根據(jù)最新發(fā)布的報告，從2024年第四季度開始，DRAM和NAND閃存的價格將全面上漲，這已經(jīng)導致國內(nèi)存儲器下游企業(yè)的閃存采購成本上漲了近20%，而內(nèi)存采購成本上漲了約30%。

目前尚不清楚內(nèi)存和存儲器件的價格是否會回到之前的低價時代，但一些消息人士表示，新款旗艦機型的起售價預計會上漲300-500元。

這種上漲的影響將逐漸傳導至消費者，預計從今年四季度開始，諸如筆記本電腦和手機等終端產(chǎn)品可能面臨漲價。

供應鏈上下游的一些主要公司已經(jīng)透露，由于三星等存儲原廠的減產(chǎn)以及國內(nèi)閃存顆粒生產(chǎn)能力不足，內(nèi)存和閃存元器件的采購成本正在逐步上漲。

報告還指出，從2024年第四季度開始，DRAM和NAND閃存的均價將全面上漲。其中，DRAM預計每個季度的漲幅為3-8%。這種漲勢能否持續(xù)下去還取決于供應商是否持續(xù)減產(chǎn)策略以及市場的回暖程度，特別是在通用型服務器領域。

此外，報告還提到，隨著三星、SK海力士等存儲行業(yè)持續(xù)減產(chǎn)，10月份左右DRAM和NAND原廠芯片價格有了小幅上漲。目前，合約價已經(jīng)陸續(xù)落底，庫存跌價的損失將得到改善，去庫存化的效果有望使營業(yè)利益率由虧轉盈。

編輯：黃飛