【產品速報】深圳市森國科科技股份有限公司日前發布了第五代Thinned MPS1200V碳化硅二級管，涵蓋了10A、15A、20A、30A、40A、50A系列等數十款型號，相比Si器件，碳化硅肖特基二極管具有導通電阻低，開關損耗小的特點，完美滿足中高壓系統的需求，成為了光伏逆變器、風能逆變器、儲能雙向逆變器、充電樁模塊、大功率工業電源、車載充電機等領域客戶的不二選擇，碳化硅功率器件的使用對于能源領域朝著輕量化、節能低碳化的轉型升級也具有重要的意義。

碳化硅作為第三代寬禁帶半導體的代表性材料之一，與傳統Si基材料相比，其電子飽和漂移速率是硅的2倍，更加適合在高頻電路中使用；熱導率相當于Si的3倍，因而散熱效果更佳，可靠性更高；SiC材料的臨界擊穿場強能力高達硅的10倍之多，可使器件更加耐高壓；禁帶寬度上來說，SiC材料是Si材料的3倍，使其具備了低漏電的優異性能。

此外，經過多輪測試與驗證，森國科1200V碳化硅二級管擁有強大的抗浪涌沖擊能力、抗雪崩能力，強健性和魯棒性。較高的熱性能降低了對冷卻系統的需求，同時由于反向恢復時間短，可降低電磁干擾的問題。在"風、光、儲、充、荷"等領域常用的電路可參考：

交錯并聯PFC: D5, D6：可以減小輸入電流紋波和輸出電容紋波電流的有效值，并提升電路的功率等級。

維也納（VIENNA）PFC：具有諧波含量低、功率因數高、動態性能良好的特性。

IGBT續流二極管：降低開關損耗，增大開關頻率。

森國科深耕集成電路領域多年，目前已與國內外多家著名的FAB廠達成緊密的合作關系。秉承著“做最合適的功率器件”的理念，致力于打造性能優越、尺寸體積可控的功率器件全系列產品，助力來自新能源汽車、充電樁、光伏逆變器、OBC、工業電源、數據電源、儲能逆變器、變頻驅動、快充頭、適配器等多個領域的客戶實現高耐壓、耐高溫、耐高頻、低功耗、低成本的應用需求，持續賦能低碳發展。

名詞釋義

1、高電子飽和漂移速率：電子飽和漂移速率是指在強電場下，電子在晶格中移動時達到的最大速度，它反映了材料的載流子遷移率。高電子飽和漂移速率意味著更快的開關速度和更高的工作頻率，從而提高了半導體的效率和帶寬。