隨著晶圓代工需求持續(xù)暢旺，產(chǎn)能供不應(yīng)求，為因應(yīng)客戶需求成長(zhǎng)，臺(tái)積電、聯(lián)電與世界先進(jìn)，同步上調(diào)今年資本支出，臺(tái)積電與聯(lián)電更分別大增45-62%、50%，要站穩(wěn)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)需求爆發(fā)的風(fēng)口浪尖。

臺(tái)積電去年資本支出共172億美元，為因應(yīng)先進(jìn)制程與特殊制程技術(shù)發(fā)展，與客戶需求成長(zhǎng)，今年資本支出將達(dá)250-280億美元，遠(yuǎn)高于外資原先預(yù)期的220億美元，相當(dāng)于年增45-62%；其中80%將用于3納米、5納米及7納米等先進(jìn)制程，10%用于先進(jìn)封裝技術(shù)量產(chǎn)需求，10%用于特殊制程。

如今，“臺(tái)積正在進(jìn)入到另一個(gè)高成長(zhǎng)區(qū)間，”臺(tái)積電總裁魏哲家信心十足，強(qiáng)調(diào)5G、高效能運(yùn)算（HPC）讓臺(tái)積先進(jìn)制程需求強(qiáng)勁，其中HPC更會(huì)為臺(tái)積帶來(lái)日益重要且長(zhǎng)期成長(zhǎng)的驅(qū)動(dòng)力，是營(yíng)收強(qiáng)勁成長(zhǎng)的最大貢獻(xiàn)領(lǐng)域，預(yù)估今年起至2025年，臺(tái)積每年復(fù)合成長(zhǎng)率將達(dá)10-15%。

魏哲家預(yù)期， 2021年半導(dǎo)體（不含存儲(chǔ)器）市場(chǎng)約成長(zhǎng)8%，晶圓制造產(chǎn)業(yè)約成長(zhǎng)10%。以美元計(jì)算，臺(tái)積有信心年增中位數(shù)（mid-teens）百分比，優(yōu)于整體市場(chǎng)表現(xiàn)。

技術(shù)上，臺(tái)積3納米計(jì)劃2021年試產(chǎn)，并預(yù)計(jì)2022下半年量產(chǎn)，“我們有信心，臺(tái)積3納米技術(shù)會(huì)成為另一重要且持久的技術(shù)，”魏哲家說(shuō)。

聯(lián)電今年資本支出為15億美元，較去年大增5成，將用于滿足先進(jìn)制程強(qiáng)勁需求，其中15%用于8英寸產(chǎn)能、85%用于12英寸，主要用于28納米產(chǎn)能擴(kuò)充。

聯(lián)電去年底28 納米產(chǎn)能約4.53 萬(wàn)片，在大舉投入資本支出擴(kuò)產(chǎn)下，今年28 納米產(chǎn)能將成長(zhǎng)20%，目標(biāo)年底達(dá)到5.93 萬(wàn)片，其中部分來(lái)自40 納米制程轉(zhuǎn)換，部分為新增產(chǎn)能。

隨產(chǎn)能進(jìn)入全面滿載，聯(lián)電總經(jīng)理王石表示，2021年將可望透過(guò)產(chǎn)線優(yōu)化再提升約3%產(chǎn)能。其中，8英寸廠房受限于無(wú)塵室空間有限，產(chǎn)能僅約提升1%；而12英寸廠在廈門廠及日本廠成長(zhǎng)貢獻(xiàn)下，產(chǎn)能將可望增加5%，預(yù)計(jì)在第2季及第4季都有部分產(chǎn)能陸續(xù)增加；至于28納米產(chǎn)能供應(yīng)將可望增加20%，也不排除透過(guò)購(gòu)并尋求增加產(chǎn)能的機(jī)會(huì)。

王石指出，今年整體產(chǎn)能將成長(zhǎng)3%，其中，8 英寸產(chǎn)能因無(wú)塵室空間不足，僅能透過(guò)去瓶頸、產(chǎn)能優(yōu)化等方式，提高整體產(chǎn)能，因此產(chǎn)能僅將增加1%；12 英寸產(chǎn)能則將成長(zhǎng)5%。

王石表示，今年 28 納米產(chǎn)能將成長(zhǎng) 20%，去年底產(chǎn)能約 4.53 萬(wàn)片，目標(biāo)今年底將達(dá)到 5.93 萬(wàn)片，其中部分來(lái)自 40 納米制程轉(zhuǎn)換，部分為新增產(chǎn)能。

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