山東威海南海新區管委會消息顯示,1月23日,南海新區舉行了2021年項目集中簽約儀式,11個項目集中簽約,總投資額超40億元。
據悉,此次簽約的項目包括內資項目和外資項目,涉及高端裝備制造、新一代信息技術、碳材料(石墨烯)、“互聯網+”等戰略性新興產業,包括光刻膠核心材料、中宏芯片等項目。
據威海南海新區消息,光刻膠核心材料項目建筑面積3萬平方米,計劃打造國內唯一、世界第二的包含顏料綠G58生產的新材料生產基地。
報道指出,此次簽約后,中宏芯片項目計劃將公司總部搬至南海新區,從事傳感模塊開發與制造,為消費類電子、工業控制、軍工及汽車電子等領域提供傳感芯片解決方案。
責任編輯:xj
聲明:本文內容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網站授權轉載。文章觀點僅代表作者本人,不代表電子發燒友網立場。文章及其配圖僅供工程師學習之用,如有內容侵權或者其他違規問題,請聯系本站處理。
舉報投訴
-
芯片
+關注
關注
463文章
54024瀏覽量
466353 -
半導體
+關注
關注
339文章
30764瀏覽量
264381 -
光刻膠
+關注
關注
10文章
354瀏覽量
31795
發布評論請先 登錄
相關推薦
熱點推薦
中國打造自己的EUV光刻膠標準!
電子發燒友網報道(文/黃山明)芯片,一直被譽為 人類智慧、工程協作與精密制造的集大成者 ,而制造芯片的重要設備光刻機就是 雕刻這個結晶的 “ 神之手 ”。但僅有光刻機還不夠,還需要
光刻膠剝離工藝
光刻膠剝離工藝是半導體制造和微納加工中的關鍵步驟,其核心目標是高效、精準地去除光刻膠而不損傷基底材料或已形成的結構。以下是該工藝的主要類型及實施要點:濕法剝離技術有機溶劑溶解法原理:使用丙酮、NMP
從光固化到半導體材料:久日新材的光刻膠國產替代之路
。 從光固化龍頭到半導體材料新銳 久日新材的戰略轉型始于2020年。通過收購大晶信息、大晶新材等企業,強勢切入半導體化學材料賽道。2024年11月,久日新材控股公司年產4500噸光刻膠
42.5億,重慶半導體大動作,8個集成電路領域頭部企業集中簽約,包含2個傳感器項目
7月28日,重慶集成電路再迎重要里程碑— — 西部科學城重慶高新區集成電路重點項目集中簽約儀式 在霧都賓館舉行,8個集成電路領域頭部企業集中簽約
國產光刻膠突圍,日企壟斷終松動
? 電子發燒友網綜合報道 光刻膠作為芯片制造光刻環節的核心耗材,尤其高端材料長期被日美巨頭壟斷,國外企業對原料和配方高度保密,我國九成以上光刻膠依賴進口。不過近期,國產
針對晶圓上芯片工藝的光刻膠剝離方法及白光干涉儀在光刻圖形的測量
引言 在晶圓上芯片制造工藝中,光刻膠剝離是承上啟下的關鍵環節,其效果直接影響芯片性能與良率。同時,光刻圖形的精確測量是保障工藝精度的重要手段
用于 ARRAY 制程工藝的低銅腐蝕光刻膠剝離液及白光干涉儀在光刻圖形的測量
至關重要。本文將介紹用于 ARRAY 制程工藝的低銅腐蝕光刻膠剝離液,并探討白光干涉儀在光刻圖形測量中的應用。 用于 ARRAY 制程工藝的低銅腐蝕光刻膠剝離液 配方設計 低銅腐蝕
低含量 NMF 光刻膠剝離液和制備方法及白光干涉儀在光刻圖形的測量
引言 在半導體制造過程中,光刻膠剝離液是不可或缺的材料。N - 甲基 - 2 - 吡咯烷酮(NMF)雖在光刻膠剝離方面表現出色,但因其高含量使用帶來的成本、環保等問題備受關注。同時,
金屬低刻蝕的光刻膠剝離液及其應用及白光干涉儀在光刻圖形的測量
介紹白光干涉儀在光刻圖形測量中的作用。 金屬低刻蝕的光刻膠剝離液 配方設計 金屬低刻蝕光刻膠剝離液需平衡光刻膠溶解能力與金屬保護性能。其核心
減少光刻膠剝離工藝對器件性能影響的方法及白光干涉儀在光刻圖形的測量
? ? 引言 ? 在半導體制造領域,光刻膠剝離工藝是關鍵環節,但其可能對器件性能產生負面影響。同時,光刻圖形的精確測量對于保證芯片制造質量至關重要。本文將探討減少光刻膠剝離工藝影響的方
光刻膠產業國內發展現狀
,是指通過紫外光、深紫外光、電子束、離子束、X射線等光照或輻射,溶解度會發生變化的耐蝕刻薄膜材料,是光刻工藝中的關鍵材料。 從芯片生產的工藝流程上來說,
光刻膠剝離液及其制備方法及白光干涉儀在光刻圖形的測量
。 光刻膠剝離液及其制備方法 常見光刻膠剝離液類型 有機溶劑型剝離液 有機溶劑型剝離液以丙酮、N - 甲基吡咯烷酮(NMP)等有機溶劑為主體成分。丙酮對普通光刻膠的溶解能力強,能夠快速
威海舉行了2021年項目集中簽約儀式,包括光刻膠、中宏芯片等項目
評論