国产精品久久久aaaa,日日干夜夜操天天插,亚洲乱熟女香蕉一区二区三区少妇,99精品国产高清一区二区三区,国产成人精品一区二区色戒,久久久国产精品成人免费,亚洲精品毛片久久久久,99久久婷婷国产综合精品电影,国产一区二区三区任你鲁

0
  • 聊天消息
  • 系統(tǒng)消息
  • 評論與回復(fù)
登錄后你可以
  • 下載海量資料
  • 學(xué)習(xí)在線課程
  • 觀看技術(shù)視頻
  • 寫文章/發(fā)帖/加入社區(qū)
會員中心
創(chuàng)作中心

完善資料讓更多小伙伴認(rèn)識你,還能領(lǐng)取20積分哦,立即完善>

3天內(nèi)不再提示

IGBT芯片互連常用鍵合線材料特性

1770176343 ? 來源:半導(dǎo)體封裝工程師之家 ? 作者:半導(dǎo)體封裝工程師 ? 2023-03-27 11:15 ? 次閱讀
加入交流群
微信小助手二維碼

掃碼添加小助手

加入工程師交流群

IGBT芯片與芯片的電極端子間,IGBT芯片電極端子與二極管芯片間,芯片電極端子與絕緣襯板間一般通過引線鍵合技術(shù)進(jìn)行電氣連接。通過鍵合線使芯片間構(gòu)成互連,形成回路。引線鍵合是IGBT功率器件內(nèi)部實(shí)現(xiàn)電氣互連的主要方式之一。隨著制造工藝的快速發(fā)展,許多金屬鍵合線被廣泛的應(yīng)用到IGBT功率模塊互連技術(shù)中。目前,常用的鍵合線有鋁線、金線、銀線、銅線、鋁帶、銅片和鋁包銅線等。表1是引線鍵合技術(shù)中常用材料的性能。

表1 引線鍵合工藝中常用鍵合線的材料屬性

6672a994-cbdd-11ed-bfe3-dac502259ad0.png

1.鋁線鍵合 鋁線鍵合是目前工業(yè)上應(yīng)用最廣泛的一種芯片互連技術(shù),鋁線鍵合技術(shù)工藝十分成熟,且價(jià)格低廉。鋁線根據(jù)直徑的不同分為細(xì)錫線和粗鋁線兩種,直徑小于100um的鋁線被稱為細(xì)鋁線,直徑大于100um小于500um的鋁線被稱為粗鋁線。粗鋁線鍵合實(shí)物如圖1所示。

668867ac-cbdd-11ed-bfe3-dac502259ad0.jpg



圖1 粗鋁線鍵合實(shí)物圖


粗鋁線的載流能力比細(xì)鋁線強(qiáng),直徑為500um的粗鋁線可承受直流約為23A的電流。鋁的熱膨脹系數(shù)為23×10-6K-1,與硅芯片的熱膨脹系數(shù)相差較大,在長時(shí)間的功率循環(huán)過程中會在封裝體內(nèi)積累熱量,使模塊溫度升高,產(chǎn)生并積累熱應(yīng)力。很容易使鍵合引線斷裂或鍵合接觸表面脫落,最終導(dǎo)致模塊的整體失效。在通流能力要求較高的情況下,引線的數(shù)目過于龐大,會造成鍵合接觸表面產(chǎn)生裂紋。 為了提高鍵合引線的載流能力,鋁帶鍵合技術(shù)逐步發(fā)展起來,圖2所示為鋁帶鏈合實(shí)物圖。相比于鋁線鍵合,鋁帶的橫截面積大,可靠性高,不但提高了整體的通流能力,避免由于髙頻工作時(shí)造成的集膚效應(yīng),而且還有效地減小了封裝體的厚度。表面積較大,散熱效果也比鋁線要好。鋁帶鍵合由于導(dǎo)電性能好,寄生電感小,在頻率高,電流大的工作情況下應(yīng)用較為廣泛,其缺點(diǎn)是不能大角度彎曲。

