi)存容量和帶寬。同時，佰維可針對無E3.S接口的服務(wù)器背板提供CXL AIC轉(zhuǎn)接卡。

佰維CXL 2.0 DRAM的特點和優(yōu)勢

Latency性能方面，在實際測試中，佰維CXL 2.0 DRAM掛載于node 2節(jié)點，與掛載于node 0節(jié)點的CPU存取Latency為247.1ns，帶寬超過21GB/s，Latency性能優(yōu)異，賦能數(shù)據(jù)高速處理。

Latency測試

Bandwidth測試

人工智能（AI）和機(jī)器學(xué)習(xí)（ML）對高速數(shù)據(jù)處理的需求持續(xù)增長，佰維CXL 2.0 DRAM兼具支持內(nèi)存容量和帶寬擴(kuò)展、內(nèi)存池化共享、高帶寬、低延遲、高可靠性等特點，賦能AI高性能計算。目前，佰維可為客戶和合作伙伴提供32GB~96GB CXL 2.0 DRAM的功能樣機(jī)，進(jìn)行聯(lián)合評估和測試。未來，佰維將持續(xù)關(guān)注CXL技術(shù)，賦能高性能計算需求。

延伸：AIC轉(zhuǎn)接卡

針對無E3.S接口的服務(wù)器背板，佰維可提供AIC轉(zhuǎn)接卡，助力服務(wù)器實現(xiàn)CXL RDIMM內(nèi)存擴(kuò)展。

關(guān)于佰維

深圳佰維存儲科技股份有限公司（科創(chuàng)板股票代碼：688525）成立于2010年，公司專注于存儲芯片研發(fā)與封測制造，是國家高新技術(shù)企業(yè)，國家級專精特新小巨人企業(yè)，并獲得國家大基金戰(zhàn)略投資。公司緊緊圍繞半導(dǎo)體存儲器產(chǎn)業(yè)鏈，構(gòu)筑了研發(fā)封測一體化的經(jīng)營模式，在存儲介質(zhì)特性研究、固件算法開發(fā)、存儲芯片封測、測試研發(fā)、全球品牌運(yùn)營等方面具有核心競爭力，并積極布局芯片IC設(shè)計、先進(jìn)封測、芯片測試設(shè)備研發(fā)等技術(shù)領(lǐng)域。公司存儲芯片產(chǎn)品廣泛應(yīng)用于移動智能終端、PC、行業(yè)終端、數(shù)據(jù)中心、智能汽車、移動存儲等信息技術(shù)領(lǐng)域。

憑借優(yōu)異的綜合競爭力，公司榮獲國家級“專精特新小巨人企業(yè)”、“國家高新技術(shù)企業(yè)”、“海關(guān)AEO高級認(rèn)證企業(yè)”、“十大最佳國產(chǎn)芯片廠商”、“廣東省復(fù)雜存儲芯片研發(fā)及封裝測試工程技術(shù)研究中心”、深圳市“博士后創(chuàng)新實踐基地”、“深圳知名品牌”、深圳市南山區(qū)“專精特新企業(yè)增加值十強(qiáng)”等稱號；產(chǎn)品獲得“全球電子成就獎年度存儲器”、“中國IC設(shè)計成就獎年度最佳存儲器”、“硬核中國芯最佳存儲芯片”、“中國汽車行業(yè)優(yōu)秀汽車電子創(chuàng)新產(chǎn)品獎”等榮譽(yù)。