東京電子成功開發400層堆疊3D NAND閃存技術
東京電子9日宣布，成功開發出了可以用于制造400段以上堆砌而成的3d nand閃存的“存儲器洞蝕刻技術”。研究組開發的新技術首次使電蝕在低溫下也能應用，發明了具有很高蝕覺速度的系統。
這一創新技術可在短短33分鐘內完成10微米深度的刻蝕，比以往的技術大大縮短了時間。東京電子方面表示：“如果應用該技術，不僅有助于制造高容量3d nand，還可以減少84%的地球變暖危險。”
東京電子表示，開發該技術的小組將于6月11日至16日在日本京都舉行的“2023年招待所集成電路技術及工程研討會”上發表最新成果和報告書。
聲明：本文內容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網站授權轉載。文章觀點僅代表作者本人，不代表電子發燒友網立場。文章及其配圖僅供工程師學習之用，如有內容侵權或者其他違規問題，請聯系本站處理。
舉報投訴
-
3D
+關注
關注
9文章
3011瀏覽量
115061 -
刻蝕
+關注
關注
2文章
220瀏覽量
13780
發布評論請先 登錄
相關推薦
熱點推薦
從3D堆疊到二維材料：2026年芯片技術全面突破物理極限
2026年半導體行業跨越物理極限：3D堆疊芯片性能提升300%，二維材料量產為1納米工藝鋪路。探討芯片技術在算力、能耗與全球化合作中的關鍵進展。
簡單認識3D SOI集成電路技術
在半導體技術邁向“后摩爾時代”的進程中，3D集成電路（3D IC）憑借垂直堆疊架構突破平面縮放限制，成為提升性能與功能密度的核心路徑。
淺談2D封裝，2.5D封裝，3D封裝各有什么區別？
集成電路封裝技術從2D到3D的演進，是一場從平面鋪開到垂直堆疊、從延遲到高效、從低密度到超高集成的革命。以下是這三者的詳細分析：
Socionext推出3D芯片堆疊與5.5D封裝技術
、3D及5.5D的先進封裝技術組合與強大的SoC設計能力，Socionext將提供高性能、高品質的解決方案，助力客戶實現創新并推動其業務增長。
iTOF技術，多樣化的3D視覺應用
視覺傳感器對于機器信息獲取至關重要，正在從二維（2D）發展到三維（3D），在某些方面模仿并超越人類的視覺能力，從而推動創新應用。3D 視覺解決方案大致分為立體視覺、結構光和飛行時間 （TOF）
發表于 09-05 07:24
EtherCAT科普系列（17）：EtherCAT技術在多自由度 3D 打印領域應用
3D打印技術即三維快速成型打印技術，是一種新型增材制造方式。區別于傳統的“減材制造技術”，3D打印通過數字化模型離散目標實體模型，再通過材料
SK海力士321層4D NAND的誕生
）領域也不斷推進技術革新，強化競爭力。NAND產品的數據存儲量取決于單元1（cell）堆疊的高度，而提升堆疊層數正是競爭力的關鍵所在。
什么是Flash閃存以及STM32使用NAND Flash
電流供應的條件下也能夠長久地保持數據，其存儲特性相當于硬盤，這項特性正是閃存得以成為各類便攜型數字設備的存儲介質的基礎。
分類
NOR和NAND是市場上兩種主要的非易失閃存技術。
在1
發表于 07-03 14:33
TechWiz LCD 3D應用：局部液晶配向
，并增加Condition層
此層為局部摩擦的層，所以要注意區域的設置；
設置完成后要生成mesh文件
2.2在TechWiz LCD 3D軟件中將Local Mask的頂部以及底部
發表于 06-16 08:46
SK海力士UFS 4.1來了，基于321層1Tb TLC 4D NAND閃存
電子發燒友網綜合報道，SK海力士宣布公司成功開發出搭載全球最高321層1Tb（太比特，Terabit）TLC（Triple Level Cell）4
3D封裝與系統級封裝的背景體系解析介紹
的核心技術，正在重塑電子系統的集成范式。3D封裝通過垂直堆疊實現超高的空間利用率，而SiP則專注于多功能異質集成，兩者共同推動著高性能計算、人工智能和物聯網等領域的
Marvell展示2納米芯片3D堆疊技術，應對設計復雜性挑戰！
隨著現代科技的迅猛發展，芯片設計面臨著前所未有的挑戰。特別是在集成電路(IC)領域，隨著設計復雜性的增加，傳統的光罩尺寸已經成為制約芯片性能和功能擴展的瓶頸。為了解決這一問題，3D堆疊技術應運而生
工商網監
評論