碳化硅晶體生長時，晶體軸向中心與邊緣的生長界面的“環境”不同，使邊緣的晶體應力徒增，且晶體邊緣由于石墨檔環"碳”的影響，容易產生“綜合缺陷”，如何解決邊緣問題或增加中心有效面積（95%以上）是重要的技術課題。

隨著“微管”“包裹物”等宏觀缺陷逐漸被行業控制，挑戰碳化硅晶體“長快、長厚、長大”，邊緣“綜合缺陷”就異常突顯，隨著碳化硅晶體直徑、厚度的增加，邊緣“綜合缺陷”會以直徑平方及厚度成倍數增加。

采用碳化鉭TaC涂層, 是解決邊緣問題，提高晶體生長質量，是“長快、長厚、長大”的核心技術方向之一。為了推動行業技術發展，解決關鍵材料“進口”依賴，恒普科技突破性解決了碳化鉭涂層技術（CVD），達到了國際先進水平。

碳化鉭TaC涂層，從實現的角度并不困難，用燒結、CVD等方法都容易實現。燒結法，采用碳化鉭粉或前驅體，添加活化成分（一般為金屬）和粘接劑（一般為長鏈高分子），涂覆到石墨基材表面高溫燒結。CVD法，采用TaCl5+H2+CH4，在900-1500℃，沉積到石墨基體表面。

但碳化鉭沉積的晶向，膜厚均勻、涂層與石墨基體的應力釋放、表面裂紋等基礎參數，卻極具挑戰。特別是能在SiC晶體生長環境下，有穩定的使用壽命是核心參數，是最難點。

審核編輯 ：李倩