11月18日，“2020北京微電子國際研討會暨IC WORLD學術會議”高峰論壇上，中國工程院院士吳漢明發表了題為《中國芯呼喚產業導向的技術支持》的演講。

他提出，商業成功是檢驗技術創新的唯一標準，成套工藝是芯片技術水平的集中標志。后摩爾時代，產業技術發展趨緩，給了行業追趕者機會。要抓住機會，必須樹立產業技術導向的科技文化，而非簡單的成果應用。

“中國芯”產業注定艱難

來源：麥肯錫《中國與世界》

據麥肯錫《中國與世界》報告，在光伏面板、高鐵、數字支付系統、電動汽車等行業，中國企業本土市場份額超過90％。而在半導體行業，中國企業在國內和國際市場占據的份額都很小，而且高度依賴國外技術。 吳漢明指出，當前我國集成電路產業技術創新面臨兩大壁壘：一是戰略性壁壘，二是產業性壁壘。從巴黎統籌委員會到瓦森納協議，都在警示我國必須擁有相對可控的產業鏈，特別是對工藝、裝備材料、設計IP核與EDA三大卡脖子制造環節進行重點突破，這就是中國“芯”面臨的戰略性壁壘。而集成電路產業鏈長、涉及領域寬的特點給中國集成電路突破政治壁壘帶來極大挑戰。產業壁壘方面，我國集成電路基礎研究薄弱、產業技術儲備匱乏，而世界龍頭企業早期布置的知識產權給后來者的突圍造成障礙。 他總結說：“‘中國芯’產業注定艱難，尤其芯片制造工藝，挑戰極為嚴峻。”從芯片制造角度來看，硅單晶、制造工藝和封裝三大環節中，80％的裝備投入都在制造工藝環節，正是因為投資強度太大，投資回報慢，所以制造工藝是我國集成電路產業發展中最大的瓶頸。而芯片制造主要面臨三大挑戰：圖形轉移、新材料與工藝、良率提升。

趨緩的摩爾定律給追趕者機會 回顧過去60年摩爾定律所走過的道路，2013年以來，芯片性能、功耗等指標提升速度顯著放緩，甚至達到飽和狀態，其核心原因就是單個晶體管價格已經幾乎無法下降，導致技術達到瓶頸。 據統計，2002年以前，晶體管性能平均每年提升約52％；2002年-2010年，平均每年提升約23％；2010年-2014年，每年提升僅約12％；而2014年-2018年，這一提升已經放緩至3.5％。吳漢明認為：“大概是從2012、2013年起，也就是28nm以后，就可以定義為后摩爾時代。而這一點給我們這些追趕者帶來一些機會。” 以工藝節點為視角切入，從130nm到如今的14nm，我國芯片制造技術節點與世界先進水平差距呈現擴大趨勢。

注：全球代工市場不同工藝節點收入拆分 然而，2019年各工藝節點市場份額數據顯示，7nm和10nm只占17％市場份額，83％市場屬于10nm以上工藝節點。意味著相對成熟的工藝節點還有巨大的創新空間和市場潛力。

樹立產業技術導向的科技文化 回顧近60年來我國集成電路產業發展歷程，事實上我國第一塊硅單晶誕生于1958年，比美國晚6年，比日本早2年；第一塊硅集成電路誕生于1965年，比美國和日本分別晚7年和5年。但其后隨著集成電路走向大規模產業化，我國與世界差距逐漸拉大。1996年我國實現年產6億塊硅集成電路，而美國在1972年、日本在1976年已經實現了這一生產規模，差距達到20年以上。 由此可見，我國科學技術發展中最薄弱的環節是產業技術。因此，吳漢明呼吁：“研究是手段，產業是目的。我們的研發一定要樹立產業技術導向的科技文化，而不是簡單的成果應用。” 他認為，商業成功是檢驗技術創新的唯一標準，成套工藝是芯片技術水平的集中標志。正如中國工程院院士李國杰所說：“實驗室技術是單點突破，一俊遮百丑，而產業技術不能有明顯短板……產業技術不是科研機構轉化后的應用開發，而是引導科研的原始動力。”

原文標題：吳漢明：摩爾定律趨緩給追趕者機會，必須樹立產業技術導向的科技文化

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