韓國SKMP開發出高厚度KrF光刻膠助力3D NAND閃存制造
據報道，韓國SK集團于2020年斥資400億韓元收購當地錦湖石化的電子材料業務，收購后成立的新子公司SK Materials Performance（SKMP）已開發出一種高厚度KrF光刻膠，并通過了SK海力士的性能驗證，這將有利于SK海力士3D NAND閃存的技術開發。
據悉，SKMP開發的新型KrF光刻膠厚度為14~15微米，與東進半導體（DONGJIN SEMICHEM）向三星供應的產品類似，而日本JSR公司的類似產品厚度僅為10微米。
光刻膠的厚度對于提高3D NAND閃存工藝處理效率有較大幫助，但是更高的厚度也意味著技術難度更高，因為化學材料的粘性可能導致涂層表面不平整，這也是東進半導體目前仍是三星這類產品唯一供應商的原因。隨著SKMP加入競爭，SK海力士將能夠用這款KrF光刻膠生產238層3D NAND閃存。
SKMP很可能取代日本JSR的主導地位，成為其主要的供應商。目前，SK海力士238層3D NAND閃存晶圓的月產能約為5000片，預計未來將進一步提升產能，從而帶動SKMP公司光刻膠的銷量。
SK海力士于2023年8月展示了世界首款321層NAND閃存芯片樣品，屬于TLC 4D NAND，容量高達1Tb，預計產品將于2025年量產。
審核編輯：劉清
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原文標題：韓國SKMP開發出高厚度KrF光刻膠，可助力3D NAND閃存制造
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