電子發燒友網綜合報道 近日，阿斯麥（ASML）的研究人員表示，他們成功找到提升關鍵芯片制造設備中光源功率的方法，預計到2030年可使芯片產量提高多達50%。

ASML是全球唯一一家商業化生產極紫外光刻（EUV）設備的公司。EUV設備堪稱芯片制造商生產先進計算芯片的“神器”，像臺積電、英特爾等行業巨頭都高度依賴它。EUV光刻機是以10 - 14納米波長的極紫外光為光源，主要用于14納米及以下先進制程芯片制造，小于5納米的芯片晶圓更是非它不可。它采用激光等離子體光源技術，通過高功率激光轟擊錫微滴激發等離子體，產生13.5nm極紫外光，其核心投影物鏡系統由多層反射鏡構成，且需在真空環境中運行。

此次ASML在EUV光源上取得關鍵突破。負責EUV光源的首席技術專家Michael Purvis強調，這不是噱頭或短期的技術演示，而是一個能在客戶實際使用條件下持續輸出1000瓦功率的系統。研究人員成功將EUV光源功率從目前的600瓦提升至1000瓦，這背后是ASML在原本復雜技術路徑上的深度創新。

為了產生波長13.5納米的光，ASML設備會在腔體中噴射熔融錫液滴流，再用強大的二氧化碳激光將其加熱成等離子體，這種超高溫物質狀態下，錫液滴溫度高于太陽，釋放出EUV光，隨后由德國Carl Zeiss AG提供的精密光學設備收集并導入機器進行芯片刻寫。此次突破包括將每秒錫液滴數量提升至約10萬個（近乎翻倍），并采用兩次較小的激光脈沖來塑形形成等離子體，而此前設備僅使用一次脈沖。

EUV光源功率提升意義重大。從成本角度看，光源功率越高，曝光速度越快，單位時間內生產的芯片數量就越多。ASML負責NXE系列EUV設備的執行副總裁Teun van Gogh表示，到2030年，每臺設備每小時可處理約330片硅晶圓，比目前的220片大幅增加，根據芯片尺寸不同，每片晶圓可容納數十到數千顆芯片，這意味著單顆芯片成本將降低。

從產能方面，對于臺積電、英特爾等芯片制造商而言，在不增加設備數量的情況下，工廠產能可直接提升約50%，能更好地滿足市場對芯片日益增長的需求。在技術競爭層面，這一突破進一步鞏固了ASML的技術壁壘，制造千瓦級穩定EUV光源涉及激光技術、等離子體科學以及材料科學等多學科難題，技術挑戰極其嚴苛，這使ASML與潛在競爭對手的距離進一步拉大。

科羅拉多州立大學教授Jorge J. Rocca稱，實現1千瓦功率令人驚嘆，因為這需要掌握眾多技術。Purvis還表示，ASML認為實現1000瓦所采用的技術為未來進一步提升打開空間，已看到一條清晰路徑可達1500瓦，甚至從理論上講，達到2000瓦也并非沒有可能。

ASML的這次EUV光源突破，無疑為全球芯片制造行業注入一劑強心針，不僅將推動芯片產量提升、成本降低，還將引領行業向更高性能、更先進制程邁進。