最近光博會上看到一本關于光刻的小冊子，里面有一點內容，分享給大家。

關于光刻的原理、光刻設備、光刻膠的種類和選擇等。

開篇 光刻的原理

表面處理：一般的晶圓光刻前都需要清潔干凈，特別是有有機物的、顆粒的、會影響光刻膠的厚度。

涂膠：根據工藝要求，目前常用的兩種涂膠工藝，一個就是旋轉涂覆、一個就是噴涂。根據工藝要求和光刻膠的性能、可以有不同厚度的光刻膠。

前烘：就比較講究了，因為這東西肉眼看不見變化。只有最后出來光刻了才知道好壞，有時候還不明顯。

上圖是曝光機的汞燈光源光譜圖。

關于曝光劑量的問題：

通常我們監控曝光機的光強，主要針對單一波長測量。比如常用的UV探測器測試的波段一般是365nm和436nm，有的光刻機帶有濾波片，可以選擇其中一個波段使用。比如有的光刻膠給的曝光量是針對365nm的，也有光刻膠給的是436nm的，因此再沒有加濾光片的前提下，計算曝光時間時是不能直接用曝光劑量除以光強的，但是也不是上文中的再除以2.5~3的樣子，在2~3的樣子，還要看具體的設備和汞燈的壽命使用情況。

其他的曝光機根據曝光波段不同，分了很多種類型的曝光。

常用工藝和光刻膠選擇

編輯：jq