669da78e-cbdd-11ed-bfe3-dac502259ad0.jpg



圖2鋁帶鍵合實(shí)物圖

2.銅線鍵合

由表1可知,銅線比鋁線的電阻率低,導(dǎo)電性能好,熱導(dǎo)率比鋁線高,散熱性能好?,F(xiàn)在功率模塊大多追求小體積、高功率密度和快散熱,銅線鍵合技術(shù)得到了廣泛的應(yīng)用。圖3所示為銅線鍵合實(shí)物和銅帶鍵合實(shí)物。

66b05fb4-cbdd-11ed-bfe3-dac502259ad0.jpg

圖3 銅材料鍵合實(shí)物圖

銅線的通流能力強(qiáng),直徑400um的銅線可以承受直流約32.5A的電流,比鋁線的載流能力提高了71%。銅線鍵合技術(shù)的缺點(diǎn)也十分明顯。由于芯片表面多為鋁合金,銅線在鍵合前需要在芯片表面進(jìn)行電銀或者沉積,不但增加了成本,而且增加了在生產(chǎn)過程中復(fù)雜程度。銅材料的熱膨脹系數(shù)較大,與芯片不匹配,在功率循環(huán)工作條件下,產(chǎn)生的熱應(yīng)力累積,容易使鍵合引線脫落或芯片表面產(chǎn)生裂痕。

3.鋁包銅線鍵合 綜合考慮鋁線與銅線的優(yōu)缺點(diǎn),研發(fā)人員研制了一種新型鍵合線,在銅線外層包裹一層厚度約為25~35um的鋁。鋁包銅線如圖4所示,由于其表面為鋁材料,在鍵合時(shí)不需要事先對芯片表面進(jìn)行化學(xué)電鍍處理,提高了系統(tǒng)的可靠性。鋁包銅線的導(dǎo)電性能和導(dǎo)熱性能均比鋁線要好,增加了鍵合引線的可靠性,提高了IGBT功率模塊的使用壽命。

66c6b4bc-cbdd-11ed-bfe3-dac502259ad0.png

圖4 鋁包銅線鍵合線

4.金線鍵合

線鍵合技術(shù)主要應(yīng)用在集成度較高的IC芯片封裝中,金線的熱導(dǎo)率較高,散熱效果好,電阻率比鋁線低,導(dǎo)電性強(qiáng)。金線的膨脹系數(shù)為14.2×10-6K-1,為所有常用鍵合金屬材料中最低的,與硅芯片的匹配性較其他鍵合材料要好。但由于其價(jià)格過于昂貴,限制了其在半導(dǎo)體封裝中的廣泛應(yīng)用。金線鍵合實(shí)物如圖5所示。

66e50b2e-cbdd-11ed-bfe3-dac502259ad0.png

圖5金線鍵合實(shí)物

5.銀線鍵合 銀鍵合線比金電阻率低,熱導(dǎo)率高,故無論從導(dǎo)電性還是散熱性都比較好,且其價(jià)格也相對較為便宜。銀線的熱膨脹系數(shù)較高,鍵合可靠性問題是需要著重考慮的。

6705e6f0-cbdd-11ed-bfe3-dac502259ad0.png

圖6 銀線鍵合實(shí)物圖

綜上所述,不同材料的鍵合引線,其主要應(yīng)用領(lǐng)域不同,均有一定程度的優(yōu)缺點(diǎn)。線鍵合會有較大的寄生電感,多跟線鍵合時(shí)會有鄰近效應(yīng)和電流分配不均等問題。帶鍵合雖然可有效地避免上述問題,但工藝難度增加,相應(yīng)的增加制造成本。另外由于鍵合材料熱膨脹系數(shù)不匹配引起的熱應(yīng)力積累,最終會影響功率器件的可靠性問題。因此在選擇鍵合引線時(shí)需要綜合考慮工藝、功率器件可靠性和成本等方面。

審核編輯 :李倩

聲明:本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點(diǎn)僅代表作者本人,不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場。文章及其配圖僅供工程師學(xué)習(xí)之用,如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問題,請聯(lián)系本站處理。 舉報(bào)投訴
  • IGBT
    +關(guān)注

    關(guān)注

    1288

    文章

    4331

    瀏覽量

    263033
  • 功率器件
    +關(guān)注

    關(guān)注

    43

    文章

    2120

    瀏覽量

    95121
  • 寄生電感
    +關(guān)注

    關(guān)注

    1

    文章

    166

    瀏覽量

    15074
  • igbt芯片
    +關(guān)注

    關(guān)注

    0

    文章

    33

    瀏覽量

    5408
  • 鍵合線
    +關(guān)注

    關(guān)注

    2

    文章

    7

    瀏覽量

    3841

原文標(biāo)題:IGBT芯片互連常用鍵合線材料特性

文章出處:【微信號:半導(dǎo)體封裝工程師之家,微信公眾號:半導(dǎo)體封裝工程師之家】歡迎添加關(guān)注!文章轉(zhuǎn)載請注明出處。

收藏 人收藏
加入交流群
微信小助手二維碼

掃碼添加小助手

加入工程師交流群

    評論

    相關(guān)推薦
    熱點(diǎn)推薦

    IGBT芯片互連常用線材料特性

    IGBT芯片芯片的電極端子間,IGBT芯片電極端子與二極管芯片間,
    的頭像 發(fā)表于 04-01 11:31 ?3883次閱讀

    芯片封裝技術(shù)各種微互連方式簡介教程

    芯片封裝技術(shù)各種微互連方式簡介微互連技術(shù)簡介定義:將芯片凸點(diǎn)電極與載帶的引線連接,經(jīng)過切斷、
    發(fā)表于 01-13 14:58

    LTCC微波多芯片組件中鍵互連的微波特性

     互連是實(shí)現(xiàn)微波多芯片組件電氣互連的關(guān)鍵技術(shù),
    發(fā)表于 07-26 09:40 ?31次下載

    大功率IGBT模塊封裝中的超聲引線鍵合技術(shù)

    從超聲引線鍵合的機(jī)理入手,對大功率IGBT 模塊引線的材料界面特性進(jìn)行了分析,探討了
    發(fā)表于 10-26 16:31 ?69次下載
    大功率<b class='flag-5'>IGBT</b>模塊封裝中的超聲引線<b class='flag-5'>鍵合</b>技術(shù)

    線等效電阻的IGBT模塊老化失效研究

    已有研究表明,線老化脫落失效是影響絕緣柵雙極型晶體管( IGBT)可靠性的主要因素之一。以此為研究背景,首先根據(jù)IGBT模塊內(nèi)部
    發(fā)表于 01-02 11:18 ?5次下載
    <b class='flag-5'>鍵</b><b class='flag-5'>合</b>線等效電阻的<b class='flag-5'>IGBT</b>模塊老化失效研究

    金絲射頻互連特性的建模與分析

    元器件設(shè)計(jì)成滿足需求的。在微波多芯片電路技術(shù)中,常采用金絲技術(shù)來實(shí)現(xiàn)微帶傳輸線、單片微波集成電路和集總式元器件之間的互連。與數(shù)字電路中互連
    發(fā)表于 10-16 10:43 ?4次下載
    金絲<b class='flag-5'>鍵</b><b class='flag-5'>合</b>射頻<b class='flag-5'>互連</b>線<b class='flag-5'>特性</b>的建模與分析

    什么是引線鍵合?引線鍵合的演變

    引線鍵合是在硅芯片上的 IC 與其封裝之間創(chuàng)建互連常用方法,其中將細(xì)線從器件上的焊盤連接到
    發(fā)表于 10-24 11:32 ?3848次閱讀
    什么是引線<b class='flag-5'>鍵合</b>?引線<b class='flag-5'>鍵合</b>的演變

    微流控芯片技術(shù)

    微流控芯片技術(shù)的重要性 微流控芯片技術(shù)是實(shí)現(xiàn)其功能的關(guān)鍵步驟之一,特別是在密封技術(shù)方面
    的頭像 發(fā)表于 12-30 13:56 ?1409次閱讀

    芯片封裝技術(shù)工藝流程以及優(yōu)缺點(diǎn)介紹

    芯片封裝是半導(dǎo)體制造的關(guān)鍵環(huán)節(jié),承擔(dān)著為芯片提供物理保護(hù)、電氣互連和散熱的功能,這其中的技術(shù)就是將裸
    的頭像 發(fā)表于 03-22 09:45 ?6417次閱讀
    <b class='flag-5'>芯片</b>封裝<b class='flag-5'>鍵</b><b class='flag-5'>合</b>技術(shù)工藝流程以及優(yōu)缺點(diǎn)介紹

    芯片封裝中的四種方式:技術(shù)演進(jìn)與產(chǎn)業(yè)應(yīng)用

    芯片封裝作為半導(dǎo)體制造的核心環(huán)節(jié),承擔(dān)著物理保護(hù)、電氣互連和散熱等關(guān)鍵功能。其中,技術(shù)作為連接裸芯片與外部
    的頭像 發(fā)表于 04-11 14:02 ?3116次閱讀
    <b class='flag-5'>芯片</b>封裝中的四種<b class='flag-5'>鍵</b><b class='flag-5'>合</b>方式:技術(shù)演進(jìn)與產(chǎn)業(yè)應(yīng)用

    什么是引線鍵合芯片引線鍵合保護(hù)膠用什么比較好?

    引線鍵合的定義--什么是引線鍵合?引線鍵合(WireBonding)是微電子封裝中的關(guān)鍵工藝,通過金屬細(xì)絲(如金線、鋁線或銅線)將芯片焊盤與外部基板、引線框架或其他
    的頭像 發(fā)表于 06-06 10:11 ?1309次閱讀
    什么是引線<b class='flag-5'>鍵合</b>?<b class='flag-5'>芯片</b>引線<b class='flag-5'>鍵合</b>保護(hù)膠用什么比較好?

    IGBT 芯片平整度差,引發(fā)線與芯片連接部位應(yīng)力集中,失效

    一、引言 在 IGBT 模塊的可靠性研究中,線失效是導(dǎo)致器件性能退化的重要因素。研究發(fā)現(xiàn),芯片表面平整度與
    的頭像 發(fā)表于 09-02 10:37 ?1961次閱讀
    <b class='flag-5'>IGBT</b> <b class='flag-5'>芯片</b>平整度差,引發(fā)<b class='flag-5'>鍵</b><b class='flag-5'>合</b>線與<b class='flag-5'>芯片</b>連接部位應(yīng)力集中,<b class='flag-5'>鍵</b><b class='flag-5'>合</b>失效

    芯片工藝技術(shù)介紹

    在半導(dǎo)體封裝工藝中,芯片(Die Bonding)是指將晶圓芯片固定到封裝基板上的關(guān)鍵步驟。
    的頭像 發(fā)表于 10-21 17:36 ?2549次閱讀
    <b class='flag-5'>芯片</b><b class='flag-5'>鍵</b><b class='flag-5'>合</b>工藝技術(shù)介紹

    半導(dǎo)體芯片技術(shù)概述

    芯片貼裝后,將半導(dǎo)體芯片與其封裝外殼、基板或中介層進(jìn)行電氣連接的工藝。它實(shí)現(xiàn)了芯片與外部世界之間的信號、電源和接地連接。
    的頭像 發(fā)表于 01-20 15:36 ?606次閱讀
    半導(dǎo)體<b class='flag-5'>芯片</b><b class='flag-5'>鍵</b><b class='flag-5'>合</b>技術(shù)概述

    NTC熱敏芯片工藝介紹

    隨著半導(dǎo)體技術(shù)的持續(xù)創(chuàng)新及進(jìn)步,NTC熱敏芯片工藝也不斷發(fā)展。目前,芯片工藝為順應(yīng)行業(yè)發(fā)
    的頭像 發(fā)表于 02-24 15:42 ?161次閱讀